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Aluminium
Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.
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Audioverstärker
Tuner, CD-Spieler und Plattenspieler, sowie eine Klangregelung für Bass und Höhen. Diesen Gerätetyp gibt es seit etwa den 1960er Jahren mit weitgehend gleichem Funktionsumfang und Bedienung. Mehrkanalton bei Fernsehen und Video haben. Ein Audioverstärker oder Tonverstärker ist ein breitbandiger und möglichst verzerrungsarmer Verstärker für Wechselspannungen im hörbaren Niederfrequenz-Bereich von 20 Hz bis 20.000 Hz oder höher.
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Übergangsmetalle
Die chemischen Elemente mit den Ordnungszahlen von 21 bis 30, 39 bis 48, 57 bis 80 und 89 bis 112 werden üblicherweise als Übergangselemente bezeichnet.
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Bauform
Als Bauform bezeichnet man in der Architektur das Erscheinungsbild bzw.
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Bändermodell
Das Bändermodell oder Energiebändermodell ist ein quantenmechanisches Modell zur Beschreibung von elektronischen Energiezuständen in einem idealen Einkristall.
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Bell Laboratories
Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Haupteingang Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Die Bell Laboratories (auch Bell Labs, früher Bell Telephone Laboratories, kurz BTL) sind die ehemalige Forschungsabteilung der Telefongesellschaft AT&T, in der im Laufe des 20.
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Beweglichkeit (Physik)
Die Beweglichkeit \textstyle b bzw.
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Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.
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Boltzmann-Konstante
Die Boltzmann-Konstante (Formelzeichen k oder k_\mathrm) ist ein Umrechnungsfaktor von absoluter Temperatur in Energie.
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Bootstrapping (Elektrotechnik)
Bootstrapping (von, dt. ‚Stiefelriemen‘) bezeichnet eine elektrische Schaltung, bei der eine Potentialänderung in einem Teil der Schaltung auch schlagartig in einem anderen wirksam wird.
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Brückenschaltung
Brückenschaltung mit Spannungsquelle Eine Brückenschaltung – auch H-Schaltung, H-Brücke oder Vollbrücke genannt – ist eine elektrische Schaltung, bei der in der Grundform fünf Zweipole in Form des Großbuchstabens H zusammengeschaltet sind.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Dawon Kahng
Dawon Kahng (* 4. Mai 1931 in Keijō, Unterprovinz Keikidō, Provinz Chōsen, damaliges Japanisches Kaiserreich, heutiges Südkorea; † 13. Mai 1992 in New Brunswick, New Jersey) war ein südkoreanischer Physiker und Präsident des NEC Research Institute.
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Defektelektron
Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
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DIBL-Effekt
Mit abnehmender Kanallänge reduziert sich das Potential der Barriere φB, die von einem Elektron am Source auf dem Weg zum Drain überwunden werden muss. Der DIBL-Effekt (von, dt. Drain(spannungs)-bedingte Potentialbarriereabsenkung) ist ein Kurzkanaleffekt in MOSFETs, der sich in seiner ursprünglichen Form auf eine Reduzierung der Schwellenspannung eines normal-sperrenden Transistors bei höherer Drainvorspannung (.
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Dielektrikum
Als Dielektrikum (Mehrzahl: Dielektrika) wird eine elektrisch schwach- oder nichtleitende Substanz bezeichnet, in der die vorhandenen Ladungsträger nicht frei beweglich sind.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Early-Effekt
Early-Spannung im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten-Modulation (''Early-Effekt'') Schema eines npn-Bipolartransistors pnp-Transistor''U''CE (oben) CE (unten) Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt in der Halbleitertechnik die Änderung der effektiven Basisweite W eines Bipolartransistors durch die Kollektor-Emitter-Spannung UCE.
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Elektrische Spannung
Die elektrische Spannung (oft auch vereinfacht nur als Spannung bezeichnet) ist eine grundlegende physikalische Größe der Elektrotechnik und Elektrodynamik.
