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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Index Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

37 Beziehungen: Ampere, Antriebstechnik, B. Jayant Baliga, Bipolartransistor, Darlington-Schaltung, Diffusion, Dimmer, Dotierung, Drehstrommaschine, Elektron, Epitaxie, Feldeffekttransistor, Frequenzumrichter, General Electric, Gleichspannungswandler, GTO-Thyristor, Halbleiter, Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung, Induktionskochfeld, Induktionsofen, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Kathode, Latch-Up-Effekt, Leistungs-MOSFET, Leistungselektronik, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Rundfunksender, Schaltnetzteil, Schaltverluste, Schutzdiode, Sendeanlage, Sperrspannung, Thyristor, Transistor, Unterbrechungsfreie Stromversorgung, Wechselrichter.

Ampere

Das Ampere mit Einheitenzeichen A, benannt nach dem französischen Mathematiker und Physiker André-Marie Ampère, ist die SI-Basiseinheit der elektrischen Stromstärke und zugleich SI-Einheit der abgeleiteten Größe „magnetische Durchflutung“.

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Antriebstechnik

Ausschnitt aus der Antriebseinheit einer alten Textilmaschine Die Antriebstechnik (engl. powertrain technology, drivetrain technology) ist eine technische Disziplin, die sich allgemein mit technischen Systemen zur Erzeugung von Bewegung mittels Kraftübertragung befasst.

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B. Jayant Baliga

B.

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Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Darlington-Schaltung

Darlington-Schaltung mit npn-Transistoren Die Darlington-Schaltung ist eine elektronische Schaltung aus zwei Bipolartransistoren, wobei der erste, kleinere Transistor als Emitterfolger auf die Basis des zweiten, größeren arbeitet.

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Diffusion

Modellhafte Darstellung der Durchmischung zweier Stoffe durch Diffusion Diffusion (lat. diffundere ‚ausgießen‘, ‚verstreuen‘, ‚ausbreiten‘) ist der ohne äußere Einwirkung eintretende Ausgleich von Konzentrationsunterschieden als natürlich ablaufender physikalischer Prozess aufgrund der brownschen Molekularbewegung.

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Dimmer

Schaltzeichen für einen Dimmer Als Dimmer bezeichnet man Thyristorsteller oder Triacsteller zur Steuerung der Helligkeit von Glühlampen wie Bühnen-Scheinwerfern, Leuchten oder Transformatoren für Niedervolt-Halogenglühlampen.

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Drehstrommaschine

Eine Drehstrommaschine wandelt mechanische Energie in Drehstrom oder Drehstrom in mechanische Energie um.

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Elektron

Das Elektron (von ‚ Bernstein‘, an dem Elektrizität zum ersten Mal beobachtet wurde; 1874 von Stoney und Helmholtz geprägt) ist ein negativ geladenes Elementarteilchen.

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Epitaxie

Typische Form einer epitaktischen Verwachsung von Cumengeit (tetragonale Pyramiden) auf Boleit-Würfeln Epitaktische Verwachsung von Nephelin auf Hämatit Sternförmige Epitaxie von Rutil auf Hämatit Epitaktische Verwachsung zweier Generationen Galenitkristalle bilden ein „Fischgrätmuster“ Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.

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Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren oder FETs sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.

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Frequenzumrichter

Ein Frequenzumrichter ist ein Stromrichter, der aus Wechselspannung eine in der Frequenz und Amplitude veränderbare Wechselspannung für die direkte Versorgung von elektrischen Maschinen wie Drehstrommotoren generiert.

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General Electric

Das Comcast Building in New York City Die US-amerikanische General Electric (GE, General Electric Company) ist einer der größten Mischkonzerne der Welt.

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Gleichspannungswandler

Ein Gleichspannungswandler, auch DC-DC-Wandler genannt,, bezeichnet eine elektrische Schaltung, die eine am Eingang zugeführte Gleichspannung in eine Gleichspannung mit höherem, niedrigerem oder invertiertem Spannungsniveau umwandelt.

