Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Transistor
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Transistor haben 14 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Darlington-Schaltung, Dotierung, Elektron, Feldeffekttransistor, Halbleiter, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Leistungs-MOSFET, Leistungselektronik, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Schaltnetzteil, Thyristor, Wechselrichter.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Darlington-Schaltung
Darlington-Schaltung mit npn-Transistoren Die Darlington-Schaltung ist eine elektronische Schaltung aus zwei Bipolartransistoren, wobei der erste, kleinere Transistor als Emitterfolger auf die Basis des zweiten, größeren arbeitet.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.
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Leistungs-MOSFET
SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).
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Leistungselektronik
Die Leistungselektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik, das sich mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden elektronischen Bauelementen beschäftigt.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Schaltnetzteil
Schaltnetzteil in einem DVD-Spieler PC-Schaltnetzteil im ATX-Format Ein Schaltnetzteil (SNT, auch SMPS von) oder Schaltnetzgerät ist eine elektronische Baugruppe, die eine unstabilisierte Eingangsspannung in eine konstante Ausgangsspannung umwandelt.
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Thyristor
Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.
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Wechselrichter
Wechselrichter von 24 V Gleichspannung auf 230 V 50 Hz Wechselspannung, ca. 3 kW, ca. 250 mm breit Wechselrichter Ein Wechselrichter (auch Inverter oder Drehrichter) ist ein elektrisches Gerät, das Gleichspannung in Wechselspannung umwandelt.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Transistor
- Was es gemein hat Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Transistor
- Ähnlichkeiten zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Transistor
Vergleich zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Transistor
Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode verfügt über 38 Beziehungen, während Transistor hat 178. Als sie gemeinsam 14 haben, ist der Jaccard Index 6.48% = 14 / (38 + 178).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode und Transistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
