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26 Beziehungen: Aluminiumgalliumarsenid, Bandlücke, Defektelektron, Diodenlaser, Dotierung, Elektron, Energieniveau, Galliumarsenid, Gitterparameter, Halbleiter, Heteroübergang, High-electron-mobility transistor, Kristallstruktur, Molekularstrahlepitaxie, Monolage, Nanotechnologie, Physik Journal, Polariton, Quantendraht, Quantenkaskadenlaser, Quantenmechanik, Quantenpunkt, Quantentopf-Infrarot-Photodetektor, Teilchen im Kasten, Zustandsdichte, Zweidimensionales Elektronengas.
Aluminiumgalliumarsenid
Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke.
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Bandlücke
Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.
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Defektelektron
Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
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Diodenlaser
Online.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Energieniveau
Niveauschema für die einzelnen Elektronen im Atomorbitalmodell Ein Energieniveau eines Quantensystems (etwa eines Atoms, Moleküls oder Atomkerns) ist die Energie eines stationären oder metastabilen quantenmechanischen Zustands des Systems.
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Gitterparameter
Ein Gitterparameter oder eine Gitterkonstante, manchmal auch Zellparameter genannt, ist entweder eine Längenangabe oder ein Winkel, der zur Beschreibung eines Gitters, insbesondere der kleinsten Einheit des Gitters, der Elementarzelle, benötigt wird.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Heteroübergang
Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ''ohne Kontakt''. Heteroübergang dieser Materialien ''mit Kontakt''. Diffusionsspannung \psi_D (siehe p-n-Übergang). Der Energieunterschied zum Vakuumenergieniveau entspricht der Ionisationsenergie. Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet.
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High-electron-mobility transistor
Querschnitt eines InGaAs-pseudomorphen HEMT Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. „Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit“) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines MESFET.
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Kristallstruktur
Die atomare Struktur kristalliner Festkörper wird durch die beiden Begriffe ''Gitter'' und Basis beschrieben: das Punktgitter ist ein translationssymmetrisches mathematisches Konstrukt, in dem jedem Punkt die Basis zugeordnet wird.
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Molekularstrahlepitaxie
Molekularstrahlepitaxie (MBE) ist ein Verfahren der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD), um kristalline dünne Schichten (bzw. Schichtsysteme) herzustellen.
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Monolage
Der Begriff Monolage (engl.: Monolayer) oder Monoschicht bezeichnet abhängig vom Fachgebiet eine Schicht von Atomen, Molekülen oder Zellen auf einer Oberfläche, wobei die Schichthöhe nur ein Atom (d. h. eine Atomlage), ein Molekül oder eine Zelle beträgt.
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Nanotechnologie
Carbon-Nanotubes (h) sind Nanotechnologie und werden schon jetzt in vielen Gebieten eingesetzt Schon heute liegt die Größenordnung der Transistoren (siehe Bild) eines handelsüblichen Mikroprozessors im Bereich der Nanotechnologie. Es werden 5 nm breite Strukturen erreicht. Der Sammelbegriff Nanotechnologie, oft auch Nanotechnik (nános ‚Zwerg‘), gründet auf der allen Nano-Forschungsgebieten zu Grunde liegenden gleichen Größenordnung der Nanopartikel vom Einzel-Atom bis zu einer Strukturgröße von 100 Nanometern (nm): Ein Nanometer ist ein Milliardstel Meter (10−9 m).
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Physik Journal
Das Physik Journal (bis 2001 Physikalische Blätter) ist die Mitgliederzeitschrift und das offizielle Mitteilungsorgan der Deutschen Physikalischen Gesellschaft e. V. (DPG).
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Polariton
Ein Polariton ist in der Physik ein Quasiteilchen, das bei starker Wechselwirkung (Kopplung) eines elektromagnetischen Feldes mit einem angeregten Zustand entsteht (zum Beispiel einem Phonon oder Exziton in einem Festkörper, der ein Dipolmoment besitzt).
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Quantendraht
Der Begriff Quantendraht (engl. quantum wire) beschreibt eine räumliche Potentialstruktur, bei der die Bewegungsfreiheit von Ladungsträgern auf eine Dimension eingeschränkt wird.
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Quantenkaskadenlaser
Der Quantenkaskadenlaser (QKL), engl.
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Quantenmechanik
Die Quantenmechanik sichtbar gemacht: Rastertunnelmikroskopaufnahme von Kobaltatomen auf einer Kupferoberfläche. Das Messverfahren nutzt Effekte, die erst durch die Quantenmechanik erklärt werden können. Auch die Interpretation der beobachteten Strukturen beruht auf Konzepten der Quantenmechanik. Die Quantenmechanik ist eine physikalische Theorie, mit der die Eigenschaften und Gesetzmäßigkeiten von Zuständen und Vorgängen der Materie beschrieben werden.
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Quantenpunkt
Ein Quantenpunkt (QD) ist eine nanoskopische Materialstruktur, meist aus Halbleitermaterial (z. B. InGaAs, CdSe oder auch GaInP/InP).
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Quantentopf-Infrarot-Photodetektor
Ein Quantentopf-Infrarot-Photodetektor (kurz QWIP-Detektor) ist ein Halbleiterdetektor zum Nachweis von Infrarotstrahlung insbesondere im Bereich 8…14 µm.
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Teilchen im Kasten
Das Teilchen im Kasten ist ein Modell in der Quantenmechanik, bei dem sich ein freies Teilchen in einem Kastenpotential befindet.
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Zustandsdichte
Die Zustandsdichte D(E) bzw.
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Zweidimensionales Elektronengas
Ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) ist das Auftreten von metallischen Elektronen in einer Halbleiter-Heterostruktur, in der sich die Elektronen effektiv nur in zwei Dimensionen bewegen können.
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Leitet hier um:
Quantenfilm, Quantengraben, Quantentrog.