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Elektrische Stromrichtung
Die elektrische Stromrichtung gibt die Richtung des elektrischen Stroms an.
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Elektrische Stromstärke
Die elektrische Stromstärke (veraltet auch Stromintensität) ist eine physikalische Größe aus der Elektrizitätslehre, die den elektrischen Strom bemisst.
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Elektrischer Widerstand
Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.
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Elektrisches Bauelement
Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.
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Elektrode
Eine Elektrode (von altgriechisch ηλεκτρόν elektron, „Bernstein“, i. ü. S. „elektrisch“, und ὁδός hodós, „Weg“) ist ein Elektronenleiter, der im Zusammenspiel mit einer Gegenelektrode (Anode – Kathode) mit einem zwischen beiden Elektroden befindlichen Medium in Wechselwirkung steht.
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Elektronik
Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.
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Elektrostatische Entladung
Elektrostatische Entladung in Form eines Blitzes Symbol für eine ESD-Schutzkomponente Symbol Gefahrenzeichen für ESD-gefährdete Bauteile Symbol eines ESD-Erdungs­punkts für alle Komponenten Elektrostatische Entladungen (kurz ESD) sind durch große Potentialdifferenzen entstehende Spannungsdurchschläge.
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Elementarladung
Die Elementarladung (Symbol: e) ist die kleinste frei existierende elektrische Ladungsmenge.
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Endenergieverbrauch
Aufbau einer Energiebilanz: Vom Primärenergieaufkommen über den Primärenergieverbrauch zum Endenergieverbrauch. Mit Energieverbrauch wird im Allgemeinen der Verbrauch von Endenergie bezeichnet.
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Endstufe
HiFi-Endstufe von McIntosh Laboratory mit 2 × 300 Watt an 4 Ohm Innenansicht eines Audio-Leistungsverstärkers mit Schaltnetzteil für den Betrieb am 12-V-Bordnetz von Personenkraftfahrzeugen PA-Endstufe für Rockkonzerte etc., mit 2 × 700 Watt an 4 Ohm oder 2 × 1200 Watt an 2 Ohm Als Endstufe wird die letzte elektronisch aktive (d. h. verstärkende) Stufe eines Leistungsverstärkers bezeichnet, bevor das verstärkte Signal zur Last gelangt.
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Entgraten
Entgraten Beim Entgraten werden Grate entfernt.
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Entwurf integrierter Schaltungen
Der Entwurf integrierter Schaltungen (auch: Chipentwicklung, Chipdesign oder Chipentwurf; im Englischen auch IC-Design) bezeichnet in der Mikroelektronik den Prozess der Entwicklung eines Mikrochips von der ersten Idee über die Spezifikation und Umsetzung in einen Schaltplan und ein Layout bis zum gefertigten Schaltkreis sowie sämtliche Verifikationsschritte.
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Fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor
Ein fast-recovery epitaxial diode field-effect transistor (auch fast-reverse epitaxial diode field-effect transistor, abgekürzt FREDFET oder FredFET) ist ein spezieller Leistungsfeldeffekttransistor, welcher besonders zum Schalten von induktiven Lasten (Transformatoren, Elektromotoren) in Vollbrückenschaltung (Vierquadrantensteller oder quasi-resonante Gegentakt-Schaltnetzteile) geeignet ist.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Galliumnitrid
Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), einer Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet.
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Gate-Treiber
Als Gate-Treiber (MOSFET-Treiber, IGBT-Treiber oder Halbbrücken-Treiber) bezeichnet man in der Elektronik, speziell der Leistungselektronik, eine diskrete oder integrierte elektronische Schaltung, welche Leistungsschalter, wie beispielsweise MOSFETs oder IGBTs, ansteuert.
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Germanium
Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.
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Geschwindigkeitssättigung
Die Geschwindigkeitssättigung bezeichnet einen der Kurzkanaleffekte bei Feldeffekttransistoren (FETs).
