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Feldeffekttransistor

Index Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren oder FETs sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.

62 Beziehungen: Automobilfertigung, Ägypten, Bell Laboratories, Bipolartransistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor, Dawon Kahng, Defektelektron, Deutsches Patent- und Markenamt, Digitaltechnik, Dotierung, Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor, Elektrischer Strom, Elektrischer Widerstand, Elektrisches Feld, Elektron, Elektronenröhre, Enzymfeldeffekttransistor, Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor, Fertigungsverfahren, Germanium, Halbleiter, Halbleitertechnik, Heinrich Welker, Herbert Mataré, High-electron-mobility transistor, Hochfrequenztechnik, Inversion (Halbleiter), Ionensensitiver Feldeffekttransistor, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Joseph Weber (Physiker), Julius Edgar Lilienfeld, Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor, Ladungsträger (Physik), Leistungs-MOSFET, Leitfähigkeit, Liste von Halbleitergehäusen, Martin M. Atalla, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, NIGFET, Organischer Feldeffekttransistor, Oskar Heil, P-n-Übergang, Planartechnik, Pulsweitenmodulation, Raumladungszone, Robert Wichard Pohl, Rudolf Hilsch, ..., Südkorea, Schaltfrequenz, Schaltzeichen, Silicium, Siliciumdioxid, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Steilheit, Thermische Oxidation von Silizium, Transistor, Transistorgrundschaltungen, Walter Houser Brattain, William Bradford Shockley. Erweitern Sie Index (12 mehr) »

Automobilfertigung

Automobilfertigung bezeichnet die industrielle Herstellung von Automobilen in der Automobilindustrie.

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Ägypten

Ägypten (Aussprache oder; Miṣr, offiziell Arabische Republik Ägypten) ist ein Staat im nordöstlichen Afrika mit über 94 Millionen Einwohnern und einer Fläche von über einer Million Quadratkilometern.

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Bell Laboratories

Alcatel-Lucent Bell Labs in Murray Hill, New Jersey Die Bell Laboratories bzw.

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Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

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Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor

Ein chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (kurz ChemFET) ist eine spezielle Form eines Feldeffekttransistors, der als Sensor für Chemikalien und chemische Eigenschaften von Substanzen eingesetzt wird.

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Dawon Kahng

Dawon Kahng (* 4. Mai 1931 in Keijō, Unterprovinz Keikidō, Provinz Chōsen, damaliges Japanisches Kaiserreich, heutiges Südkorea; † 13. Mai 1992 in New Brunswick, New Jersey) war ein südkoreanischer Physiker und Präsident des NEC Research Institute.

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Defektelektron

Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.

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Deutsches Patent- und Markenamt

Hauptsitz des Deutschen Patent- und Markenamts in München Emblem an der Außenmauer des Deutschen Patentamtes Das Deutsche Patent- und Markenamt (DPMA), bis 1998 Deutsches Patentamt, ist eine Bundesoberbehörde im Geschäftsbereich des Bundesministeriums der Justiz und für Verbraucherschutz mit Hauptsitz in München und Außenstellen in Jena und Berlin.

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Digitaltechnik

Digitale Schaltungen arbeiten mit digitalen Signalen, d. h.

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor

Der electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (engl., kurz EOSFET, dt. „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET).

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Elektrischer Strom

Der elektrische Strom, oft auch nur Strom, ist ein Phänomen der Elektrizitätslehre.

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Elektrischer Widerstand

Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.

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Elektrisches Feld

Eine nirgends angeschlossene Leuchtstofflampe in der Nähe einer Hochspannungsleitung leuchtet aufgrund des sich ständig ändernden elektrischen Feldes Das elektrische Feld ist ein physikalisches Feld, das durch die Coulombkraft auf elektrische Ladungen wirkt.

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Elektron

Das Elektron (von ‚ Bernstein‘, an dem Elektrizität zum ersten Mal beobachtet wurde; 1874 von Stoney und Helmholtz geprägt) ist ein negativ geladenes Elementarteilchen.

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Elektronenröhre

Radioröhren: ECC85, EL84 und EABC80 Nahaufnahme einer Rimlockpentode EF42 Senderöhre in Betrieb Eine Elektronenröhre ist ein aktives elektrisches Bauelement mit Elektroden, die sich in einem evakuierten oder gasgefüllten Kolben aus Glas, Stahl oder Keramik befinden.

