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29 Beziehungen: Ampere, Bipolarer Leistungstransistor, Bipolartransistor, Diode, Durchkontaktierung, Elektrische Feldstärke, Epitaxie, Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor, Halbleiterhersteller, Integrierter Schaltkreis, Ionenimplantation, Lawinendurchbruch, Leistungs-MOSFET, Leistungselektronik, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Pulsdauermodulation, RDSON, Schaltfrequenz, Schaltnetzteil, Schaltverluste, Snubber, SOAR-Diagramm, Surface-mounted device, Temperaturkoeffizient, Verstärker (Elektrotechnik), Volt, Wechselrichter, Zweiter Durchbruch.
Ampere
Das Ampere mit Einheitenzeichen A, benannt nach dem französischen Mathematiker und Physiker André-Marie Ampère, ist die SI-Basiseinheit der elektrischen Stromstärke und zugleich SI-Einheit der abgeleiteten Größe magnetische Durchflutung.
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Bipolarer Leistungstransistor
Ein Leistungsbipolartransistor (engl. bipolar power transistor auch power bipolar junction transistor, Power BJT) ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von ca. einem Kubikzentimeter).
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Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Durchkontaktierung
Nahaufnahme einer Durchkontaktierung Eine Durchkontaktierung (ugs. Durchsteiger, kurz DuKo) ist eine vertikale elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnebenen einer Leiterplatte.
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Elektrische Feldstärke
Die physikalische Größe elektrische Feldstärke beschreibt die Stärke und Richtung eines elektrischen Feldes, also die Fähigkeit dieses Feldes, Kraft auf Ladungen auszuüben.
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Epitaxie
Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.
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Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor
Ein fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor (auch fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor, abgekürzt FREDFET oder FredFET) ist ein spezieller Leistungsfeldeffekttransistor, welcher besonders zum Schalten von induktiven Lasten (Transformatoren, Elektromotoren) in Vollbrückenschaltung (Vierquadrantensteller oder quasi-resonante Gegentakt-Schaltnetzteile) geeignet ist.
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Halbleiterhersteller
Video: So werden Mikrochips hergestellt Ein Halbleiterhersteller ist ein Unternehmen, das auf Halbleiter basierende elektronische Bauteile herstellt, entweder integrierte Schaltungen (IC) oder einzelne Bauelemente wie Dioden und Transistoren (diskrete Halbleiter).
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Ionenimplantation
Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt.
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Lawinendurchbruch
I-U-Kennlinien von Z-Dioden. Zener- und Lawinendurchbruch im linken unteren Quadranten. Der Lawinendurchbruch, auch Avalanche-Durchbruch (von englisch avalanche, Lawine) genannt, ist in der Elektronik eine der drei Durchbruchsarten bei Halbleiterbauelementen.
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Leistungs-MOSFET
SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).
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Leistungselektronik
Die Leistungselektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik, das sich mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden elektronischen Bauelementen beschäftigt.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Pulsdauermodulation
Die Pulsdauermodulation – kurz PDM; auch Pulslängenmodulation (PLM), Pulsbreitenmodulation (PBM), Pulsweitenmodulation (PWM; abgelehnt in IEC 60050IEC 60050, siehe, auch englisch) und Unterschwingungsverfahren genannt – ist eine Modulationsart, bei der eine technische Größe (z. B. elektrische Spannung) zwischen zwei Werten wechselt.
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RDSON
RDSON ist eine unter Elektronikern „umgangssprachliche“ Bezeichnung für den Einschaltwiderstand oder auch einen minimalen Durchgangswiderstand eines Feldeffekttransistors.
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Schaltfrequenz
Die Schaltfrequenz (mit der SI-Einheit: Hz) gibt die Anzahl von Ein- und Ausschaltvorgängen eines elektronischen Bauelementes oder einer Schaltung pro Zeitintervall an.
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Schaltnetzteil
Schaltnetzteil in einem DVD-Spieler PC-Schaltnetzteil im ATX-Format Ein Schaltnetzteil (SNT, auch SMPS von) oder Schaltnetzgerät ist eine elektronische Baugruppe, die eine unstabilisierte Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung umwandelt.
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Schaltverluste
Als Schaltverluste versteht man in der Elektronik, speziell in der Leistungselektronik und der Digitaltechnik, jene elektrischen Leistungen, die bei einem Halbleiterschalter während des Einschaltens und des Ausschaltens an diesem umgesetzt werden und somit als Verluste anfallen.
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Snubber
Das aus dem Englischen stammende Wort Snubber bezeichnet eine Einrichtung zur Dämpfung unerwünschter Schwingungen und Überspannungsspitzen in der Elektrotechnik und Elektronik.
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SOAR-Diagramm
Das SOAR-Diagramm (Safe Operating Area) gibt den sicheren Arbeitsbereich für Leistungstransistoren, Triacs und Thyristoren an.
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Surface-mounted device
Surface-mounted device (SMD, deutsch: oberflächenmontiertes Bauelement) ist ein englischsprachiger Fachbegriff aus der Elektronik.
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Temperaturkoeffizient
Ein Temperaturkoeffizient (Temperaturbeiwert) beschreibt die relative Änderung einer jeweils bestimmten physikalischen Größe bei Änderung der Temperatur gegenüber einer festgelegten Referenztemperatur.
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Verstärker (Elektrotechnik)
Ein Verstärker ist eine elektronische Baugruppe mit mindestens einem aktiven Bauelement (meist einem Transistor, einem integrierten Operationsverstärker, vereinzelt auch einer Röhre), welche ein eingehendes Analogsignal so verarbeitet, dass die Ausgangsgröße größer wird als die Eingangsgröße.
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Volt
Das Volt ist die SI-Einheit der elektrischen Spannung.
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Wechselrichter
Wechselrichter von 24 V Gleichspannung auf 230 V 50 Hz Wechselspannung, ca. 3 kW, ca. 250 mm breit Wechselrichter Ein Wechselrichter (auch Inverter oder Drehrichter) ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung umwandelt.
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Zweiter Durchbruch
Betriebsgrenzen eines pnp-Darlingtonleistungs- transistors Typ BDV66C; Jede Kombination zwischen Kollektor-Emitter-Spannung und Transferstrom unterhalb der Linie ist erlaubt. Als zweiter Durchbruch wird eine besondere Form der Überlastung eines Bipolartransistors durch zu hohe Spannung (Sperrspannung über der Kollektor-Emitter-Strecke) bezeichnet.
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Leitet hier um:
DMOS, Leistungsfeldeffekttransistor, Power MOSFET, UMOS, VMOS.
