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90 Beziehungen: Aluminium, Antimon, Arsen, Arsenwasserstoff, Bändermodell, Betastrahlung, Bindungselektron, Bipolartransistor, Bor, Bornitrid, Borphosphorsilicatglas, Bortribromid, Bubbler, Chemische Gasphasenabscheidung, Chromaluminiumoxide, Complementary metal-oxide-semiconductor, Defektelektron, Diboran, Diffusion, Diode, Elektrische Leitfähigkeit, Elektrische Stromrichtung, Elektrisches Feld, Elektrophorese, Epitaxie, Europium, Gallium, Galliumarsenid, Germanium, Gitterführungseffekt, Gleichrichter, Halbleiter, Halbleitertechnik, Halbwertszeit, Hauptgruppe, III-V-Verbindungshalbleiter, Indium, Indiumzinnoxid, Integrationsdichte, Integrierter Schaltkreis, Ion, Ionenimplantation, Ionenimplanter, Kelvin, Kohlenstoff, Kovalente Bindung, Kristallzüchtung, Lanthanoxid, Lasermedium, Legierung, ..., LSS-Theorie, Majoritätsladungsträger, Massenzahl, Materialwissenschaft und Werkstofftechnik, Materie (Physik), Minoritätsladungsträger, Monophosphan, Nd:YAG-Laser, Neodym, Neutronen-Transmutationsdotierung, Neutroneneinfang, Organische Halbleiter, P-n-Übergang, Parts per million, Phasendiagramm, Phosphor, Phosphoroxychlorid, Physikalische Gasphasenabscheidung, Polaron, Polyanilin, Rapid Thermal Processing, Raumladungszone, Resublimieren, Schmelzpunkt, Silicide, Silicium, Siliciumdioxid, Spacer (Halbleitertechnik), Störstelle, Stoß (Physik), Substitutionsreaktion, Teilchen, Tellur, Thermische Oxidation von Silizium, Thyristor, Triac, Vakuum, Valenzelektron, Yttrium-Aluminium-Granat, Zwischengitteratom. Erweitern Sie Index (40 mehr) »
Aluminium
Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.
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Antimon
Antimon (von lateinisch Antimonium, vermutlich von arabisch „al-ithmîd(un)“ (Antimonsulfid bzw. Stibnit)) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Sb (von ‚(Grau-)Spießglanz‘) und der Ordnungszahl 51.
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Arsen
Arsen ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol As und der Ordnungszahl 33.
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Arsenwasserstoff
Arsenwasserstoff (Monoarsan, Arsin, Arsenhydrid) ist eine chemische Verbindung aus den Elementen Arsen und Wasserstoff mit der Summenformel AsH3.
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Bändermodell
Das Bändermodell oder Energiebändermodell ist ein quantenmechanisches Modell zur Beschreibung von elektronischen Energiezuständen in einem idealen Einkristall.
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Betastrahlung
β−-Strahlung (Protonen rot, Neutronen blau)β+-Strahlung Betastrahlung oder β-Strahlung ist eine ionisierende Strahlung, die bei einem radioaktiven Zerfall, dem Betazerfall oder Betaübergang, auftritt.
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Bindungselektron
Bindungselektronen sind die Elektronen, die an einer kovalenten Bindung beteiligt sind.
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Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Bor
Bor ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol B und der Ordnungszahl 5.
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Bornitrid
Bornitrid, chemische Formel BN, ist eine Bor-Stickstoff-Verbindung, die in drei Modifikationen (α, β, γ) vorkommt.
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Borphosphorsilicatglas
Borphosphorsilicatglas ist ein mit je 3 bis 5 % Bor und Phosphor dotiertes Silicat-Glas, das in der Halbleitertechnik unter anderem zur Planarisierung der Oberfläche eingesetzt wird.
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Bortribromid
Bortribromid ist eine chemische Verbindung bestehend aus den Elementen Bor und Brom mit der Summenformel BBr3.
