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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Sperrspannung

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Sperrspannung

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode vs. Sperrspannung

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Strom-Spannungs-Charakteristik mit Durchbruchsbereich Die Sperrspannung (auch Einsatzspannung genannt) ist jene elektrische Spannung, welche über einem in Sperrrichtung gepolten p-n-Übergang anliegt.

Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Sperrspannung

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Sperrspannung haben 3 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Halbleiter, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang.

Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Halbleiter · Halbleiter und Sperrspannung · Mehr sehen »

Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und P-n-Übergang · P-n-Übergang und Sperrspannung · Mehr sehen »

Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Sperrspannung

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während Sperrspannung hat 15. Als sie gemeinsam 3 haben, ist der Jaccard Index 5.66% = 3 / (38 + 15).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Sperrspannung. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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