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Gestrecktes Silicium
Gestrecktes Silicium ist ein Verfahren in der Halbleitertechnik, bei dem durch mechanische Spannungen die Ladungsträgermobilität von Elektronen und Defektelektronen im Kanal (aus Silicium) eines Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistors beeinflusst wird.
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Gleichrichter
Gleichrichter werden in der Elektrotechnik und Elektronik zur Umwandlung von Wechselspannung in ''Gleich''spannung verwendet.
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Grabenisolation
Die Grabenisolation (STI, auch box isolation technique, BIT) ist ein Verfahren der Halbleitertechnik zur elektrischen Isolation einzelner Bauelemente (meist MIS-Feldeffekttransistoren) auf integrierten Schaltkreisen (IC).
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Hafnium(IV)-oxid
Hafniumdioxid ist eine chemische Verbindung aus den Elementen Hafnium und Sauerstoff.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Halbleiter mit breitem Bandabstand
UV-LED mit dem Wide-Bandgap-Material InGaN Halbleiter mit breitem BandabstandWerner Bindmann: German Dictionary of Microelectronics. Psychology Press, 1999, ISBN 0-415-17340-X, S. 478.
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High-k+Metal-Gate-Technik
Schematischer Querschnitt durch den Gate-Aufbau eines Transistors in High-k+Metal-Gate-Technik Die High-k+Metal-Gate-Technik (HKMG-Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFETs) moderner integrierter Schaltkreise (IC).
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High-k-Dielektrikum
Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl _\mathrm aufweist als herkömmliches Siliciumdioxid (εr.
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Hochfrequenz
Hochfrequenz (HF) ist in der Elektrotechnik die Bezeichnung für Frequenzen über denen von hörbaren Schallwellen (welche als Niederfrequenz bezeichnet werden).
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Integrationsdichte
Die Integrationsdichte (früher auch Packungsdichte) bezeichnet die Anzahl von Transistoren pro Flächeneinheit auf integrierten Schaltkreisen.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Intel-Sandy-Bridge-Mikroarchitektur
Die Intel-Sandy-Bridge-Mikroarchitektur ist eine von Intel entwickelte Mikroarchitektur, auf deren Basis erste Modelle im Januar 2011 vorgestellt wurden.
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Inversion (Halbleiter)
Als Inversion wird in der Halbleitertechnologie sowohl ein Betriebszustand eines MIS-Feldeffekttransistors als auch der allgemeine Fall, dass in einem Halbleiter die Dichte der Minoritätsladungsträger die Dichte der Majoritätsladungsträger erreicht oder übersteigt, bezeichnet.
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Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.
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Isolierstoff
Ein Isolierstoff (auch Isoliermittel) ist in der Fachsprache ein nichtleitendes Material, das also nur eine extrem geringe und somit vernachlässigbare elektrische Leitfähigkeit hat.
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Julius Edgar Lilienfeld
Julius Edgar Lilienfeld (Passbild seines US-amerikanischen Ausweises, also aus der Zeit ab 1934) Julius Edgar Lilienfeld (* 18. April 1882 in Lemberg; † 28. August 1963 in Charlotte Amalie, Virgin Islands) war ein US-amerikanischer Physiker österreichisch-ungarischer Herkunft.
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Kennlinie
Eine Kennlinie ist die graphische Darstellung des Zusammenhangs zwischen zwei physikalischen Größen, der für ein Bauelement, eine Baugruppe oder ein Gerät kennzeichnend ist.
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Kondensator (Elektrotechnik)
Prinzipdarstellung eines Kondensators mit Dielektrikum Ein Kondensator (von) ist ein passives elektrisches Bauelement mit der Fähigkeit, in einem Gleichstromkreis elektrische Ladung und die damit zusammenhängende Energie statisch in einem elektrischen Feld zu speichern.
