Logo
Unionpedia
Kommunikation
Jetzt bei Google Play
Neu! Laden Sie Unionpedia auf Ihrem Android™-Gerät herunter!
Frei
Schneller Zugriff als Browser!
 

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Gleichspannungswandler

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Gleichspannungswandler

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode vs. Gleichspannungswandler

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt. Ein Gleichspannungswandler, auch DC-DC-Wandler genannt,, bezeichnet eine elektrische Schaltung, die eine am Eingang zugeführte Gleichspannung in eine Gleichspannung mit höherem, niedrigerem oder invertiertem Spannungsniveau umwandelt.

Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Gleichspannungswandler

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Gleichspannungswandler haben 6 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Antriebstechnik, Leistungs-MOSFET, Schaltnetzteil, Schaltverluste, Thyristor, Wechselrichter.

Antriebstechnik

Antriebseinheit eines Subaru Liberty, bestehend aus Motor, Antriebsstrang und Kraftübertragung auf die Räder, ausgestellt auf der „2010 Australian International Motor Show“, Sydney, New South Wales, Australien Die Antriebstechnik ist eine technische Disziplin, die sich allgemein mit technischen Systemen zur Erzeugung von Bewegung mittels Kraftübertragung befasst.

Antriebstechnik und Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode · Antriebstechnik und Gleichspannungswandler · Mehr sehen »

Leistungs-MOSFET

SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Leistungs-MOSFET · Gleichspannungswandler und Leistungs-MOSFET · Mehr sehen »

Schaltnetzteil

Schaltnetzteil in einem DVD-Spieler PC-Schaltnetzteil im ATX-Format Ein Schaltnetzteil (SNT, auch SMPS von) oder Schaltnetzgerät ist eine elektronische Baugruppe, die eine unstabilisierte Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung umwandelt.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schaltnetzteil · Gleichspannungswandler und Schaltnetzteil · Mehr sehen »

Schaltverluste

Als Schaltverluste versteht man in der Elektronik, speziell in der Leistungselektronik und der Digitaltechnik, jene elektrischen Leistungen, die bei einem Halbleiterschalter während des Einschaltens und des Ausschaltens an diesem umgesetzt werden und somit als Verluste anfallen.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schaltverluste · Gleichspannungswandler und Schaltverluste · Mehr sehen »

Thyristor

Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Thyristor · Gleichspannungswandler und Thyristor · Mehr sehen »

Wechselrichter

Wechselrichter von 24 V Gleichspannung auf 230 V 50 Hz Wechselspannung, ca. 3 kW, ca. 250 mm breit Wechselrichter Ein Wechselrichter (auch Inverter oder Drehrichter) ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung umwandelt.

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Wechselrichter · Gleichspannungswandler und Wechselrichter · Mehr sehen »

Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Gleichspannungswandler

Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während Gleichspannungswandler hat 64. Als sie gemeinsam 6 haben, ist der Jaccard Index 5.88% = 6 / (38 + 64).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Gleichspannungswandler. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

Hallo! Wir sind auf Facebook! »