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Arbeitspunkt
Der Arbeitspunkt, auch Betriebspunkt oder -zustand genannt, ist ein bestimmter Punkt im Kennfeld oder auf der Kennlinie eines technischen Gerätes, der aufgrund der Systemeigenschaften und einwirkenden äußeren Einflüsse und Parameter eingenommen wird.
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Auto-Zero-Verstärker
Ein Auto-Zero-Verstärker ist eine elektronische Schaltung zur Verstärkung sehr kleiner Gleichspannungen in der Messtechnik.
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Automatische Verstärkungsregelung
Eine automatische Verstärkungsregelung (kurz AGC, von) dient in elektronischen Geräten dazu, den Ausgangspegel eines Verstärkers konstant zu halten, auch wenn sich die Amplitude des eingehenden Signals stark ändert.
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Beweglichkeit (Physik)
Die Beweglichkeit \textstyle b bzw.
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Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Chopper-Verstärker
Ein Chopper-Verstärker (oder auch Zerhacker-Verstärker) ist eine elektronische Schaltung zur Verstärkung sehr kleiner Gleichspannungen in der Messtechnik.
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Datenblatt
Datenblatt eines Controllerbausteins für ein Diskettenlaufwerk Ein Datenblatt wird vom Hersteller eines Produkts herausgegeben und erläutert die genauen Eigenschaften, Einsatzmöglichkeiten und technischen Daten dieses Produkts.
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Diffusionsspannung
Die Diffusionsspannung U_D, selten auch Antidiffusionsspannung genannt, ist die Potentialdifferenz (elektrische Spannung) über eine Raumladungszone, die der Diffusion von Ladungsträgern (Elektronen und Defektelektronen) entgegenwirkt.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Early-Effekt
Early-Spannung im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten-Modulation (''Early-Effekt'') Schema eines npn-Bipolartransistors pnp-Transistor''U''CE (oben) CE (unten) Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt in der Halbleitertechnik die Änderung der effektiven Basisweite W eines Bipolartransistors durch die Kollektor-Emitter-Spannung UCE.
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Elektrische Feldstärke
Die physikalische Größe elektrische Feldstärke beschreibt die Stärke und Richtung eines elektrischen Feldes, also die Fähigkeit dieses Feldes, Kraft auf Ladungen auszuüben.
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Elektrische Kapazität
Die elektrische Kapazität (Formelzeichen C, von; Adjektiv kapazitiv) ist eine physikalische Größe aus dem Bereich der Elektrostatik, Elektronik und Elektrotechnik.
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Elektrische Spannung
Die elektrische Spannung (oft auch vereinfacht nur als Spannung bezeichnet) ist eine grundlegende physikalische Größe der Elektrotechnik und Elektrodynamik.
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Elektrischer Widerstand
Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.
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Elektronenröhre
Radioröhren: ECC85, EL84 und EABC80 Senderöhre in Betrieb Rimlock-Pentode EF42 Eine Elektronenröhre ist ein aktives elektrisches Bauelement mit Elektroden, die sich in einem evakuierten oder gasgefüllten Kolben aus Glas, Stahl oder Keramik befinden.
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Elementarladung
Die Elementarladung (Symbol: e) ist die kleinste frei existierende elektrische Ladungsmenge.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Friedrich-Wilhelm Gundlach
Friedrich-Wilhelm Gundlach (* 2. Februar 1912 in Berlin; † 27. Januar 1994 ebenda) war ein deutscher Elektroingenieur.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Hans Heinrich Meinke
Hans Heinrich Meinke (* 25. Mai 1911 in Hamburg; † 15. September 1980 in München) war ein deutscher Elektroingenieur.
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Heinrich Welker
Heinrich Johann Welker (* 9. September 1912 in Ingolstadt; † 25. Dezember 1981 in Erlangen) war ein deutscher Physiker, insbesondere auf dem Gebiet der Halbleitertechnik.
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Herbert Mataré
Herbert F. Mataré (1950) Herbert Franz Mataré (* 22. September 1912 in Aachen; † 2. September 2011) war ein deutscher Physiker.
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Intermodulation
Die Intermodulation (IM oder IMD) bezeichnet die Entstehung von Frequenzen, wenn zwei oder mehr unterschiedliche Frequenzen durch ein System mit nichtlinearer Übertragungsfunktion verarbeitet werden.
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Julius Edgar Lilienfeld
Julius Edgar Lilienfeld (Passbild seines US-amerikanischen Ausweises, also aus der Zeit ab 1934) Julius Edgar Lilienfeld (* 18. April 1882 in Lemberg; † 28. August 1963 in Charlotte Amalie, Virgin Islands) war ein US-amerikanischer Physiker österreichisch-ungarischer Herkunft.
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Kleinsignal-Ersatzschaltbild
Das Verhalten elektronischer Bauelemente oder Schaltungen lässt sich wegen ihrer in der Regel nicht linearen Eigenschaften nur schwer oder gar nicht berechnen.