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Ladungsträger (Physik)
Ladungsträger sind elektrisch geladene Teilchen, die elektrische Ladung als physikalische Größe und fundamentale Eigenschaft von Materie transportieren.
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Leckstrom
Als Leckstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Elektronik einen elektrischen Strom, der in Halbleiterbauelementen über einen Pfad fließt, der nicht zur Leitung von Strom vorgesehen ist.
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Leistungs-MOSFET
SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).
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Leistungstransistor
PC-Hauptplatine Mit Leistungstransistor wird in der Elektronik ein Transistor zum Schalten oder Steuern großer Spannungen, Ströme bzw.
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LOCOS-Prozess
LOCOS, kurz für (dt. »lokale Oxidation von Silicium«), ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren.
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Majoritätsladungsträger
Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger.
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Martin M. Atalla
Martin M. Atalla (auch John oder Mohammed M. Atalla; * 4. August 1924 in Port Said, Ägypten; † 30. Dezember 2009 in Atherton, Kalifornien) war ein Ingenieur und Unternehmer im Bereich der Halbleitertechnik und Computer-Datensicherheit.
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Massenproduktion
Massenproduktion (oder Massenfertigung) ist in der Wirtschaft ein Fertigungstyp, bei dem die Produktion und der Vertrieb von großen Mengen an Produkten oder Dienstleistungen stattfindet.
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Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur
MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einem vertikalen MIS-Kondensator Die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Meter
Der Meter ist die Basiseinheit der Länge im Internationalen Einheitensystem (SI) und in anderen metrischen Einheitensystemen.
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Millereffekt
Als Millereffekt wird die effektive Vergrößerung der parasitären Kapazität zwischen Ausgang und invertierendem Eingang eines Spannungsverstärkers bezeichnet.
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Minoritätsladungsträger
Minoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, welche seltener vorkommt als die Majoritätsladungsträger.
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Mosfet (Band)
Mosfet ist eine oberösterreichische Metal-Band.
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Nachrichtentechnik
13,5-m-Ka-Band-Antenne der ESTRACK-Station in Redu, Belgien Die Nachrichtentechnik ist eine Ingenieurwissenschaft, die sich als Teilgebiet der Elektrotechnik mit der Aufnahme, Übertragung und Speicherung von Nachrichten (Informationen) beschäftigt.
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National Inventors Hall of Fame
Die National Inventors Hall of Fame (deutsch etwa Nationale Ruhmeshalle der Erfinder) ist eine Organisation, die bedeutende Erfinder aus den USA und auch aus anderen Ländern ehrt.
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NMOS-Logik
Die NMOS-Logik (von) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient.
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Organische Halbleiter
Organische Halbleiter sind Halbleiter, die auf organischen Materialien basieren und in besonderen elektronischen Bauelementen verwendet werden.
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Oskar Heil
Oskar Ernst Heil (* 20. März 1908 in Langwieden; † 15. Mai 1994 in San Mateo) war ein deutscher Physiker und Entwickler von Lautsprechern.
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Oxide
Kupfer(II)-oxid Mennige, Blei(II,IV)-oxid Ein Quarzkristall – chemisch gesehen reines Siliciumdioxid Korund-Kristalle sind eine natürlich vorkommende, farblose Modifikation des Aluminiumoxids. Bekannte Farbvarietäten sind der blaue Saphir (gefärbt durch Fe/Ti) und der rote Rubin (gefärbt durch Cr). Stickstoffdioxid ist ein braunes, giftiges Gas Oxide (ältere Schreibung und auch allgemeinsprachlich Oxyde; von griech. ὀξύς, oxýs ‚scharf‘, ‚spitz‘, ‚sauer‘) sind Sauerstoff-Verbindungen eines Elements, in denen der Sauerstoff die Oxidationszahl −2 hat.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Patent
Urkunde zu einem US-Patent Ein Patent ist ein hoheitlich erteiltes gewerbliches Schutzrecht für eine Erfindung.