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Enzymfeldeffekttransistor

Ein Enzymfeldeffekttransistor (ENFET), auch enzymatisch aktiver Feldeffekttransistor genannt, ist ein spezieller chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (ChemFET).

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Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor

Ein fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor (auch fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor, abgekürzt FREDFET oder FredFET) ist ein spezieller Leistungsfeldeffekttransistor, welcher besonders zum Schalten von induktiven Lasten (Transformatoren, Elektromotoren) in Vollbrückenschaltung (Vierquadrantensteller oder quasi-resonante Gegentakt-Schaltnetzteile) geeignet ist.

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Fertigungsverfahren

Als Fertigungsverfahren werden in der Fertigungstechnik alle Verfahren zur Herstellung von geometrisch bestimmten festen Körpern (Werkstücke) bezeichnet, also von Körpern mit bestimmten Maßen und Formen, wozu auch die Oberflächenrauheit zählt.

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Germanium

Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Halbleitertechnik

Integrierter Schaltkreis. Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, welche die elektrische Verdrahtung zwischen IC und den Gehäusekontakten bildet. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit dem Entwurf und Fertigung von Produkten auf Basis von Halbleitermaterialien beschäftigt, vor allem mikroelektronische Baugruppen (z. B. integrierte Schaltungen).

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Heinrich Welker

Heinrich Johann Welker (* 9. September 1912 in Ingolstadt; † 25. Dezember 1981 in Erlangen) war ein deutscher Physiker, insbesondere auf dem Gebiet der Halbleitertechnik.

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Herbert Mataré

Herbert F. Mataré (1950) Herbert Franz Mataré (* 22. September 1912 in Aachen; † 2. September 2011) war ein deutscher Physiker.

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High-electron-mobility transistor

Querschnitt eines InGaAs-pseudomorphen HEMT Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. »Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit«) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines JFETs.

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Hochfrequenztechnik

Logo dieses Arbeitsgebiets Die Hochfrequenztechnik, abgekürzt HF-Technik, ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik und damit der Ingenieurwissenschaften.

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Inversion (Halbleiter)

Als Inversion wird in der Halbleitertechnologie sowohl ein Betriebszustand eines MIS-Feldeffekttransistors als auch der allgemeine Fall, dass in einem Halbleiter die Dichte der Minoritätsladungsträger die Dichte der Majoritätsladungsträger erreicht oder übersteigt, bezeichnet.

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Ionensensitiver Feldeffekttransistor

Der ionensensitive Feldeffekttransistor (ISFET, auch ionenselektiver oder ionenempfindlicher Feldeffekttransistor) ist ein spezieller Feldeffekttransistor (FET), der den pH-Wert einer Lösung durch die elektrische Leitfähigkeit des Transistors messen kann.

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Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

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Joseph Weber (Physiker)

Joseph Weber (1949) Joseph Weber (* 17. Mai 1919 in Paterson, New Jersey; † 30. September 2000 in Pittsburgh, Pennsylvania) war ein US-amerikanischer Physiker, bekannt als Pionier von Gravitationswellenexperimenten und als einer der Pioniere des Lasers.

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Julius Edgar Lilienfeld

Julius Edgar Lilienfeld Julius Edgar Lilienfeld (* 18. April 1882 in Lemberg; † 28. August 1963 in Charlotte Amalie, Virgin Islands) war ein Physiker österreichisch-ungarischer Herkunft.

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Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor

Struktur des CNTFET, Objekt der Forschung Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (CNTFET) ist eine Weiterentwicklung des Feldeffekttransistors (FET), bei dem Teile der Halbleiterstruktur durch Kohlenstoffnanoröhren (CNT) ersetzt wurden.

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Ladungsträger (Physik)

Ein Ladungsträger ist in der Physik ein mit einer Ladung behaftetes Teilchen, wobei man sich hierbei meist auf die elektrische Ladung bezieht.

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Leistungs-MOSFET

SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).

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Leitfähigkeit

Als Leitfähigkeit wird die Fähigkeit eines leitfähigen chemischen Stoffes oder Stoffgemisches bezeichnet, Energie oder andere Stoffe oder Teilchen im Raum zu leiten oder zu übertragen.

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Liste von Halbleitergehäusen

Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Phototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber Umwelteinflüssen, zur weiteren Verarbeitung, zum elektrischen Anschluss und zur Wärmeableitung ein Gehäuse.

