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Epitaxie

Index Epitaxie

Typische Form einer epitaktischen Verwachsung von Cumengeit (tetragonale Pyramiden) auf Boleit-Würfeln Epitaktische Verwachsung von Nephelin auf Hämatit Sternförmige Epitaxie von Rutil auf Hämatit Epitaktische Verwachsung zweier Generationen Galenitkristalle bilden ein „Fischgrätmuster“ Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.

40 Beziehungen: Absolute Temperatur, Adsorption, Arrheniusgraph, Arsenwasserstoff, Atomlagenabscheidung, Boleit, Chemische Gasphasenabscheidung, Cumengeit, Czochralski-Verfahren, Desorption, Diboran, Dichlorsilan, Diffusion, Epitaxialtransistor, Feldspat, Flüssigphasenepitaxie, Galliumarsenid, Halbleitertechnik, Hämatit, Hydridgasphasenepitaxie, Ionenimplantation, Ionenstrahlgestützte Deposition, Kristall, Kristallisation, Kristallographie, Metallorganische Gasphasenepitaxie, Mikroelektronik, Mineral, Molekularstrahlepitaxie, Monophosphan, Physikalische Gasphasenabscheidung, Quarz, Rutil, Saphir, Schichtwachstum, Schriftgranit, Silane, Silicon-on-Insulator, Substrat (Materialwissenschaft), Trichlorsilan.

Absolute Temperatur

Absolute Temperatur, auch thermodynamische Temperatur, ist eine Temperaturskala, die sich auf den physikalisch begründeten absoluten Nullpunkt bezieht.

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Adsorption

Als Adsorption (von, von adsorbere „(an)saugen“) bezeichnet man die Anreicherung von Stoffen aus Gasen oder Flüssigkeiten an der Oberfläche eines Festkörpers, allgemeiner an der Grenzfläche zwischen zwei Phasen.

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Arrheniusgraph

Als Arrheniusgraphen (auch Arrheniusdarstellung oder Arrheniusplot) bezeichnet man eine graphische Darstellung, bei der die Werte einer Messgröße (z. B. die Geschwindigkeitskonstante einer chemischen Reaktion) logarithmisch gegen den Kehrwert der Temperatur aufgetragen werden.

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Arsenwasserstoff

Arsenwasserstoff (Monoarsan, Arsin, Arsenhydrid) ist eine chemische Verbindung aus den Elementen Arsen und Wasserstoff mit der Summenformel AsH3.

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Atomlagenabscheidung

Die Atomlagenabscheidung (ALD) ist ein Verfahren zur Abscheidung von dünnen Schichten auf einem Ausgangsmaterial.

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Boleit

Boleit ist ein selten vorkommendes Mineral aus der Mineralklasse der „Halogenide“.

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Chemische Gasphasenabscheidung

Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren, welche unter anderem bei der Herstellung von mikroelektronischen Bauelementen und Lichtwellenleitern eingesetzt werden.

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Cumengeit

Cumengeit (gelegentlich auch Cumengit) ist ein sehr selten vorkommendes Mineral aus der Mineralklasse der Halogenide.

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Czochralski-Verfahren

Das Czochralski-Verfahren ist ein Verfahren der Werkstofftechnik zur Herstellung von einkristallinen Werkstoffen (Kristallzüchtung).

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Desorption

Desorption (aus dem lat. de-sorbere; sorbere: (auf-)saugen) bezeichnet den Vorgang, bei dem Atome oder Moleküle die Oberfläche eines Festkörpers verlassen (Umkehrvorgang: Adsorption) bzw.

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Diboran

Diboran ist eine chemische Verbindung aus den Elementen Bor und Wasserstoff.

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Dichlorsilan

Dichlorsilan ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der chlorierten Silane.

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Diffusion

Modellhafte Darstellung der Durchmischung zweier Stoffe durch Diffusion Diffusion (lat. diffundere ‚ausgießen‘, ‚verstreuen‘, ‚ausbreiten‘) ist der ohne äußere Einwirkung eintretende Ausgleich von Konzentrationsunterschieden als natürlich ablaufender physikalischer Prozess aufgrund der brownschen Molekularbewegung.

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Epitaxialtransistor

Als Epitaxialtransistor, auch epitaktischer Transistor oder Epitaxietransistor, wird allgemein ein Transistor mit einer oder mehr epitaktisch abgeschiedenen Schichten bezeichnet.

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Feldspat

Als Feldspat wird eine große Gruppe sehr häufig vorkommender Silikat-Minerale der allgemeinen chemischen Zusammensetzung (Ba,Ca,Na,K,NH4)(Al,B,Si)4O8 bezeichnet.

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Flüssigphasenepitaxie

Flüssigphasenepitaxie (LPE) ist ein chemisches Epitaxieverfahren, zur Herstellung von einkristallinen dünnen Schichten auf einem einkristallinen Substrat aus einer Lösung.

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Galliumarsenid

Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.

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Halbleitertechnik

Integrierter Schaltkreis. Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, welche die elektrische Verdrahtung zwischen IC und den Gehäusekontakten bildet. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit dem Entwurf und Fertigung von Produkten auf Basis von Halbleitermaterialien beschäftigt, vor allem mikroelektronische Baugruppen (z. B. integrierte Schaltungen).