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Permittivität
Die Permittivität ''ε'' (von lat. permittere: erlauben, überlassen, zulassen), auch dielektrische Leitfähigkeit, Dielektrizität oder dielektrische Funktion genannt (Dielektrizitätskonstante soll nicht verwendet werdenIEC 60050, siehe Eintrag 121-12-12.), gibt in der Elektrodynamik sowie der Elektrostatik die Polarisationsfähigkeit eines Materials durch elektrische Felder an.
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Planartechnik
Die Planartechnik (auch Planarprozess) ist ein in der Halbleiterfertigung eingesetzter Prozess zur Herstellung von Transistoren (Planartransistoren) und integrierten Schaltungen.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
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Polykristall
Ein Polykristall (auch Multikristall oder seltener Vielkristall) ist ein kristalliner Festkörper, der aus vielen kleinen Einzelkristallen (Kristalliten) besteht, die durch Korngrenzen voneinander getrennt sind.
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Polysiliziumverarmung
Die Polysiliziumverarmung ist ein physikalisches Phänomen, das in der Halbleitertechnik bei Feldeffekttransistoren, welche aus dem Gate-Material Polysilizium bestehen (vgl. Silizium-Gate-Technik), auftreten kann.
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Prozessor
Die''“ eines Intel 80486DX2 Ein Computer-Prozessor ist ein (meist stark verkleinertes und meist frei) programmierbares Rechenwerk, also eine elektronische Schaltung, die gemäß übergebenen Befehlen Aktionen ausführt, wie andere elektronische Schaltungen und Mechanismen zu steuern.
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Radiation sensing field-effect transistor
Ein „radiation sensing field-effect transistor“ (RADFET, auch RadFET) ist ein Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MISFET), dessen Source-Drain-Widerstand von der Strahlendosis abhängt.
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Raumtemperatur
Als Raumtemperatur, Lufttemperatur oder Innentemperatur wird die Temperatur bezeichnet, die üblicherweise in bewohnten Räumen herrscht.
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Reinraum
Fotolithografie. Reinraum im Bau für die Mikroelektronikproduktion vor der Installation der Fertigungsgeräte. Die Reinraum-Rasterdecke mit Filter-Ventilatoreinheiten überspannt hier ca. 6.000 Quadratmeter und erzeugt eine Reinraumklasse von ca. ISO 3. Eingangsbereich eines Reinraums Reinraumkabine für die Präzisionsmesstechnik Ein Rein- oder Reinstraum ist ein Raum, in dem die Konzentration luftgetragener Teilchen sehr gering gehalten wird.
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Rekombination (Physik)
Rekombination ist in der Physik die neutralisierende Vereinigung elektrisch positiver und negativer Ladungsträger (Ionen, Elektronen).
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Schaltverluste
Als Schaltverluste versteht man in der Elektronik, speziell in der Leistungselektronik und der Digitaltechnik, jene elektrischen Leistungen, die bei einem Halbleiterschalter während des Einschaltens und des Ausschaltens an diesem umgesetzt werden und somit als Verluste anfallen.
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Schaltzeichen
Schaltzeichen in den USA. Links für elektrische Schaltkreise. Rechts für logische Verschaltung. Ein Schaltzeichen ist ein in einem Schaltplan der Elektrotechnik verwendetes, standardisiertes, graphisches Symbol für Bauelemente, Bauteile, Geräteteile, Geräte und Leitungen innerhalb einer elektrischen Schaltung.
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Schottky-Diode
Handelsübliche Schottky-Dioden in unterschiedlichen Gehäusen HP 5082-2800 Schottky-Dioden Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine auf schnelles Schalten oder einen niedrigeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung optimierte Diode.
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Schutzdiode
Eine Schutzdiode ist eine Halbleiterdiode, die zum Schutz vor Überspannungen und unerlaubten Spannungen eingesetzt wird.
