Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor haben 15 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Dimmer, Dotierung, Feldeffekttransistor, Frequenzumrichter, General Electric, GTO-Thyristor, Halbleiter, Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung, Kathode, Latch-up-Effekt, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Schaltverluste, Transistor.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Dimmer
Schaltzeichen für einen Dimmer Als Dimmer bezeichnet man Thyristorsteller oder Triacsteller zur Steuerung der Helligkeit von Glühlampen wie Bühnen-Scheinwerfern, Leuchten oder Transformatoren für Niedervolt-Halogenglühlampen.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Frequenzumrichter
Ein Frequenzumrichter ist ein Stromrichter, der aus der speisenden Wechselspannung eine andere Wechselspannung erzeugt.
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General Electric
Das Comcast Building in New York City Die US-amerikanische General Electric (GE, General Electric Company) ist einer der größten Mischkonzerne der Welt.
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GTO-Thyristor
Der GTO-Thyristor ist ein Thyristor, der wie ein normaler Thyristor mit einem positiven Stromimpuls am Steuereingang – dem Gate – eingeschaltet werden kann.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung
geplant Die Hochspannungs-Gleichstrom-Übertragung (HGÜ) ist ein Verfahren der elektrischen Energieübertragung mit hoher Gleichspannung.
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Kathode
Eine Kathode (von altgriechisch κάθοδος káthodos „Rückweg“, wörtlich „Weg nach unten“), auch Katode, ist eine Elektrode, durch die Elektronen einem Raum, meist einem Bauteil, zugeführt werden.
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Latch-up-Effekt
Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Schaltverluste
Als Schaltverluste versteht man in der Elektronik, speziell in der Leistungselektronik und der Digitaltechnik, jene elektrischen Leistungen, die bei einem Halbleiterschalter während des Einschaltens und des Ausschaltens an diesem umgesetzt werden und somit als Verluste anfallen.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor
- Was es gemein hat Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor
- Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor
Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während Thyristor hat 70. Als sie gemeinsam 15 haben, ist der Jaccard Index 13.89% = 15 / (38 + 70).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
