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20 Beziehungen: Aluminium, Ausdehnungskoeffizient, Chemisch-mechanisches Polieren, Chemische Gasphasenabscheidung, Damascene-Prozess, Dielektrikum, Diffusion, Dual-Damascene-Prozess, Durchschlagfestigkeit, Elektrischer Kurzschluss, Elektromigration, Extrusion, Halbleitertechnik, Kupfer, Leerstelle, Leitungsbahn, Schmelzpunkt, Silicium, Siliciumdioxid, Thermische Spannung (Mechanik).
Aluminium
Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.
Sehen Hillock und Aluminium
Ausdehnungskoeffizient
Der Ausdehnungskoeffizient ist ein Kennwert, der das Verhalten eines Stoffes bezüglich Veränderungen seiner Abmessungen bei Temperaturveränderungen beschreibt – deswegen oft auch thermischer Ausdehnungskoeffizient genannt.
Sehen Hillock und Ausdehnungskoeffizient
Chemisch-mechanisches Polieren
Chemisch-mechanisches Polieren, auch chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP, engl: chemical mechanical polishing, auch chemical mechanical planarization) ist ein Polierverfahren in der Waferbearbeitung um dünne Schichten gleichmäßig abzutragen.
Sehen Hillock und Chemisch-mechanisches Polieren
Chemische Gasphasenabscheidung
Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.
Sehen Hillock und Chemische Gasphasenabscheidung
Damascene-Prozess
Der Damascene-Prozess ist, wie seine Weiterentwicklung, der Dual-Damascene-Prozess, ein Fertigungsprozess aus der Halbleitertechnik.
Sehen Hillock und Damascene-Prozess
Dielektrikum
Als Dielektrikum (Mehrzahl: Dielektrika) wird eine elektrisch schwach- oder nichtleitende Substanz bezeichnet, in der die vorhandenen Ladungsträger nicht frei beweglich sind.
Sehen Hillock und Dielektrikum
Diffusion
Modellhafte Darstellung der Durchmischung zweier Stoffe durch Diffusion Diffusion (lateinisch diffusio, von „ausgießen“, „verstreuen“, „ausbreiten“) ist der ohne äußere Einwirkung eintretende Ausgleich von Konzentrationsunterschieden in Stoffgemischen als natürlich ablaufender physikalischer Prozess aufgrund der Eigenbewegung der beteiligten Teilchen.
Sehen Hillock und Diffusion
Dual-Damascene-Prozess
Der Dual-Damascene-Prozess bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Gruppe von Prozessfolgen zur gemeinsamen („dual“) Fertigung von Leiterbahnebenen und vertikalen Zwischenverbindungen (sogenannten Vias).
Sehen Hillock und Dual-Damascene-Prozess
Durchschlagfestigkeit
Die Durchschlagfestigkeit (auch Durchschlag- / Durchbruchfeldstärke, (di)elektrische Festigkeit) eines (dielektrischen) Isolierstoffes mit definierter Dicke ist diejenige elektrische Feldstärke, welche in ihm höchstens herrschen darf, ohne dass es zu einem Spannungsdurchschlag (Lichtbogen oder Funkenschlag) kommt.
Sehen Hillock und Durchschlagfestigkeit
Elektrischer Kurzschluss
Ein elektrischer Kurzschluss ist eine nahezu widerstandslose Verbindung der beiden Pole einer elektrischen Spannungsquelle, oder allgemeiner zweier Schaltungspunkte mit normalerweise verschiedenem Potential, durch die die Spannung zwischen diesen Teilen auf einen Wert nahe null fällt.
Sehen Hillock und Elektrischer Kurzschluss
Elektromigration
Unter Elektromigration (EM) versteht man einen Materialtransport durch allmähliche Bewegung von Ionen in einem festen Leiter, der durch den elektrischen Strom verursacht wird.
Sehen Hillock und Elektromigration
Extrusion
Extrusion (Verb: extrudieren; von extrudere ‚hinausstoßen‘, ‚hinausdrängen‘) steht für.
Sehen Hillock und Extrusion
Halbleitertechnik
Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden.
Sehen Hillock und Halbleitertechnik
Kupfer
Kupfer (lateinisch Cuprum) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Cu und der Ordnungszahl 29.
Sehen Hillock und Kupfer
Leerstelle
Schematische Darstellung der Leerstellenbildung an einer Oberfläche Eine Leerstelle (englisch vacancy) ist in der Kristallographie ein Platz in der regelmäßigen Anordnung von Atomen, Ionen oder Molekülen im Kristallgitter, der unbesetzt ist.
Sehen Hillock und Leerstelle
Leitungsbahn
Leitungsbahn ist ein Begriff, der in unterschiedlichen Fachgebieten unterschiedliche Bedeutungen hat.
Sehen Hillock und Leitungsbahn
Schmelzpunkt
Als Schmelztemperatur (vulgo Schmelzpunkt (Smp.), engl. Melting point (Mp.)) bezeichnet man die Temperatur, bei der ein Stoff schmilzt, das heißt vom festen in den flüssigen Aggregatzustand übergeht.
Sehen Hillock und Schmelzpunkt
Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
Sehen Hillock und Silicium
Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
Sehen Hillock und Siliciumdioxid
Thermische Spannung (Mechanik)
Thermische Spannungen, exakter thermisch induzierte mechanische Spannungen, entstehen durch Temperaturänderungen im Zusammenhang mit den thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Materialien oder auch Materialkombinationen.