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Arbeitspunkt
Der Arbeitspunkt, auch Betriebspunkt oder -zustand genannt, ist ein bestimmter Punkt im Kennfeld oder auf der Kennlinie eines technischen Gerätes, der aufgrund der Systemeigenschaften und einwirkenden äußeren Einflüsse und Parameter eingenommen wird.
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Bändermodell
Das Bändermodell oder Energiebändermodell ist ein quantenmechanisches Modell zur Beschreibung von elektronischen Energiezuständen in einem idealen Einkristall.
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Bell Laboratories
Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Haupteingang Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Die Bell Laboratories (auch Bell Labs, früher Bell Telephone Laboratories, kurz BTL) sind die ehemalige Forschungsabteilung der Telefongesellschaft AT&T, in der im Laufe des 20.
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Bipolarer Leistungstransistor
Ein Leistungsbipolartransistor (engl. bipolar power transistor auch power bipolar junction transistor, Power BJT) ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von ca. einem Kubikzentimeter).
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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.
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Chipgehäuse
DIP-Gehäusen Die Ummantelung eines Halbleiterchips (eines Die) inklusive der Anschlussstellen (Leads, Pins oder Balls) bezeichnet man als Gehäuse oder Package.
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Current Mode Logic
Eine Ausgangsstufe in CML Bei dem englischen Begriff Current Mode Logic (kurz: CML, deutsch Stromschaltlogik), auch (kurz: SCL, deutsch in etwa Source-gekoppelte Logik), handelt es sich in der Digitaltechnik um einen Schnittstellen-Standard für kabelbasierende Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen mit Bitraten zwischen 312,5 MBit/s bis 12,5 GBit/s.
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Darlington-Schaltung
Darlington-Schaltung mit npn-Transistoren Die Darlington-Schaltung ist eine elektronische Schaltung aus zwei Bipolartransistoren, wobei der erste, kleinere Transistor als Emitterfolger auf die Basis des zweiten, größeren arbeitet.
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Defektelektron
Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
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Diac
Der Diac ist eine Diode und wird auch Zweirichtungs-Diode genannt.
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Differentieller Widerstand
Für Widerstände und andere zweipolige passive elektrische Bauelemente, für die sich zeitunabhängig eine Spannung U aufgrund einer Stromstärke I angeben lässt, ist die physikalische Größe Elektrischer Widerstand definiert als das Verhältnis Spannung zu Stromstärke.
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Diffusionsspannung
Die Diffusionsspannung U_D, selten auch Antidiffusionsspannung genannt, ist die Potentialdifferenz (elektrische Spannung) über eine Raumladungszone, die der Diffusion von Ladungsträgern (Elektronen und Defektelektronen) entgegenwirkt.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Drahtbonden
Das Drahtbonden (von engl. bond – „Verbindung“, „Haftung“) bezeichnet in der Aufbau- und Verbindungstechnik einen Verfahrensschritt, bei dem mittels dünner Drähte (Bonddraht) die Anschlüsse eines integrierten Schaltkreises oder eines diskreten Halbleiters (z. B. Transistor, Leuchtdiode oder Photodiode) mit den elektrischen Anschlüssen anderer Bauteile oder des Gehäuses verbunden werden.
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Driftgeschwindigkeit
Die Driftgeschwindigkeit \vec^* ist die durchschnittliche Geschwindigkeit bewegter Ladungsträger aufgrund eines äußeren Feldes.
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Durchsteckmontage
Als Durchsteckmontage oder auch Einsteckmontage (THT; pin-in-hole technology, PIH) bezeichnet man in der Aufbau- und Verbindungstechnik eine Montageweise von bedrahteten elektronischen Bauelementen.
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Early-Effekt
Early-Spannung im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten-Modulation (''Early-Effekt'') Schema eines npn-Bipolartransistors pnp-Transistor''U''CE (oben) CE (unten) Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt in der Halbleitertechnik die Änderung der effektiven Basisweite W eines Bipolartransistors durch die Kollektor-Emitter-Spannung UCE.
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Elektrische Stromrichtung
Die elektrische Stromrichtung gibt die Richtung des elektrischen Stroms an.
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Elektrischer Strom
Der elektrische Strom, oft auch nur Strom, ist eine physikalische Erscheinung aus dem Gebiet der Elektrizitätslehre.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Elektronischer Schalter
Elektronischer Schalter, Maxim Integrated MAX313 Ein elektronischer Schalter, auch Analogschalter oder Halbleiterschalter, ist Bestandteil einer elektronischen Schaltung, die die Funktion eines elektromechanischen Schalters realisiert.