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GTO-Thyristor

Der GTO-Thyristor ist ein Thyristor, der wie ein normaler Thyristor mit einem positiven Stromimpuls am Steuereingang – dem Gate – eingeschaltet werden kann.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung

Die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) ist ein Verfahren der elektrischen Energieübertragung mit hoher Gleichspannung.

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Induktionskochfeld

Ein Induktionskochfeld ist ein Kochfeld, bei dem das metallische Kochgeschirr durch induktiv erzeugte Wirbelströme sowie Ummagnetisierungsverluste erwärmt wird.

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Induktionsofen

Schnitt durch einen Induktionsofen, Tiegelbauform: 1 - Schmelze 2 - Wassergekühlter Induktor 3 - Blechpakete 4 - Tiegel Induktionsöfen sind Öfen mit denen Metalle mithilfe induktiver Erwärmung durch elektrischen Strom erwärmt und geschmolzen werden können.

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Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

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Kathode

Eine Kathode (auch Katode, von altgriechisch κάθοδος káthodos „Rückweg“, wörtlich „Weg nach unten“) eines Bauteils ist eine Elektrode, an der Elektronen einem Bauteil zugeführt werden.

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Latch-Up-Effekt

Der Fachbegriff Latch-Up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.

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Leistungs-MOSFET

SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).

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Leistungselektronik

Die Leistungselektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik, das sich mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden elektronischen Bauelementen beschäftigt.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET auch MOS-FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

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Rundfunksender

Sendemast 35-Kilowatt-Sender des US-Rundfunksenders KWNR Ein Rundfunksender (Rundfunksendeanlage) im technischen Sinne ist eine Sendeanlage zur Erzeugung und Abstrahlung von elektromagnetischen Wellen.

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Schaltnetzteil

Schaltnetzteil in einem DVD-Spieler PC-Schaltnetzteil im ATX-Format Ein Schaltnetzteil (SNT, auch SMPS von) oder Schaltnetzgerät ist eine elektronische Baugruppe, die eine unstabilisierte Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung umwandelt.

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Schaltverluste

Als Schaltverluste versteht man in der Elektronik, speziell in der Leistungselektronik und der Digitaltechnik, jene elektrischen Leistungen, die bei einem Halbleiterschalter während des Einschaltens und des Ausschaltens an diesem umgesetzt werden und somit als Verluste anfallen.

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Schutzdiode

Schutzdioden sind Halbleiterdioden, die zum Schutz vor Überspannungen und unerlaubten Spannungen eingesetzt werden.

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Sendeanlage

35-Kilowatt-Sender des Rundfunksenders KWNR Typischer Kurzwellensender eines Funkamateurs mit 100 Watt Sendeleistung. Als Frequenz ist das 40-Meter-Band eingestellt. Um einen solchen Sender betreiben zu dürfen, muss eine Prüfung abgelegt werden. Mit einem solchen Sender können Stationen auf der ganzen Welt erreicht werden. Eine Sendeanlage (kurz Sender, engl. Transmitter) ist eine Einrichtung zur Erzeugung und Abstrahlung von elektromagnetischen Wellen, die beispielsweise mit Sprache oder Musik moduliert sind.

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Sperrspannung

Strom-Spannungs-Charakteristik mit Durchbruchsbereich Die Sperrspannung (auch Einsatzspannung genannt) ist jene elektrische Spannung, welche über einem in Sperrrichtung gepolten p-n-Übergang anliegt.

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Thyristor

Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

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Unterbrechungsfreie Stromversorgung

Eine unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV), (UPS), wird eingesetzt, um bei Störungen im Stromnetz die Versorgung kritischer elektrischer Lasten sicherzustellen.

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Wechselrichter

Ein Wechselrichter (auch Inverter) ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung, also Gleichstrom in Wechselstrom umrichtet.

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Leitet hier um:

Bipolartransistor mit isolierter Gateelektrode, IGBT, Igbt, Insulated Gate Bipolar Transistor, Insulated gate bipolar transistor, Insulated-gate bipolar transistor.

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