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44 Beziehungen: Aluminium, Antireflexbeschichtung, Ausdehnungskoeffizient, Biegefestigkeit, Borcarbid, Bruchzähigkeit, Cantilever (Mikroskop), Charge-Trapping-Speicher, Chemisch-mechanisches Polieren, Chemische Gasphasenabscheidung, Chemische Verbindung, Chemisches Element, Diimin, Elastizitätsmodul, Grad Celsius, Halbleitertechnik, Hexagonales Kristallsystem, Integrierter Schaltkreis, Isostasie, Keramik, Kristallstruktur, Kubisches Kristallsystem, LOCOS-Prozess, Meteorit, Mineral, Mol, Nitride, Orthorhombisches Kristallsystem, Passivierung, Phosphorsäure, Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung, Polymorphie (Stoffeigenschaft), Rasterkraftmikroskop, Reaktionsbinden, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumdioxid, Sintern, Stickstoff, Trigonales Kristallsystem, Wafer, Wendeschneidplatte, Yttriumoxid, 3M Technical Ceramics.
Aluminium
Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.
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Antireflexbeschichtung
Antireflexbeschichtungen (kurz AR-Beschichtung) werden eingesetzt, um die Reflexion von optischen Oberflächen von Linsen, Objektiven, Prismen oder Platten zu unterdrücken und die Transmission zu erhöhen.
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Ausdehnungskoeffizient
Der Ausdehnungskoeffizient ist ein Kennwert, der das Verhalten eines Stoffes bezüglich Veränderungen seiner Abmessungen bei Temperaturveränderungen beschreibt – deswegen oft auch thermischer Ausdehnungskoeffizient genannt.
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Biegefestigkeit
Balken unter BiegebelastungZugspannung unten, Druckspannung oben(maximal in jeweiliger Randfaser unter der belastenden Kraft bei A bzw. B) Die Biegefestigkeit \sigma_ ist diejenige Zug- oder Druckspannung in der Randfaser eines Bauteils (Balken, Platte u. ä.), die bei Belastung durch ein Biegemoment (Durchbiegung) auftritt und zu plastischer Verformung oder Bruch des Bauteils führt.
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Borcarbid
Borcarbid (Summenformel B4C) ist ein sehr hartes Material mit einer Mohshärte von 9,3, welches als verschleißbeständiges Material genutzt wird.
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Bruchzähigkeit
Die Bruchzähigkeit oder Risszähigkeit (auch Risswiderstand) beschreibt in der Bruchmechanik den Widerstand eines Materials gegen instabilen Rissfortschritt.
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Cantilever (Mikroskop)
Als Cantilever wird die Messnadel von Rasterkraftmikroskopen (AFM) bezeichnet.
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Charge-Trapping-Speicher
Charge-Trapping-Speicher, ist eine Halbleiterspeichertechnik, die primär bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtflüchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird.
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Chemisch-mechanisches Polieren
Chemisch-mechanisches Polieren, auch chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP, engl: chemical mechanical polishing, auch chemical mechanical planarization) ist ein Polierverfahren in der Waferbearbeitung um dünne Schichten gleichmäßig abzutragen.
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Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
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Chemische Verbindung
Als chemische Verbindung bezeichnet man einen Reinstoff, dessen kleinste Einheiten (zum Beispiel Moleküle) aus Atomen von zwei oder mehreren chemischen Elementen besteht, wobei – im Gegensatz zu Gemischen – die Atomarten zueinander in einem festen stöchiometrischen Verhältnis stehen.
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Chemisches Element
Periodensystem der Elemente Ein chemisches Element ist ein Reinstoff, der mit chemischen Methoden nicht mehr in andere Stoffe zerlegt werden kann.
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Diimin
Diimin (auch Diazen, Diimid, Azowasserstoff) ist eine anorganische Verbindung und bildet die Grundstruktur der organischen Azoverbindungen.
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Elastizitätsmodul
Der Elastizitätsmodul, auch E-Modul, Zugmodul, Elastizitätskoeffizient, Dehnungsmodul oder Youngscher Modul, ist ein Materialkennwert aus der Werkstofftechnik, der bei linear-elastischem Verhalten den proportionalen Zusammenhang zwischen Spannung und Dehnung bei der Verformung eines festen Körpers beschreibt.
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Grad Celsius
Das Grad Celsius ist eine Maßeinheit der Temperatur, die nach Anders Celsius benannt wurde.
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Halbleitertechnik
Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt.
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Hexagonales Kristallsystem
Das hexagonale Kristallsystem gehört zu den sieben Kristallsystemen der Kristallographie.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Isostasie
Isostasie-Theorien:1.
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Keramik
Der Begriff Keramik, auch keramische Massen, bezeichnet in der Fachsprache eine Vielzahl anorganischer nichtmetallischer Werkstoffe, die grob in die Typen Irdengut, Steingut, Steinzeug, Porzellan und Sondermassen unterteilt werden können (siehe auch Klassifikation keramischer Massen).
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Kristallstruktur
Die atomare Struktur kristalliner Festkörper wird durch die beiden Begriffe ''Gitter'' und Basis beschrieben: das Punktgitter ist ein translationssymmetrisches mathematisches Konstrukt, in dem jedem Punkt die Basis zugeordnet wird.
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Kubisches Kristallsystem
Würfelförmiger Pyrit, Navajún, La Rioja, Spanien Sphaleritstufe (Größe: 2,3 × 2,3 × 1,2 cm) aus der Idarado Mine, Colorado, USA Das kubische Kristallsystem gehört zu den sieben Kristallsystemen in der Kristallographie.
