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22 Beziehungen: Active Pixel Sensor, Amorphes Material, Amorphes Silicium, Anwendungsspezifische integrierte Schaltung, Bildfrequenz, Bildsensor, CCD-Sensor, Complementary metal-oxide-semiconductor, Dünne Schichten, Dynamikumfang, Elektromagnetisches Spektrum, Gitterfehler, Infineon, Leckstrom, Mikrofluidik, Philip Morris International, Photodetektor, Photodiode, Photon, Pixel, Staebler-Wronski-Effekt, Universität Siegen.
Active Pixel Sensor
Ein Active Pixel Sensor (APS; deutsch aktiver Pixelsensor) ist ein Halbleiterdetektor zur Lichtmessung, der in CMOS-Technik gefertigt ist und deshalb oft als CMOS-Sensor bezeichnet wird.
Sehen TFA-Sensor und Active Pixel Sensor
Amorphes Material
Als amorphes Material („Gestalt, Form“ mit vorgesetztem Alpha privativum a-, Sinn also etwa „ohne Gestalt“) bezeichnet man in der Physik und der Chemie einen Stoff, bei dem die Atome keine geordneten Strukturen, sondern ein unregelmäßiges Muster bilden und lediglich über Nahordnung, nicht aber Fernordnung verfügen.
Sehen TFA-Sensor und Amorphes Material
Amorphes Silicium
Amorphes Silicium (a-Si) ist eine nichtkristalline Form des reinen Halbleiters Silicium.
Sehen TFA-Sensor und Amorphes Silicium
Anwendungsspezifische integrierte Schaltung
Eine anwendungsspezifische integrierte Schaltung (ASIC, auch Custom Chip) ist eine elektronische Schaltung, die als integrierter Schaltkreis realisiert wurde.
Sehen TFA-Sensor und Anwendungsspezifische integrierte Schaltung
Bildfrequenz
Die Bildfrequenz (präziser Bildwechselfrequenz), oder auch Bildrate ist ein Begriff aus der Film- und Videotechnik.
Sehen TFA-Sensor und Bildfrequenz
Bildsensor
CCD-Sensor auf flexibler Leiterplatte Bildsensor und Hauptplatine einer Digitalkamera Schematischer Aufbau in einer Fotokamera Ein Bildsensor ist eine Vorrichtung zur Aufnahme von zweidimensionalen Abbildern aus Licht auf elektrischem oder mechanischem Wege.
Sehen TFA-Sensor und Bildsensor
CCD-Sensor
CCD-Sensoren sind lichtempfindliche elektronische Bauelemente, die auf dem inneren Photoeffekt beruhen.
Sehen TFA-Sensor und CCD-Sensor
Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
Sehen TFA-Sensor und Complementary metal-oxide-semiconductor
Dünne Schichten
Unter dünnen Schichten, Dünnschicht oder Film (auch thin layer) versteht man Schichten fester Stoffe mit Dicken im Mikro- beziehungsweise Nanometerbereich.
Sehen TFA-Sensor und Dünne Schichten
Dynamikumfang
Dynamikumfang, auch Dynamikbereich oder einfach nur Dynamik oder Kontrastumfang, bezeichnet in allgemeinen technischen, physikalischen oder mathematischen Zusammenhängen den Quotienten aus Maximum und Minimum einer physikalischen Größe oder Funktion.
Sehen TFA-Sensor und Dynamikumfang
Elektromagnetisches Spektrum
Das elektromagnetische Spektrum, auch EM-Spektrum oder elektromagnetisches Wellenspektrum ist die Gesamtheit aller elektromagnetischen Wellen verschiedener Wellenlängen.
Sehen TFA-Sensor und Elektromagnetisches Spektrum
Gitterfehler
Als Gitterfehler (auch Gitterdefekt oder Kristall(bau)fehler) wird jede Unregelmäßigkeit in einem sonst periodischen Kristallgitter bezeichnet.
Sehen TFA-Sensor und Gitterfehler
Infineon
Campeon: Infineon-Hauptsitz in Neubiberg bei München Campeon: Infineon-Hauptsitz in Neubiberg bei München Die Infineon Technologies AG ist ein deutscher Halbleiterhersteller.
Sehen TFA-Sensor und Infineon
Leckstrom
Als Leckstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Elektronik einen elektrischen Strom, der in Halbleiterbauelementen über einen Pfad fließt, der nicht zur Leitung von Strom vorgesehen ist.
Sehen TFA-Sensor und Leckstrom
Mikrofluidik
Die Mikrofluidik beschäftigt sich mit dem Verhalten von Flüssigkeiten und Gasen auf kleinstem Raum.
Sehen TFA-Sensor und Mikrofluidik
Philip Morris International
Philip Morris International Inc. (PMI) ist der weltweit größte privatwirtschaftliche Hersteller von Tabakprodukten.
Sehen TFA-Sensor und Philip Morris International
Photodetektor
Datei:Photomultiplier 6363 04.jpg|Photomultiplier (Frontansicht) Datei:Photomultiplier 6363 02.jpg|Photomultiplier (Seitenansicht) Datei:Ccd-sensor.jpg|CCD-Sensor Datei:Photodiode-closeup.jpg|Photodiode Datei:fototransb.jpg|Fototransistor Datei:Fotocelda.jpg|Fotowiderstand Als Photodetektor, auch Lichtsensor oder optischer Detektor, optoelektronischer Sensor, werden elektronische Bauelemente bezeichnet, die Licht unter Benutzung des photoelektrischen Effekts in ein elektrisches Signal umwandeln oder einen von der einfallenden Strahlung abhängigen elektrischen Widerstand zeigen.
Sehen TFA-Sensor und Photodetektor
Photodiode
Verschiedene Bauformen von Photodioden Eine Photodiode oder auch Fotodiode ist eine Halbleiter-Diode, die Licht – im sichtbaren, IR- oder UV-Bereich, oder bei Verwendung von Szintillatoren auch Röntgenstrahlen – an einem p-n-Übergang oder pin-Übergang durch den inneren Photoeffekt in einen elektrischen Strom umwandelt oder – je nach Beschaltung – diesem einen beleuchtungsabhängigen Widerstand bietet.
Sehen TFA-Sensor und Photodiode
Photon
Photonen (von altgriechisch φῶς phĆs „Licht“; Einzahl „das Photon“), auch Lichtquanten oder Lichtteilchen, sind anschaulich gesagt die Energie-„Pakete“, aus denen elektromagnetische Strahlung besteht.
Sehen TFA-Sensor und Photon
Pixel
Mit Pixel, Bildpunkt, Bildzelle oder Bildelement (selten Pel) werden die einzelnen Farbwerte einer digitalen Rastergrafik bezeichnet sowie die zur Erfassung oder Darstellung eines Farbwerts nötigen Flächenelemente bei einem Bildsensor beziehungsweise Bildschirm mit Rasteransteuerung.
Sehen TFA-Sensor und Pixel
Staebler-Wronski-Effekt
Der Staebler-Wronski-Effekt (SWE) bezieht sich auf lichtinduzierte metastabile Veränderungen in den Eigenschaften von hydriertem amorphem Silizium (a-Si:H).
Sehen TFA-Sensor und Staebler-Wronski-Effekt
Universität Siegen
Die Universität Siegen (bis 2003: Universität-Gesamthochschule Siegen) ist eine Hochschule in Siegen.
Sehen TFA-Sensor und Universität Siegen