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Schwellenspannung
Die Schwellenspannung U_\text, auch Fluss-, Schleusen-, Durchlass-, Vorwärts- oder Kniespannung sowie selten Knickspannung genannt, ist in der Elektronik.
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Siemens-Verfahren
Resultat des Verfahrens: Polykristallines Solarsilicium Das Siemens-Verfahren ermöglicht die Herstellung von polykristallinem Silicium von hoher Reinheit.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Siliciumcarbid
Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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Skalierung (Mikroelektronik)
Der Begriff Skalierung (bzw. downscaling) beschreibt im Bereich der Mikroelektronik und Nanoelektronik die Verkleinerung der geometrischen Abmessungen von Bauelementen (in der Regel MOSFETs) und der damit verbundenen Änderung weiterer relevanter Bauelementparameter (siehe Integrationsdichte und Technologieknoten).
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Spannungsabfall
Ein '''Spannungsabfall''' oder '''Spannungsfall''' IEV IEV-Nummer 151-15-08.
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Sperrspannung
Strom-Spannungs-Charakteristik mit Durchbruchsbereich Die Sperrspannung (auch Einsatzspannung genannt) ist jene elektrische Spannung, welche über einem in Sperrrichtung gepolten p-n-Übergang anliegt.
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Strukturgröße
Technologiequerschnitt eines Feld­effekt­transistors mit isoliertem Gate (IGFET) (hier: n-Kanal-MOSFET) Die Strukturgröße oder auch Strukturbreite ist eine Größenangabe der Halbleitertechnik, Mikroelektronik und Nanoelektronik.
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Technologieknoten
Der Begriff Technologieknoten bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch herstellbare Strukturgröße.
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Tom’s Hardware
Tom’s Hardware ist ein Online-Magazin der Purch Group mit dem Fokus auf Technik und Informatik.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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TSMC
Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC;, kurz) ist vor Intel und Samsung der weltweit umsatzstärkste Halbleiterhersteller und der weltweit größte unabhängige Auftragsfertiger für Halbleiterprodukte (Foundry).
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University of California, Berkeley
Die University of California, Berkeley (auch bekannt als Cal oder UC Berkeley) ist eine staatliche Universität in Berkeley im US-Bundesstaat Kalifornien und gehört seit vielen Jahren zu den renommiertesten Universitäten der Welt.
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Unterschwelleneffekt
Der Unterschwelleneffekt beschreibt die Beobachtung an einem MOS-Feldeffekttransistor (MOSFET), dass auch ohne Inversionskanal unterhalb der Schwellspannung Uth ein kleiner Drainstrom fließen kann.
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Ventil
Schema eines einfachen Absperrventils (''Geradsitzventil'') mit hohem Druckverlust, da die Strömung mehrfach umgelenkt wird. Ein Ventil ist ein Bauteil zur Absperrung oder Steuerung des Durchflusses von Fluiden (Flüssigkeiten oder Gasen) oder Schüttgut.
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Wirkungsgrad
'''Wirkungsgrad''' einer Glühlampe (Darstellung als Sankey-Diagramm) Der Wirkungsgrad beschreibt die Effizienz einer technischen Einrichtung oder Anlage als Verhältniszahl der Dimension Zahl oder Prozentsatz, und zwar in der Regel das Verhältnis der Nutzenergie E_\mathrm zur zugeführten Energie E_\mathrm.
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Leitet hier um:
Body-Diode, Bodydiode, Dual-Gate-MOSFET, FinFET, Inversdiode, Kanallängenmodulation, LDMOS, LDMOSFET, Lateraler DMOS-FET, Lateraler DMOSFET, MOS-FET, MOS-Feldeffekttransistor, MOS-Fet, MOSFET, Metal Oxide Semiconductor, Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, Miller-Plateau, Millerplateau, Multigate-Feldeffekttransistor, N-Kanal-MOSFET.