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Martin M. Atalla

Martin M. Atalla (auch John oder Mohammed M. Atalla; * 4. August 1924 in Port Said, Ägypten; † 30. Dezember 2009 in Atherton, Kalifornien) war ein Ingenieur und Unternehmer im Bereich der Halbleitertechnik und Computer-Datensicherheit.

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Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Prinzipskizze eines n-Kanal-MESFETs Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MeSFET) gehört zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET).

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Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur

MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einem vertikalen MIS-Kondensator Die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Der Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET auch MOS-FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet.

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NIGFET

Schema eines NIGFET, hier n-Kanal-JFET NIGFET (dt. »Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode«) die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch eine angelegte Steuerspannung quer zur Flussrichtung gesteuert wird.

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Organischer Feldeffekttransistor

Der organische Feldeffekttransistor (OFET) ist ein Feldeffekttransistor (FET), der mindestens als Halbleiter ein organisches Material nutzt.

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Oskar Heil

Oskar Ernst Heil (* 20. März 1908 in Langwieden; † 15. Mai 1994 in San Mateo) war ein deutscher Physiker.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

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Planartechnik

Die Planartechnik (auch Planarprozess) ist ein in der Halbleiterfertigung eingesetzter Prozess zur Herstellung von Transistoren (Planartransistoren) und integrierten Schaltungen.

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Pulsweitenmodulation

Die Pulsweitenmodulation (kurz PWM; auch Pulsdauermodulation, PDM; Pulslängenmodulation PLM; Unterschwingungsverfahren oder Pulsbreitenmodulation, PBM;, PWM) ist eine Modulationsart, bei der eine technische Größe (z. B. elektrische Spannung) zwischen zwei Werten wechselt.

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Raumladungszone

Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.

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Robert Wichard Pohl

Robert Wichard Pohl, 1923 in Göttingen Göttingen Stadtfriedhof Grab Prof. Otto Wilhelm Madelung und Prof. Robert Wichard Pohl Robert Wichard Pohl (* 10. August 1884 in Hamburg; † 5. Juni 1976 in Göttingen) war ein deutscher Physiker.

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Rudolf Hilsch

Grabstätte des Physikers Rudolf Hilsch (1903–1972) und seiner Gattin Annemarie geb. Rakebrand (1907–2003) sowie ihrer Eltern auf dem Göttinger Stadtfriedhof Rudolf Hilsch (* 18. Dezember 1903 in Hamburg; † 29. Mai 1972) war ein deutscher Physiker und Hochschullehrer.

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Südkorea

Satellitenbild von Südkorea Die Republik Korea (kor. 대한민국, 大韓民國,, Daehan Minguk), meist Südkorea genannt, liegt in Ostasien und nimmt den südlichen Teil der Koreanischen Halbinsel ein.

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Schaltfrequenz

Die Schaltfrequenz (mit der SI-Einheit: Hz) gibt die Anzahl von Ein- und Ausschaltvorgängen eines elektronischen Bauelementes oder einer Schaltung pro Zeitintervall an.

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Schaltzeichen

Ein Schaltzeichen ist ein in einem Schaltplan der Elektrotechnik verwendetes, standardisiertes, graphisches Symbol für Bauelemente, Bauteile, Geräteteile, Geräte und Leitungen innerhalb einer elektrischen Schaltung.

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Silicium

Silicium Silicium, auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

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Siliciumdioxid

Siliciumdioxid (häufig auch: Siliziumdioxid) ist eine Sammelbezeichnung für die Modifikationen der Oxide des Siliciums mit der Summenformel SiO2.

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Sperrschicht-Feldeffekttransistor

Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.

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Steilheit

Der Begriff Steilheit wird in der Technik häufig für den Anstieg einer Kennlinie verwendet.

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Thermische Oxidation von Silizium

Die thermische Oxidation von Silizium ist in der Halbleitertechnik ein Beschichtungsverfahren, bei dem auf einem einkristallinen Siliziumsubstrat (beispielsweise einem Silizium-Wafer) eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid aufgebracht wird.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

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Transistorgrundschaltungen

Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt.

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Walter Houser Brattain

Walter H. Brattain (1956) Walter Houser Brattain (* 10. Februar 1902 in Amoy, Kaiserreich China; † 13. Oktober 1987 in Seattle, Washington) war ein US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger.

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William Bradford Shockley

William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.

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Leitet hier um:

Feldeffekttransistoren, Gate-Elektrode, Unipolartransistor.

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