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Bubbler
Ein Bubbler bzw.
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Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
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Chromaluminiumoxide
Chromaluminiumoxide sind anorganische Verbindungen, die aus Aluminiumoxid (Al2O3) sowie wechselnden Mengen von Chrom(III)-oxid (Cr2O3) bestehen.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Defektelektron
Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
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Diboran
Diboran ist eine chemische Verbindung aus den Elementen Bor und Wasserstoff.
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Diffusion
Modellhafte Darstellung der Durchmischung zweier Stoffe durch Diffusion Diffusion (lateinisch diffusio, von „ausgießen“, „verstreuen“, „ausbreiten“) ist der ohne äußere Einwirkung eintretende Ausgleich von Konzentrationsunterschieden in Stoffgemischen als natürlich ablaufender physikalischer Prozess aufgrund der Eigenbewegung der beteiligten Teilchen.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Elektrische Leitfähigkeit
Die elektrische Leitfähigkeit, auch als Konduktivität oder EC-Wert (vom englischen electrical conductivity) bezeichnet, ist eine Stoffeigenschaft und physikalische Größe, die angibt wie gut elektrischer Strom geleitet wird.
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Elektrische Stromrichtung
Die elektrische Stromrichtung gibt die Richtung des elektrischen Stroms an.
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Elektrisches Feld
Eine nirgends angeschlossene Leuchtstofflampe in der Nähe einer Hochspannungsleitung leuchtet aufgrund des sich ständig ändernden elektrischen Feldes Das elektrische Feld ist ein physikalisches Feld, das durch die Coulombkraft auf elektrische Ladungen wirkt.
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Elektrophorese
PCR gewonnen wurden;(1) ist der Vater,(2) das Kind,(3) die Mutter. Elektrophorese (veraltet Kataphorese oder Anaphorese) bezeichnet die Wanderung geladener kolloidaler Teilchen oder gelöster geladener Moleküle durch ein elektrisches Feld.
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Epitaxie
Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.
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Europium
Europium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Eu und der Ordnungszahl 63.
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Gallium
Gallium ist ein selten vorkommendes chemisches Element mit dem Elementsymbol Ga und der Ordnungszahl 31.
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Germanium
Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.
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Gitterführungseffekt
Die Gitterführung bzw.
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Gleichrichter
Gleichrichter werden in der Elektrotechnik und Elektronik zur Umwandlung von Wechselspannung in ''Gleich''spannung verwendet.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Halbleitertechnik
Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt.
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Halbwertszeit
Exponentielle Abnahme einer Größe vom anfänglichen Wert N mit der Zeit t. Die Kurve folgt der Gleichung N(t).
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Hauptgruppe
In der Chemie bezeichnet man als Hauptgruppen diejenigen Gruppen des Periodensystems, die zum s- und p-Block des Periodensystems gehören.
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III-V-Verbindungshalbleiter
Hauptgruppe III/V aus dem Periodensystem Bei einem III-V-Verbindungshalbleiter handelt es sich um eine Verbindung von Materialien der chemischen Hauptgruppe III (Erdmetalle/Borgruppe) und V (Stickstoff-Phosphor-Gruppe), deren Kombination die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern besitzt.
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Indium
Indium ist ein chemisches Element mit dem Symbol In und der Ordnungszahl 49.
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Indiumzinnoxid
REM-Aufnahme einer Beschichtung von Indiumzinnoxid auf einer Glasplatte Indiumzinnoxid (englisch indium tin oxide, ITO) ist ein halbleitender, im sichtbaren Licht weitgehend transparenter Stoff.
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Integrationsdichte
Die Integrationsdichte (früher auch Packungsdichte) bezeichnet die Anzahl von Transistoren pro Flächeneinheit auf integrierten Schaltkreisen.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Ion
'''Lithium-Ion Li+''': Den drei rot gefärbten Protonen im übergroß dargestellten Atomkern stehen zwei blau dargestellte Elektronen gegenüber. Ein Ion ist ein elektrisch geladenes Atom oder Molekül.