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Kleinsignalverhalten
Das Kleinsignalverhalten beschreibt das Verhalten eines Systems bei Aussteuerung mit kleinen Signalen, wobei das Wort „klein“ nicht als geringer Abstand zum Nullpunkt, sondern zu einem Arbeitspunkt zu verstehen ist.
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Konstantstromquelle
Die Konstantstromquelle ist eine elektrische Schaltung, um eine ideale Stromquelle nachzubilden.
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Lambda-Diode
Schaltung einer Lambda-Diode mit zwei JFETs. I-U-Kennlinie Eine Lambda-Diode ist eine elementare elektrische Schaltung mit zwei Anschlüssen, welche aus zwei Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFETs) besteht und ähnlich wie eine Tunneldiode in ihrer Kennlinie einen differentiellen negativen Widerstand aufweist.
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Liste von Halbleitergehäusen
Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Phototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber Umwelteinflüssen, zur weiteren Verarbeitung, zum elektrischen Anschluss und zur Wärmeableitung ein Gehäuse.
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Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Prinzipskizze eines n-Kanal-MESFETs Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MeSFET) ist ein zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) gehörendes elektronisches Halbleiterbauelement.
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Metall-Halbleiter-Kontakt
Als Metall-Halbleiter-Kontakt wird in der Halbleiterphysik und -technik im Allgemeinen ein Kontakt zwischen Metallen und Halbleitern bezeichnet.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Mikrofon
Ein Mikrofon, oder Mikrophon (von „klein, gering“ und phōnē „Laut, Ton, Stimme, Sprache“), ist ein Schallwandler, der Luftschall als Schallwechseldruckschwingungen in entsprechende elektrische Spannungsänderungen als Mikrofonsignal umwandelt.
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Mischer (Elektronik)
Mischer werden in der Kommunikationstechnik zur Frequenzumsetzung von elektrischen Signalen verwendet.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Pentode
'''Pentodensymbol''' ''Elemente von oben nach unten A: Anode G3: Bremsgitter G2: Schirmgitter G1: Steuergitter K: Kathode f: Heizung'' Eine Pentode ist eine Elektronenröhre mit fünf Elektroden.
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Piezoelektrischer Sensor
Piezoelektrische Sensoren arbeiten mit dem piezoelektrischen Effekt und haben sich als universelles Instrument zum Messen verschiedener Prozesse erwiesen.
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Quadratische Funktion
Die Normalparabel, der Graph der Quadratfunktion Eine quadratische Funktion (auch ganzrationale Funktion zweiten Grades) ist eine Funktion, die als Funktionsterm ein Polynom vom Grad 2 besitzt, also von der Form ist.
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Raumladungszone
Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.
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Schaltzeichen
Schaltzeichen in den USA. Links für elektrische Schaltkreise. Rechts für logische Verschaltung. Ein Schaltzeichen ist ein in einem Schaltplan der Elektrotechnik verwendetes, standardisiertes, graphisches Symbol für Bauelemente, Bauteile, Geräteteile, Geräte und Leitungen innerhalb einer elektrischen Schaltung.
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Schottky-Diode
Handelsübliche Schottky-Dioden in unterschiedlichen Gehäusen HP 5082-2800 Schottky-Dioden Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine auf schnelles Schalten oder einen niedrigeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung optimierte Diode.
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Steilheit
Der Begriff Steilheit wird in der Technik häufig für den Anstieg einer Kennlinie verwendet.
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Stromkreis
Ein elektrischer Stromkreis ist ein System von elektrischen Leitern, das einen geschlossenen Weg darstellt.
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Stromregeldiode
Schaltzeichen (links) und Innenschaltung (rechts) einer Stromregeldiode. Anode und Kathode sind mit „a“ und „c“ gekennzeichnet. Eine Stromregeldiode oder Strombegrenzerdiode ist ein elektronisches Bauelement, das in einer Richtung ab einer bestimmten Spannung einen konstanten Strom führt und diesen Wert stabilisiert.
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Tunneldiode
Jumper mit ca. 3 mm zum Größenvergleich Die Tunneldiode, 1957 entdeckt vom japanischen Wissenschaftler Leo Esaki (deshalb auch Esaki-Diode genannt), ist ein Hochfrequenz-Halbleiterbauelement, das in bestimmten Spannungsbereichen einen negativ differentiellen Widerstand darstellt.
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Walter Houser Brattain
Walter H. Brattain (1956) Walter Houser Brattain (* 10. Februar 1902 in Amoy, Kaiserreich China; † 13. Oktober 1987 in Seattle, Washington) war ein US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger.
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William Bradford Shockley
William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.
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Leitet hier um:
JFET, Junction Field Effect Transistor, SFET, Sperrschicht-FET, Sperrschichtfeldeffekttransistor.