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Endstufe
HiFi-Endstufe von McIntosh Laboratory mit 2 × 300 Watt an 4 Ohm Innenansicht eines Audio-Leistungsverstärkers mit Schaltnetzteil für den Betrieb am 12-V-Bordnetz von Personenkraftfahrzeugen PA-Endstufe für Rockkonzerte etc., mit 2 × 700 Watt an 4 Ohm oder 2 × 1200 Watt an 2 Ohm Als Endstufe wird die letzte elektronisch aktive (d. h. verstärkende) Stufe eines Leistungsverstärkers bezeichnet, bevor das verstärkte Signal zur Last gelangt.
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Epitaxialtransistor
Zwei PNP-Epitaxialtransistor ''BCP53'' von ON Semiconductor in einem SOT223-Gehäuse verbaut in einer Fritz!Box Fon WLAN 7270. Als Epitaxialtransistor, auch epitaktischer Transistor oder Epitaxietransistor, wird allgemein ein Transistor mit einer oder mehr epitaktisch abgeschiedenen Schichten bezeichnet.
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Epitaxie
Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.
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Ersatzschaltungen des Bipolartransistors
Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes Modell.
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Farad
Das Farad ist die SI-Einheit der elektrischen Kapazität.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Flächentransistor
Ein Flächentransistor ist eine frühe Konstruktionsform eines Bipolartransistors, der im Englischen als junction transistor bezeichnet wird.
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Germanium
Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.
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Gezogener Transistor
Ein gezogener Transistor, auch Transistor mit gezogenem pn-Übergang (engl. grown-junction transistor) oder selten Wachstumstransistor genannt, ist ein Bipolartransistor, bei dem die unterschiedlich dotierten Bereiche bereits während der Herstellung des Halbleiterkristalls (dem „Kristallziehen“) definiert werden.
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Gilbertzelle
Die Gilbert-Zelle ist ein Analogmultiplizierer für Ströme.
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Gordon Teal
Gordon Kidd Teal (* 10. Januar 1907 in Dallas; † 7. Januar 2003) war ein US-amerikanischer Chemiker, bekannt für Beiträge zur Halbleiterfertigung und der Entwicklung des Bipolartransistors.
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Großsignalverhalten
Die Begriffe Großsignalverhalten und Kleinsignalverhalten sind im Zusammenhang mit nichtlinearen Übertragungssystemen relevant.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Heterojunction bipolar transistor
Der Heterojunction Bipolar Transistor (engl., HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang« bzw. »Heteroübergangs-Bipolartransistor«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emitter- bzw.
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John Bardeen
John Bardeen, 1956 Nachbau des ersten Transistors von Shockley, Bardeen und Brattain Eine Gedenktafel an Bardeen und die Theorie der Supraleitfähigkeit auf dem Campus der University of Illinois at Urbana-Champaign John Bardeen (* 23. Mai 1908 in Madison, Wisconsin; † 30. Januar 1991 in Boston) war ein US-amerikanischer Physiker und zweifacher Nobelpreisträger der Physik.
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Julius Edgar Lilienfeld
Julius Edgar Lilienfeld (Passbild seines US-amerikanischen Ausweises, also aus der Zeit ab 1934) Julius Edgar Lilienfeld (* 18. April 1882 in Lemberg; † 28. August 1963 in Charlotte Amalie, Virgin Islands) war ein US-amerikanischer Physiker österreichisch-ungarischer Herkunft.
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Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen
Kennbuchstaben von Halbleiterbauelementen werden zur schnellen Identifikation von typischen elektrischen Bauelementen eingesetzt, die auf Halbleitern basieren.
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Kennlinie
Eine Kennlinie ist die graphische Darstellung des Zusammenhangs zwischen zwei physikalischen Größen, der für ein Bauelement, eine Baugruppe oder ein Gerät kennzeichnend ist.
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Kleinsignalverhalten
Das Kleinsignalverhalten beschreibt das Verhalten eines Systems bei Aussteuerung mit kleinen Signalen, wobei das Wort „klein“ nicht als geringer Abstand zum Nullpunkt, sondern zu einem Arbeitspunkt zu verstehen ist.
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Komplementarität
Komplementarität ist ein Begriff der Erkenntnistheorie für zwei (scheinbar) widersprüchliche, einander ausschließende, nicht aufeinander reduzierbare Beschreibungsweisen oder Versuchsanordnungen, die aber in ihrer wechselseitigen Ergänzung zum Verständnis eines Phänomens oder Sachverhaltes im Ganzen notwendig sind.