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LOCOS-Prozess
LOCOS, kurz für (dt. »lokale Oxidation von Silicium«), ist in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur elektrischen Isolation von Halbleiterbauelementen, beispielsweise Transistoren.
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Meteorit
Steinmeteoriten Knyahinya (9. Juni 1866, 280 kg), Stannern, Tabor, Holbrook..., Naturhistorisches Museum Wien MET 00506, ein in der Antarktis gefundener H3-Chondrit. An den Seiten ist die für Meteoriten typische Schmelzkruste sichtbar. Eingebettet in der wegen oxidierter Eisenbestandteile dunkel gefärbten Matrix sind Chondren erkennbar. (Foto: NASA/JSC) Henbury-Eisenmeteorit aus der Klasse der Oktaedriten mit mittlerer Bandbreite. (Foto: Meteorite Recon) Widmanstätten’schen Figuren (ca. 3 mm lang) und die Verwitterungsrinde zu erkennen. Bundesstaat Chihuahua gefundenen ''Chupaderos''-Meteoriten; heute im ''Palacio de Minería'', Mexiko-Stadt Ein Meteorit ist ein relativ kleiner Festkörper kosmischen Ursprungs, der die Erdatmosphäre durchquert und den Erdboden erreicht hat.
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Mineral
Kuben gewachsen ist. Ein Mineral ist ein Element oder eine chemische Verbindung, die normalerweise kristallin ist und durch geologische Prozesse entstanden ist.
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Mol
Das Mol (Einheitenzeichen: mol) ist die SI-Einheit der Stoffmenge.
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Nitride
Als Nitride bezeichnet man die chemischen Verbindungen des Stickstoffs (lat.: Nitrogenium) mit einem weiteren, weniger elektronegativen Element.
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Orthorhombisches Kristallsystem
Brookit aus Pakistan Hemimorphit Das orthorhombische Kristallsystem (auch rhombisches Kristallsystem genannt) gehört zu den sieben Kristallsystemen in der Kristallographie.
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Passivierung
Passivierung bezeichnet in der Oberflächentechnik die spontane Entstehung oder gezielte Erzeugung einer nichtmetallischen Schutzschicht auf einem metallischen Werkstoff, um die Sauerstoffkorrosion des Grundwerkstoffes zu verhindern oder stark zu verlangsamen.
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Phosphorsäure
Die Phosphor- oder Orthophosphorsäure ist die wichtigste Sauerstoffsäure des Phosphors und eine der wichtigsten anorganischen Säuren.
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Plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung
Die plasmaunterstützte chemische Gasphasenabscheidung (PECVD; auch engl. plasma-assisted chemical vapour deposition, PACVD, genannt) ist eine Sonderform der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), bei der die chemische Abscheidung durch ein Plasma unterstützt wird.
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Polymorphie (Stoffeigenschaft)
Als Polymorphie wird das Phänomen bezeichnet, dass ein chemisches Element, eine chemische Verbindung oder ein Mineral in mehreren Kristallformen (Modifikationen) auftritt.
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Rasterkraftmikroskop
Ein Rasterkraftmikroskop. Rechts dargestellt ist der aufgeklappte Probenkopf. Funktionsprinzip des Rasterkraftmikroskops Rasterkraftmikroskopische Abbildung der Datenschicht einer gepressten Compact Disc. Das Rasterkraftmikroskop, auch atomares Kraftmikroskop oder Atomkraftmikroskop (Abkürzungen AFM bzw. SFM, seltener RKM) genannt, ist ein spezielles Rastersondenmikroskop.
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Reaktionsbinden
Reaktionsbinden ist ein werkstoffspezifisches Verfahren aus dem Bereich der keramischen Werkstoffe, bei dem ein Metall mit einem Gas reagiert.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Siliciumcarbid
Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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Sintern
Gesinterter offenporiger Metallschaum Sinterhartmetall mit einer Hartstoffbeschichtung Sintern ist ein Verfahren zur Herstellung oder Veränderung von Werkstoffen.
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Stickstoff
Stickstoff ist ein chemisches Element mit der Ordnungszahl 7 und dem Elementsymbol N. Im Periodensystem steht es in der fünften Hauptgruppe bzw.
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Trigonales Kristallsystem
Das Trigonale Kristallsystem gehört zu den sieben Kristallsystemen in der Kristallographie.
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Wafer
Wafer von 2 Zoll bis 8 Zoll Als Wafer (für „dünner Keks“ oder „dünne Brotscheibe“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, etwa ein Millimeter dicke Scheiben bezeichnet.
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Wendeschneidplatte
Hartmetall-Wendeschneidplatten Wendeschneidplatten bestehen aus Hartmetall, Cermet, polykristallinem kubischem Bornitrid (CBN), polykristallinem Diamant (PKD) oder Schneidkeramik oder seltener aus HSS beziehungsweise HSSE/HSS-PM und dienen als Schneidstoffträger zur Zerspanung von beispielsweise Metallen, Kunststoffen oder Holz.
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Yttriumoxid
Yttriumoxid ist eine chemische Verbindung, genauer das Oxid von Yttrium.
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3M Technical Ceramics
3M Technical Ceramics (früher Elektroschmelzwerk Kempten, bis 2015 ESK Ceramics GmbH & Co. KG) ist ein in Kempten (Allgäu) ansässiges Unternehmen und eine Zweigniederlassung von 3M Deutschland.
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