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10 Beziehungen: Akronym, Complementary metal-oxide-semiconductor, Halbleiter, HCMOS, Integrierter Schaltkreis, Metalle, NMOS-Logik, Oxide, PMOS, Strukturgröße.
Akronym
Ein Akronym (von sowie ónoma, dorisch und äolisch de) ist ein Sonderfall der Abkürzung.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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HCMOS
HCMOS ist ein Akronym für das englische high speed complementary metal oxide semiconductor (dt. „komplementärer Hochgeschwindigkeits-Metall-Oxid-Halbleiter“, vgl. MOSFET).
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Metalle
Metalle (von „Bergwerk, Erz, Metall“) bilden diejenigen chemischen Elemente, die sich im Periodensystem der Elemente links und unterhalb einer Trennungslinie von Bor bis Astat befinden.
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NMOS-Logik
Die NMOS-Logik (von) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient.
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Oxide
Kupfer(II)-oxid Mennige, Blei(II,IV)-oxid Ein Quarzkristall – chemisch gesehen reines Siliciumdioxid Korund-Kristalle sind eine natürlich vorkommende, farblose Modifikation des Aluminiumoxids. Bekannte Farbvarietäten sind der blaue Saphir (gefärbt durch Fe/Ti) und der rote Rubin (gefärbt durch Cr). Stickstoffdioxid ist ein braunes, giftiges Gas Oxide (ältere Schreibung und auch allgemeinsprachlich Oxyde; von griech. ὀξύς, oxýs ‚scharf‘, ‚spitz‘, ‚sauer‘) sind Sauerstoff-Verbindungen eines Elements, in denen der Sauerstoff die Oxidationszahl −2 hat.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
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Strukturgröße
Technologiequerschnitt eines Feld­effekt­transistors mit isoliertem Gate (IGFET) (hier: n-Kanal-MOSFET) Die Strukturgröße oder auch Strukturbreite ist eine Größenangabe der Halbleitertechnik, Mikroelektronik und Nanoelektronik.
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