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Ladungsträger (Physik)
Ladungsträger sind elektrisch geladene Teilchen, die elektrische Ladung als physikalische Größe und fundamentale Eigenschaft von Materie transportieren.
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Lateral
Das Adjektiv lateral steht für.
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Leckstrom
Als Leckstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Elektronik einen elektrischen Strom, der in Halbleiterbauelementen über einen Pfad fließt, der nicht zur Leitung von Strom vorgesehen ist.
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Leiterplatte
Bestückungsseite (oben) und Lötseite (unten) einer einseitigen Leiterplatte Eine Leiterplatte (Leiterkarte, Platine oder gedruckte Schaltung;, PCB) ist ein Träger für elektronische Bauteile.
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Liste von Halbleitergehäusen
Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Phototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber Umwelteinflüssen, zur weiteren Verarbeitung, zum elektrischen Anschluss und zur Wärmeableitung ein Gehäuse.
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Low Voltage Differential Signaling
Bei dem englischen Begriff Low Voltage Differential Signaling (LVDS) handelt es sich um einen Schnittstellen-Standard für Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung.
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Majoritätsladungsträger
Majoritätsladungsträger ist die Bezeichnung der Ladungsträgerart eines dotierten Halbleiters, die aufgrund der Dotierung häufiger vorkommt als die Minoritätsladungsträger.
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Mathematische Beschreibung des Bipolartransistors
Das physikalische Verhalten des Bipolartransistors basiert im Wesentlichen auf dem der Diode, wodurch die entsprechenden Formeln (in einer etwas abgewandelten Form) auch auf den Bipolartransistor angewandt werden können.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Millereffekt
Als Millereffekt wird die effektive Vergrößerung der parasitären Kapazität zwischen Ausgang und invertierendem Eingang eines Spannungsverstärkers bezeichnet.
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Morgan Sparks
Morgan Sparks (* 6. Juli 1916 in Pagosa Springs; † 3. Mai 2008 in Fullerton (Kalifornien)) war ein US-amerikanischer Wissenschaftler und Ingenieur, welcher unter anderem an der Entwicklung des Bipolartransistors beteiligt war.
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Morris Tanenbaum
Morris Tanenbaum (* 10. November 1928 in Huntington, West Virginia; † 26. Februar 2023 in New Providence, New Jersey) war ein US-amerikanischer Chemiker und Manager, bekannt für Beiträge zur Halbleiterfertigung und Bipolartransistor-Entwicklung.
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Negative Rückkopplung
Veränderung der Größe der Pupille wirkt als negative Rückkopplung regulierend auf den Lichteinfall ins Auge. Je mehr Licht einwirkt, desto kleiner, je weniger Licht einwirkt, desto größer wird die Pupille. Simples Beispiel für eine negative Rückkopplung in der Technik. Die Entleerung eine WC-Spülkastens bewirkt über einen an einem Hebel befestigten "Schwimmer", dass der Wasserzulauf geöffnet wird. Wenn der Spülkasten bis oben gefüllt ist, wird der Wasserzulauf wieder geschlossen. Die negative Rückkopplung, auch Gegenkopplung genannt, bezeichnet das charakteristische Merkmal eines Regelkreises: Die gefilterte Rückführung der Ausgangsgröße UA eines Systems mit verstärkender Eigenschaft auf dessen Eingang, um dort dem Eingangssignal UE entgegenzuwirken.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Planartechnik
Die Planartechnik (auch Planarprozess) ist ein in der Halbleiterfertigung eingesetzter Prozess zur Herstellung von Transistoren (Planartransistoren) und integrierten Schaltungen.
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Polystyrol
Polystyrol (Kurzzeichen PS) ist ein transparenter, geschäumt weißer, amorpher oder teilkristalliner Thermoplast.
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Positive emitter-coupled logic
In der Digitaltechnik bezeichnet der englische Begriff positive emitter-coupled logic (kurz: PECL, dt. positive emittergekoppelte Logik) einen Signalstandard zur Darstellung eines zweiwertigen Signals als Logikpegel.
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Positive Rückkopplung
Wenn bei einer Huftierherde nur wenige Tiere in Angst versetzt werden, kann das durch positive Rückkopplung zur Stampede führen, ähnlich wie bei einer Massenpanik bei Menschen. Positive Rückkopplung oder auch Mitkopplung liegt vor, wenn sich ein Signal oder eine Größe verstärkend auf sich selbst auswirkt.
