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32 Beziehungen: Beweglichkeit (Physik), Bipolartransistor, Bor, Chemische Gasphasenabscheidung, Defektelektron, Digitaltechnik, Dotierung, Elektron, Elektronik, Epitaxie, Frequenz, Galliumarsenid, Germanium, Gestrecktes Silicium, Halbleiter, Heteroübergang, Heterojunction bipolar transistor, High-k+Metal-Gate-Technik, Hochfrequenz, Mechanische Spannung, Millersche Indizes, Monogerman, Plasma-unterstütztes Ätzen, Prozessor, Robert Bosch GmbH, Ruhr-Universität Bochum, Silane, Silicium, Stoffmengenanteil, Technologie, Transitfrequenz, Wafer.
Beweglichkeit (Physik)
Die Beweglichkeit \textstyle b bzw.
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Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Bor
Bor ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol B und der Ordnungszahl 5.
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Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
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Defektelektron
Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
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Digitaltechnik
Analoges Signal – digital abgetastet Die Digitaltechnik ist ein Teilgebiet der technischen Informatik und der Elektronik und befasst sich mit digitalen Schaltungen.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Elektronik
Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.
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Epitaxie
Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.
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Frequenz
Die Frequenz (von; auch Schwingungszahl genannt) ist in Physik und Technik ein Maß dafür, wie schnell bei einem periodischen Vorgang die Wiederholungen aufeinander folgen, z. B.
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Germanium
Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.
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Gestrecktes Silicium
Gestrecktes Silicium ist ein Verfahren in der Halbleitertechnik, bei dem durch mechanische Spannungen die Ladungsträgermobilität von Elektronen und Defektelektronen im Kanal (aus Silicium) eines Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistors beeinflusst wird.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Heteroübergang
Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ''ohne Kontakt''. Heteroübergang dieser Materialien ''mit Kontakt''. Diffusionsspannung \psi_D (siehe p-n-Übergang). Der Energieunterschied zum Vakuumenergieniveau entspricht der Ionisationsenergie. Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet.
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Heterojunction bipolar transistor
Der Heterojunction Bipolar Transistor (engl., HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang« bzw. »Heteroübergangs-Bipolartransistor«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emitter- bzw.
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High-k+Metal-Gate-Technik
Schematischer Querschnitt durch den Gate-Aufbau eines Transistors in High-k+Metal-Gate-Technik Die High-k+Metal-Gate-Technik (HKMG-Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFETs) moderner integrierter Schaltkreise (IC).
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Hochfrequenz
Hochfrequenz (HF) ist in der Elektrotechnik die Bezeichnung für Frequenzen über denen von hörbaren Schallwellen (welche als Niederfrequenz bezeichnet werden).
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Mechanische Spannung
Die mechanische Spannung (Formelzeichen \sigma (kleines Sigma) und \tau (kleines Tau)) ist ein Maß für die innere Beanspruchung eines Körpers infolge seiner Belastung.
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Millersche Indizes
Würfel Die millerschen Indizes der Kristallographie (auch Miller’sche Indizes oder seltener Miller-Indizes) wurden im Jahr 1839 von William Hallowes Miller (1801–1880) vorgeschlagen.
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Monogerman
Monogerman (GeH4) ist die einfachste chemische Verbindung aus der Gruppe der Germane (eine Verbindung aus Germanium und Wasserstoff).
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Plasma-unterstütztes Ätzen
Plasma-unterstütztes Ätzen (physikalisch-chemisches Ätzen) bezeichnet eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren in der Halbleitertechnologie.
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Prozessor
Die''“ eines Intel 80486DX2 Ein Computer-Prozessor ist ein (meist stark verkleinertes und meist frei) programmierbares Rechenwerk, also eine elektronische Schaltung, die gemäß übergebenen Befehlen Aktionen ausführt, wie andere elektronische Schaltungen und Mechanismen zu steuern.
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Robert Bosch GmbH
Verwaltung der Robert Bosch GmbH in Gerlingen Die Robert Bosch GmbH ist ein 1886 von Robert Bosch gegründetes deutsches Unternehmen mit Sitz in Stuttgart und Hauptverwaltung im nordwestlich von Stuttgart gelegenen Gerlingen, das unter anderem als Automobilzulieferer, als Hersteller von Industrietechnik (Rexroth), von Gebrauchsgütern (Elektrowerkzeuge, Haushaltsgeräte) sowie von Energie- und Gebäudetechnik (Thermotechnik, Sicherheitssysteme) tätig ist.
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Ruhr-Universität Bochum
Luftbild der Universität Die Ruhr-Universität Bochum aus der Luft Die Ruhr-Universität Bochum (RUB) in Bochum ist mit 41.609 Studierenden (Stand WS 2022/23) eine der zehn größten Universitäten in Deutschland.
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Silane
Die Bezeichnung Silane steht nach den IUPAC-Regeln für eine Stoffgruppe chemischer Verbindungen, die aus einem Silicium-Grundgerüst und Wasserstoff bestehen.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Stoffmengenanteil
Der Stoffmengenanteil (Formelzeichen: x, bei Gasgemischen optional y, daneben auch \chi), früher auch als Molenbruch oder fälschlich Molbruch bezeichnet, ist gemäß DIN 1310 eine sogenannte Gehaltsgröße, also eine physikalisch-chemische Größe zur quantitativen Beschreibung der Zusammensetzung von Stoffgemischen/Mischphasen.
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Technologie
Technischen Universität Berlin Technologie im heutigen Sinne ist die Wissenschaft und Lehre von der Technik zur Planung und Herstellung von Industrieprodukten.
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Transitfrequenz
Die Transitfrequenz bezeichnet diejenige Frequenz eines verstärkenden Systems, bei der keine Verstärkung mehr stattfindet, das heißt 0 dB beträgt, und bildet damit die theoretische Obergrenze für einen sinnvollen Einsatz.
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Wafer
Wafer von 2 Zoll bis 8 Zoll Als Wafer (für „dünner Keks“ oder „dünne Brotscheibe“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, etwa ein Millimeter dicke Scheiben bezeichnet.
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Leitet hier um:
Silicium-germanium, Siliziumgermanium.
