Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schutzdiode
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schutzdiode haben 6 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Halbleiter, Latch-up-Effekt, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Thyristor, Transistor.
Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Latch-up-Effekt
Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Thyristor
Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schutzdiode
- Was es gemein hat Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schutzdiode
- Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schutzdiode
Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schutzdiode
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während Schutzdiode hat 31. Als sie gemeinsam 6 haben, ist der Jaccard Index 8.70% = 6 / (38 + 31).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Schutzdiode. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