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Ionenimplantation
Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt.
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Ionenimplanter
Ionenimplanter sind Maschinen, die Werkstoffe mit geladenen Teilchen (Ionen) beschießen und diese in ein Substrat einbringen (Ionenimplantation), um die Materialeigenschaften zu ändern.
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Kelvin
Das Kelvin (Einheitenzeichen: K) ist die SI-Basiseinheit der thermodynamischen Temperatur und zugleich gesetzliche Temperatureinheit in der EU, der Schweiz und fast allen anderen Ländern.
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Kohlenstoff
Kohlenstoff (von urgerm. kul-a-, kul-ō(n)-,Kohle‘) oder Carbon (von lat. carbō,Holzkohle‘, latinisiert Carboneum oder Carbonium) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol C und der Ordnungszahl 6.
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Kovalente Bindung
Kovalente Bindung (ältere Begriffe: Atombindung, Elektronenpaarbindung oder homöopolare Bindung) ist eine Form der chemischen Bindungen und als solche für den festen Zusammenhalt von Atomen in molekular aufgebauten chemischen Verbindungen ursächlich.
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Kristallzüchtung
Unter Kristallzüchtung (seltener auch Kristallzucht) wird die künstliche Herstellung von Kristallen verstanden.
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Lanthanoxid
Lanthanoxid ist das Oxid des Seltenerdmetalls Lanthan.
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Lasermedium
Prinzipskizze eines Lasers: 1. ''Lasermedium'' 2. Pumpenergie 3. Spiegel 4. Auskoppelspiegel 5. Laserstrahl Als Lasermedium (auch laseraktives Medium) wird ein Material bezeichnet, das sich zur Erzeugung von Laserlicht durch stimulierte Emission eignet.
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Legierung
Eine Legierung (von) ist in der Metallurgie ein makroskopisch homogener metallischer Werkstoff aus mindestens zwei Elementen (Komponenten), von denen mindestens eins ein Metall ist und die gemeinsam das metalltypische Merkmal der Metallbindung aufweisen.
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LSS-Theorie
Die LSS-Theorie (auch Lindhard-Scharff-Schiøtt-Theorie) ist eine Beschreibung der Wechselwirkung von energetischen Ionen mit (amorphen) Festkörpern von Jens Lindhard, Morten Scharff und Hans E. Schiøtt.
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Majoritätsladungsträger
Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger.
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Massenzahl
Die Massenzahl, Nukleonenzahl, Nukleonenanzahl, manchmal auch Kerngröße A ist die Anzahl der Nukleonen (Protonen und Neutronen), die den Atomkern eines Nuklids bilden.
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Materialwissenschaft und Werkstofftechnik
kristallografischen Ebenen, abgebildet mit dem Rasterelektronenmikroskop. Materialwissenschaft und Werkstofftechnik (kurz: MatWerk, auch: Werkstoffwissenschaft und Werkstoffkunde) ist ein interdisziplinäres Fachgebiet, das sich mit der Erforschung und Entwicklung von Materialien und Werkstoffen befasst; aus Werkstoffen werden technisch relevante Bauteile hergestellt.
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Materie (Physik)
Unter Materie (von) versteht man in der klassischen Physik und der Chemie alles, was Platz braucht und Masse hat, also etwa chemische Stoffe beziehungsweise Materialien sowie deren Bausteine.
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Minoritätsladungsträger
Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger.
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Monophosphan
Monophosphan, umgangssprachlich unpräzise als Phosphorwasserstoff oder veraltet als Phosphin bezeichnet, gehört zur Gruppe der Phosphane.
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Nd:YAG-Laser
Ein Nd:YAG-Laser (kurz für Neodym-dotierter Yttrium-Aluminium-Granat-Laser; sprich: Neodym-YAG-Laser) ist ein Festkörperlaser, der als aktives Medium einen Neodym-dotierten YAG-Kristall verwendet und meist infrarote Strahlung mit der Wellenlänge 1064 nm emittiert.
