Inhaltsverzeichnis
13 Beziehungen: Bipolartransistor, Bor, Chemische Gasphasenabscheidung, Dotierung, Epitaxialtransistor, Epitaxie, Feldeffekttransistor, Ohmscher Kontakt, P-n-Übergang, Phosphor, Silicium, Siliciumdioxid, Sperrschicht-Feldeffekttransistor.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
Sehen Gridistor und Bipolartransistor
Bor
Bor ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol B und der Ordnungszahl 5.
Sehen Gridistor und Bor
Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
Sehen Gridistor und Chemische Gasphasenabscheidung
Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
Sehen Gridistor und Dotierung
Epitaxialtransistor
Zwei PNP-Epitaxialtransistor ''BCP53'' von ON Semiconductor in einem SOT223-Gehäuse verbaut in einer Fritz!Box Fon WLAN 7270. Als Epitaxialtransistor, auch epitaktischer Transistor oder Epitaxietransistor, wird allgemein ein Transistor mit einer oder mehr epitaktisch abgeschiedenen Schichten bezeichnet.
Sehen Gridistor und Epitaxialtransistor
Epitaxie
Epitaxie (von altgriechisch áŒπÎŻ epí „auf, über“ und τÎŹξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.
Sehen Gridistor und Epitaxie
Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
Sehen Gridistor und Feldeffekttransistor
Ohmscher Kontakt
Unter einem ohmschen Kontakt wird in der Halbleiterelektronik ein Übergang zwischen einem Metall und einem Halbleiter mit niedrigem elektrischen Widerstand verstanden, welcher sich wie ein ohmscher Widerstand verhält und keine gleichrichtende Wirkung, wie der Schottky-Kontakt, aufweist.
Sehen Gridistor und Ohmscher Kontakt
P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
Sehen Gridistor und P-n-Übergang
Phosphor
Phosphor (von, vom Leuchten des weißen Phosphors bei der Reaktion mit Sauerstoff) ist ein chemisches Element mit dem Symbol P und der Ordnungszahl 15.
Sehen Gridistor und Phosphor
Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
Sehen Gridistor und Silicium
Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
Sehen Gridistor und Siliciumdioxid
Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.