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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Leistungselektronik

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Leistungselektronik

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode vs. Leistungselektronik

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Die Leistungselektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik, das sich mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden elektronischen Bauelementen beschäftigt.

Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Leistungselektronik

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Leistungselektronik haben 17 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Ampere, Antriebstechnik, Bipolartransistor, Dimmer, Frequenzumrichter, General Electric, Gleichspannungswandler, GTO-Thyristor, Halbleiter, Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung, Kathode, Leistungs-MOSFET, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Schaltnetzteil, Sendeanlage, Thyristor, Wechselrichter.

Ampere

Das Ampere mit Einheitenzeichen A, benannt nach dem französischen Mathematiker und Physiker André-Marie Ampère, ist die SI-Basiseinheit der elektrischen Stromstärke und zugleich SI-Einheit der abgeleiteten Größe magnetische Durchflutung.

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Antriebstechnik

Antriebseinheit eines Subaru Liberty, bestehend aus Motor, Antriebsstrang und Kraftübertragung auf die Räder, ausgestellt auf der „2010 Australian International Motor Show“, Sydney, New South Wales, Australien Die Antriebstechnik ist eine technische Disziplin, die sich allgemein mit technischen Systemen zur Erzeugung von Bewegung mittels Kraftübertragung befasst.

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Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Dimmer

Schaltzeichen für einen Dimmer Als Dimmer bezeichnet man Thyristorsteller oder Triacsteller zur Steuerung der Helligkeit von Glühlampen wie Bühnen-Scheinwerfern, Leuchten oder Transformatoren für Niedervolt-Halogenglühlampen.

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Frequenzumrichter

Ein Frequenzumrichter ist ein Stromrichter, der aus der speisenden Wechselspannung eine andere Wechselspannung erzeugt.

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General Electric

Das Comcast Building in New York City Die US-amerikanische General Electric (GE, General Electric Company) ist einer der größten Mischkonzerne der Welt.

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Gleichspannungswandler

Ein Gleichspannungswandler, auch DC-DC-Wandler genannt,, bezeichnet eine elektrische Schaltung, die eine am Eingang zugeführte Gleichspannung in eine Gleichspannung mit höherem, niedrigerem oder invertiertem Spannungsniveau umwandelt.

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GTO-Thyristor

Der GTO-Thyristor ist ein Thyristor, der wie ein normaler Thyristor mit einem positiven Stromimpuls am Steuereingang – dem Gate – eingeschaltet werden kann.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung

geplant Die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) ist ein Verfahren der elektrischen Energieübertragung mit hoher Gleichspannung.

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Kathode

Eine Kathode (von altgriechisch κάθοδος káthodos „Rückweg“, wörtlich „Weg nach unten“), auch Katode, ist eine Elektrode, durch die Elektronen einem Raum, meist einem Bauteil, zugeführt werden.

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Leistungs-MOSFET

SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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Schaltnetzteil

Schaltnetzteil in einem DVD-Spieler PC-Schaltnetzteil im ATX-Format Ein Schaltnetzteil (SNT, auch SMPS von) oder Schaltnetzgerät ist eine elektronische Baugruppe, die eine unstabilisierte Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung umwandelt.

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Sendeanlage

35-Kilowatt-Sender des Rundfunksenders KWNR Typischer Kurzwellensender eines Funkamateurs mit 100 Watt Sendeleistung. Als Frequenz ist das 40-Meter-Band eingestellt. Um einen solchen Sender betreiben zu dürfen, muss eine Prüfung abgelegt werden. Mit einem solchen Sender können Stationen auf der ganzen Welt erreicht werden. Eine Sendeanlage (kurz Sender) ist im Fernmeldewesen eine Einrichtung zur Erzeugung und Abstrahlung von elektromagnetischen Wellen, die mit Informationen moduliert sind.

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Thyristor

Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.

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Wechselrichter

Wechselrichter von 24 V Gleichspannung auf 230 V 50 Hz Wechselspannung, ca. 3 kW, ca. 250 mm breit Wechselrichter Ein Wechselrichter (auch Inverter oder Drehrichter) ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung umwandelt.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Leistungselektronik

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während Leistungselektronik hat 89. Als sie gemeinsam 17 haben, ist der Jaccard Index 13.39% = 17 / (38 + 89).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Leistungselektronik. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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