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Neodym
Neodym (Nomenklaturempfehlung war zeitweise Neodymium) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Nd und der Ordnungszahl 60.
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Neutronen-Transmutationsdotierung
Neutronen-Transmutationsdotierung (NTD, kurz n-Transmutationsdotierung oder „Neutronendotierung“) ist ein Verfahren, um in Silicium eine höchst homogene Dotierung mit Phosphor zu erreichen.
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Neutroneneinfang
Neutroneneinfang (Bezeichnung in der Kernphysik und Kerntechnik; engl. neutron capture) oder Neutronenanlagerung (Bezeichnung in der Astrophysik) ist im engeren Sinne eine Kernreaktion, bei der ein Atomkern ein Neutron absorbiert, ohne dass dabei Teilchen mit Masse freigesetzt werden.
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Organische Halbleiter
Organische Halbleiter sind Halbleiter, die auf organischen Materialien basieren und in besonderen elektronischen Bauelementen verwendet werden.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Parts per million
Eine Angabe Parts per million steht für einen Faktor 10−6 oder für ein Millionstel.
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Phasendiagramm
Phasendiagramme von Reinstoffen in der Druck-Temperatur-Ebene. Oben: „normales“ Verhalten – die Schmelzdruckkurve zwischen fester und flüssiger Phase hat eine positive Steigung. Unten: Reinstoff mit Dichteanomalie wie etwa Wasser– die Schmelzdruckkurve zwischen fester und flüssiger Phase hat eine negative Steigung. Zustandsfläche eines Reinstoffes im Druck-Volumen-Temperatur-Zustandsraum. Eine aus Siede- und Kondensationskurve bestehende Binodale umschließt das blau kolorierte Koexistenzgebiet flüssig-gasförmig und erscheint in die Druck-Temperatur-Ebene projiziert als Tripelpunkt und kritischen Punkt verbindende Dampfdruckkurve. Ein Phasendiagramm (auch Zustandsdiagramm, Zustandsschaubild oder Gleichgewichtsschaubild) ist eine Projektion von Phasengrenzlinien aus dem Zustandsraum eines thermodynamischen Systems in ein zweidimensionales kartesisches Koordinatensystem oder in ein Dreiecksdiagramm.
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Phosphor
Phosphor (von, vom Leuchten des weißen Phosphors bei der Reaktion mit Sauerstoff) ist ein chemisches Element mit dem Symbol P und der Ordnungszahl 15.
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Phosphoroxychlorid
Phosphoroxychlorid ist eine giftige, an der Luft stark rauchende Flüssigkeit, die formal das Trichlorid der Phosphorsäure darstellt.
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Physikalische Gasphasenabscheidung
Der Begriff physikalische Gasphasenabscheidung (kurz PVD), selten auch physikalische Dampfphasenabscheidung, bezeichnet eine Gruppe von vakuumbasierten Beschichtungsverfahren bzw.
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Polaron
Atomrümpfe dagegen angezogen. Die Polaronen bezeichnen spezielle Quasiteilchen, die sich aufgrund der lokalen Polarisation des Kristallgitters durch geladene Teilchen bilden.
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Polyanilin
Polyanilin, Kurzzeichen PAni oder PANI, ist ein leitfähiges Polymer.
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Rapid Thermal Processing
Rapid Thermal Processing (dt.: schnelle thermische Bearbeitung) ist ein Überbegriff für die Bearbeitung von Wafern in einem Hochtemperaturprozess, bei dem eine sehr rasche Erhitzung des Wafers mit Halogenlampen erzielt wird.
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Raumladungszone
Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.
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Resublimieren
Phasendiagramm eines „gewöhnlichen“ Stoffes und des Wassers Übersicht der Phasenübergänge des Wassers Als Resublimieren werden verschiedene Vorgänge bezeichnet.
