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35 Beziehungen: Aluminium, Ausbeute (Halbleitertechnik), Austrittsarbeit, Bell Laboratories, Chemische Gasphasenabscheidung, Complementary metal-oxide-semiconductor, Dotierung, Einkristall, Fairchild (Flugzeughersteller), Federico Faggin, Halbleiter, High-k+Metal-Gate-Technik, HMOS, Integrationsgrad, Integrierter Schaltkreis, Intel 4004, Intel 80386, Intel 8080, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Leiterbahn, Metallische Gate-Elektrode, Mikroelektronik, Millersche Indizes, NMOS-Logik, Overlay (Halbleitertechnik), Planartechnik, PMOS, Polysiliziumverarmung, Prozessor, Schmelzpunkt, Siemens-Verfahren, Silicium, Technologieknoten, Thermische Oxidation von Silizium, Wafer.
Aluminium
Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.
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Ausbeute (Halbleitertechnik)
Die Ausbeute bei der Herstellung von integrierten Schaltkreisen (ICs) dient als Maßzahl zur Bewertung des Produktionsprozesses bzw.
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Austrittsarbeit
Die Austrittsarbeit (oder Auslösearbeit, Ablösearbeit) ist die Arbeit, also die Energie, die mindestens aufgewandt werden muss, um ein Elektron aus einem ungeladenen Festkörper zu lösen.
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Bell Laboratories
Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Haupteingang Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Die Bell Laboratories (auch Bell Labs, früher Bell Telephone Laboratories, kurz BTL) sind die ehemalige Forschungsabteilung der Telefongesellschaft AT&T, in der im Laufe des 20.
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Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Einkristall
Monokristallines Silicium (Ingot) für die Wafer-Herstellung Ein Einkristall oder Monokristall ist ein makroskopischer Kristall, dessen Bausteine (Atome, Ionen oder Moleküle) ein durchgehendes einheitliches, homogenes Kristallgitter bilden.
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Fairchild (Flugzeughersteller)
Fairchild in San Antonio, Texas, war ein ursprünglich US-amerikanischer Flugzeughersteller.
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Federico Faggin
Federico Faggin Federico Faggin (* 1. Dezember 1941 in Vicenza in Italien) ist ein italienischer Mikrochip-Spezialist und Unternehmer.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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High-k+Metal-Gate-Technik
Schematischer Querschnitt durch den Gate-Aufbau eines Transistors in High-k+Metal-Gate-Technik Die High-k+Metal-Gate-Technik (HKMG-Technik) bezeichnet in der Halbleitertechnik einen speziellen Aufbau von Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MISFETs) moderner integrierter Schaltkreise (IC).
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HMOS
HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter).
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Integrationsgrad
Der Integrationsgrad bezeichnet die absolute Anzahl Transistoren in einem integrierten Schaltkreis (IC).
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Intel 4004
Der Intel 4004 ist ein 4-Bit-Mikroprozessor des Mikrochipherstellers Intel, der am 9.
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Intel 80386
Der 80386 ist ein x86-Prozessor mit 32-Bit-Architektur, die von Intel unter dem Markennamen i386 (anfangs iAPX 386) als Nachfolger des 80286 entwickelt und von 1985 bis September 2007 produziert wurde.
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Intel 8080
Der Intel 8080 ist ein 1974 eingeführter 8-Bit-Mikroprozessor in NMOS-Technologie von Intel.
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Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.
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Leiterbahn
Leiterbahnen (auch Leitbahnen oder selten Leitungsbahnen) sind in der Mikroelektronik elektrisch leitende Verbindungen mit zweidimensionalem Verlauf, d. h.
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Metallische Gate-Elektrode
Eine metallische Gate-Elektrode bezeichnet im Bereich der Halbleitertechnik eine aus Metall bestehende Gate-Elektrode (Steuerelektrode) eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors (IGFET, z. B. MOSFET).
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Mikroelektronik
Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik.
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Millersche Indizes
Würfel Die millerschen Indizes der Kristallographie (auch Miller’sche Indizes oder seltener Miller-Indizes) wurden im Jahr 1839 von William Hallowes Miller (1801–1880) vorgeschlagen.
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NMOS-Logik
Die NMOS-Logik (von) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient.
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Overlay (Halbleitertechnik)
Overlay-Versatz (Überlagerungsversatz) zweier Linienstrukturen. Deutlich zu sehen sind die ungleichmäßigen Abstände, die durch den Overlay-Versatz entstehen und die Qualität des Produktes entscheidend beeinflussen können. Der englischsprachige Begriff Overlay bezeichnet im Bereich der Halbleitertechnik die Überdeckungsgenauigkeit von Strukturen aus unterschiedlichen Fertigungsschritten, in der Regel zweier fotolithografischer Ebenen.
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Planartechnik
Die Planartechnik (auch Planarprozess) ist ein in der Halbleiterfertigung eingesetzter Prozess zur Herstellung von Transistoren (Planartransistoren) und integrierten Schaltungen.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
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Polysiliziumverarmung
Die Polysiliziumverarmung ist ein physikalisches Phänomen, das in der Halbleitertechnik bei Feldeffekttransistoren, welche aus dem Gate-Material Polysilizium bestehen (vgl. Silizium-Gate-Technik), auftreten kann.
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Prozessor
Die''“ eines Intel 80486DX2 Ein Computer-Prozessor ist ein (meist stark verkleinertes und meist frei) programmierbares Rechenwerk, also eine elektronische Schaltung, die gemäß übergebenen Befehlen Aktionen ausführt, wie andere elektronische Schaltungen und Mechanismen zu steuern.
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Schmelzpunkt
Als Schmelztemperatur (vulgo Schmelzpunkt (Smp.), engl. Melting point (Mp.)) bezeichnet man die Temperatur, bei der ein Stoff schmilzt, das heißt vom festen in den flüssigen Aggregatzustand übergeht.
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Siemens-Verfahren
Resultat des Verfahrens: Polykristallines Solarsilicium Das Siemens-Verfahren ermöglicht die Herstellung von polykristallinem Silicium von hoher Reinheit.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Technologieknoten
Der Begriff Technologieknoten bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch herstellbare Strukturgröße.
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Thermische Oxidation von Silizium
Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird.
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Wafer
Wafer von 2 Zoll bis 8 Zoll Als Wafer (für „dünner Keks“ oder „dünne Brotscheibe“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, etwa ein Millimeter dicke Scheiben bezeichnet.
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