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Hämatit

Hämatit oder Blutstein, auch als Eisenglanz, Specularit, Roteisenstein und Roteisenerz bekannt, ist ein sehr häufig vorkommendes Mineral aus der Mineralklasse der Oxide (und Hydroxide) mit der Summenformel Fe2O3 und die häufigste natürlich auftretende Modifikation des Eisen(III)-oxids.

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Hydridgasphasenepitaxie

Hydridgasphasenepitaxie (HVPE) ist ein epitaktisches Beschichtungsverfahren.

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Ionenimplantation

Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt.

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Ionenstrahlgestützte Deposition

Die ionenstrahlgestützte Deposition, auch ionenstrahlgestützte Abscheidung, ionenstrahlgestützte Beschichtung oder ionenstrahlgestützte Beschichtungstechnik genannt, (IBAD) ist ein Beschichtungsverfahren aus der Gruppe der physikalischen Gasphasenabscheidung.

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Kristall

Nanometer. Ein Kristall ist ein Festkörper, dessen Bausteine – z. B.

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Kristallisation

Eiskristalle bilden sich bei hoher Luftfeuchtigkeit und niedriger Temperatur Umkristallisation im Labor: Benzophenoxim kristallisiert aus mini Als Kristallisation bezeichnet man den physikalischen Vorgang der Verhärtung bei der Bildung und beim Wachstum von Kristallen.

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Kristallographie

Die Kristallographie (alternative Schreibung Kristallografie) oder Kristallkunde ist die Wissenschaft von den Kristallen, ihrer Struktur, Entstehung oder Herstellung und ihrer Eigenschaften und Anwendungsmöglichkeiten.

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Metallorganische Gasphasenepitaxie

Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten.

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Mikroelektronik

Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik.

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Mineral

Kuben gewachsen ist. Ein Mineral (aus mittellat. aes minerale „Grubenerz“, im 16. Jahrhundert nach französischem Vorbild geprägt) ist ein Element oder eine chemische Verbindung, die im Allgemeinen kristallin und durch geologische Prozesse gebildet worden ist.

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Molekularstrahlepitaxie

Molekularstrahlepitaxie (MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen.

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Monophosphan

Monophosphan, umgangssprachlich etwas unpräzise als Phosphorwasserstoff oder veraltet als Phosphin bezeichnet, gehört zur Gruppe der Phosphane.

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Physikalische Gasphasenabscheidung

Der Begriff physikalische Gasphasenabscheidung (kurz PVD), selten auch physikalische Dampfphasenabscheidung, bezeichnet eine Gruppe von vakuumbasierten Beschichtungsverfahren bzw.

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Quarz

Quarz, auch Tiefquarz oder α-Quarz genannt, ist ein Mineral mit der chemischen Zusammensetzung SiO2 und trigonaler Symmetrie.

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Rutil

Rutil ist ein häufig vorkommendes Mineral aus der Mineralklasse der „Oxide und Hydroxide“. Er kristallisiert im tetragonalen Kristallsystem mit der chemischen Zusammensetzung TiO2 und entwickelt meist kurz- bis langprismatische, vertikal gestreifte Kristalle und sehr häufig Kristallzwillinge in Form polysynthetischer, lamellarer und zyklischer Drillinge, Vierlinge und Sechslinge, aber auch körnige bis massige Mineral-Aggregate. Die meisten Rutilkristalle sind zwischen einigen Millimetern und wenigen Zentimetern groß. Es konnten aber auch Kristalle von bis zu 25 cm Länge gefunden werden.

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Saphir

Saphir, auch Safir, ist eine Varietät des Minerals Korund.

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Schichtwachstum

Unter Schichtwachstum versteht man in der Oberflächenchemie das Wachstum von Monolagen auf eine Phasengrenze.

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Schriftgranit

Schriftgranit. Fundort: unbekannt. Bildbreite: 7 cm. Die kleinen grauen kristallografisch regelmäßig ausgerichteten Quarzkristalle sind in einem weißen Feldspatkristall ausgerichtet Als Schriftgranit (synonym Runit und Pegmatit) wird ein meist granitisches oder syenitisches magmatisches Gestein mit einem besonderen Gefüge genannt, das durch regelmäßige, so genannte graphische Verwachsungen eutektisches Gefüge von Quarz und Feldspat gekennzeichnet ist.

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Silane

Die Bezeichnung Silane steht nach den IUPAC-Regeln für eine Stoffgruppe chemischer Verbindungen, die aus einem Silicium-Grundgerüst und Wasserstoff bestehen.

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Silicon-on-Insulator

Der englische Begriff Silicon-on-Insulator (SOI, deutsch »Silizium auf einem Isolator«) bezeichnet einen speziellen Isolierschicht-Feldeffekttransistor bei dem eine dünne Siliziumschicht (SOI) durch eine isolierende Schicht (meist buried-oxide, BOX, dt. »vergrabenes Oxid«, genannt) vom Silizium-Substrat getrennt ist.

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Substrat (Materialwissenschaft)

In der Materialwissenschaft ist das Substrat das zu behandelnde Material.

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Trichlorsilan

Trichlorsilan (auch Trichlormonosilan oder Siliciumchloroform genannt) ist eine Verbindung aus der Gruppe der Halogensilane.

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Leitet hier um:

Epitaktisch, Heteroepitaxie, Homoepitaxie.

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