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Raumladungszone
Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.
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Schaltfrequenz
Die Schaltfrequenz (mit der SI-Einheit: Hz) gibt die Anzahl von Ein- und Ausschaltvorgängen eines elektronischen Bauelementes oder einer Schaltung pro Zeitintervall an.
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Schaltzeichen
Schaltzeichen in den USA. Links für elektrische Schaltkreise. Rechts für logische Verschaltung. Ein Schaltzeichen ist ein in einem Schaltplan der Elektrotechnik verwendetes, standardisiertes, graphisches Symbol für Bauelemente, Bauteile, Geräteteile, Geräte und Leitungen innerhalb einer elektrischen Schaltung.
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Schottky-Diode
Handelsübliche Schottky-Dioden in unterschiedlichen Gehäusen HP 5082-2800 Schottky-Dioden Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine auf schnelles Schalten oder einen niedrigeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung optimierte Diode.
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Schottky-TTL
Schottky-TTL (S-TTL) ist eine Logikfamilie, die eine bestimmte Halbleitertechnologie für integrierte Schaltkreise (ICs) bezeichnet.
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Schrotrauschen
Schrotrauschen (auch Poissonsches Schrotrauschen oder Schottky-Rauschen) ist in der Optik und der Elektronik eine Form des weißen Rauschens, welche durch einen Poissonprozess modelliert werden kann.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Sperrstrom
Wird eine Diode in Sperrrichtung betrieben, so fließt durch sie dennoch ein geringer Sperrstrom.
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Spitzentransistor
Nixdorf-Museum Der Spitzentransistor galt als erster praktisch realisierter Bipolartransistor und wird als Wegbereiter der modernen Halbleitertechnik angesehen.
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Surface-mounted device
Surface-mounted device (SMD, deutsch: oberflächenmontiertes Bauelement) ist ein englischsprachiger Fachbegriff aus der Elektronik.
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Texas Instruments
Die Texas Instruments Incorporated, häufig auch als TI bezeichnet, ist eines der größten US-amerikanischen Technologieunternehmen mit Sitz in Dallas, Texas.
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Thyristor
Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.
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TO-92
mini Der TO-92 ist ein früher weit verbreiteter Typ eines Halbleiter-Gehäuses für Durchsteckmontage, das für Transistoren und kleinere integrierte Schaltungen (Temperatursensor, Spannungsreferenz) verwendet wird.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Transistorgrundschaltungen
Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt.
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Transitfrequenz
Die Transitfrequenz bezeichnet diejenige Frequenz eines verstärkenden Systems, bei der keine Verstärkung mehr stattfindet, das heißt 0 dB beträgt, und bildet damit die theoretische Obergrenze für einen sinnvollen Einsatz.
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Triac
Triac ist eine englische Abkürzung für triode for alternating current.
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Verstärker (Elektrotechnik)
Ein Verstärker ist eine elektronische Baugruppe mit mindestens einem aktiven Bauelement (meist einem Transistor, einem integrierten Operationsverstärker, vereinzelt auch einer Röhre), welche ein eingehendes Analogsignal so verarbeitet, dass die Ausgangsgröße größer wird als die Eingangsgröße.
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Vierschichtdiode
Shockley-Diode:a. physikalischer Aufbau der Halbleiterschichten,b. Ersatzschaltbild,c. Schaltsymbol Vierschichtdiode 2Н102Г (2N102G) in einer militärisch genutzten Schaltung Die Vierschichtdiode, auch als Dinistor oder als Shockley-Diode bezeichnet (nach dem Physiker William B. Shockley), ist ein Silizium-Halbleiterbauteil mit vier Halbleiterzonen.
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Walter Houser Brattain
Walter H. Brattain (1956) Walter Houser Brattain (* 10. Februar 1902 in Amoy, Kaiserreich China; † 13. Oktober 1987 in Seattle, Washington) war ein US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger.
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Wärmerauschen
Wärmerauschen, thermisches Rauschen, Widerstandsrauschen, Nyquist-Rauschen, Johnson-Rauschen oder Johnson-Nyquist-Rauschen genannt, ist ein weitgehend weißes Rauschen, das aus der thermischen Bewegung der Ladungsträger in elektrischen Schaltungen hervorgeht.
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William Bradford Shockley
William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.
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Leitet hier um:
Bipolarer Transistor, Bipoltransistor, Npn-Transistor, PNP-Transistor, Pnp-Transistor, Transistoreffekt, Transistorkennlinie.