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Schmelzpunkt
Als Schmelztemperatur (vulgo Schmelzpunkt (Smp.), engl. Melting point (Mp.)) bezeichnet man die Temperatur, bei der ein Stoff schmilzt, das heißt vom festen in den flüssigen Aggregatzustand übergeht.
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Silicide
Silicide sind binäre metallische Verbindungen des Siliciums und werden meist den intermetallischen Verbindungen zugerechnet.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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Spacer (Halbleitertechnik)
Spacer-Bildung an einer beliebigen vorhandenen Struktur durch konforme Abscheidung und anschließender anisotroper Ätzung einer Schicht. Querschnitt durch einen IC auf einem Silicon-on-Sapphire-Substrat. Dabei ist seitlich am Gate-Schichtstapel ein einfacher Spacer dargestellt Als Spacer (engl. für ‚Abstandshalter, Platzhalter, Abstandsstück‘), auch sidewall spacer genannt, werden in der Halbleitertechnik dünne Schichten an einer Seitenwand bzw.
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Störstelle
Als Störstelle wird in der Festkörperphysik und Werkstoffwissenschaft ein fehlendes Atom (Leerstellen) oder ein Substitutionsatom (nulldimensionale Gitterfehler) in einem (hochreinen) Kristall bezeichnet, das heißt, sie sind eine Störung der regulären Kristallgitterstruktur.
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Stoß (Physik)
Ein Stoß ist ein Vorgang, bei dem zwei oder mehr Körper kurzzeitig Kraft aufeinander ausüben.
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Substitutionsreaktion
In der Chemie bezeichnet die Substitution (spätlateinisch substituere: ersetzen) eine chemische Reaktion, bei der Atome oder Atomgruppen in einem Molekül durch ein anderes Atom oder eine andere Atomgruppe ersetzt werden.
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Teilchen
In der Physik bezeichnet man als Teilchen einen Körper, der klein gegenüber dem Maßstab des betrachteten Systems ist.
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Tellur
Tellur (lat. tellus „Erde“) ist ein seltenes chemisches Element mit dem Elementsymbol Te und der Ordnungszahl 52.
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Thermische Oxidation von Silizium
Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird.
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Thyristor
Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.
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Triac
Triac ist eine englische Abkürzung für triode for alternating current.
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Vakuum
Otto von Guericke demonstrierte 1657 die Wirkung von Vakuum mit seinen Magdeburger Halbkugeln Der äußere Luftdruck presst die Magdeburger Halbkugeln zusammen a) Halbkugeln mit Luft gefüllt b) luftleere Halbkugeln 1. Griff 2. luftdichte Abdichtung 3. Magdeburger Halbkugel 4. Luftdruck 5. (weitgehend) Vakuum Glasglocke mit Kolben-Vakuumpumpe für Schulversuche Vakuum ist in der technischen Praxis ein Raum mit weitgehender Abwesenheit von Materie.
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Valenzelektron
Valenzelektronen (oft auch Außenelektronen genannt) sind in der Chemie die Elektronen, die sich in den äußersten Atomorbitalen aufhalten und sich an Bindungen („Valenzen“) zwischen Atomen beteiligen können.
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Yttrium-Aluminium-Granat
Yttrium-Aluminium-Granat (kurz YAG) ist eine künstlich hergestellte kristalline Verbindung mit der chemischen Zusammensetzung Y3Al5O12.
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Zwischengitteratom
Punktdefekte in einem zweidimensionalen Kristallgitter u. a. mit einem Eigenzwischengitteratom (oben links) Als Zwischengitteratome werden Atome oder Ionen bezeichnet, die sich im Atomgitter einer Kristallstruktur nicht auf einem regulären Gitterplatz befinden.
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Leitet hier um:
Dotant, Dotieren, Dotierter Halbleiter, N-Dotierung, N-dotiert, P-Dotierung, P-dotiert.
