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Dual-Damascene-Prozess

Index Dual-Damascene-Prozess

Der Dual-Damascene-Prozess bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Gruppe von Prozessfolgen zur gemeinsamen („dual“) Fertigung von Leiterbahnebenen und vertikalen Zwischenverbindungen (sogenannten Vias).

22 Beziehungen: Aluminium, Chemisch-mechanisches Polieren, Damascene-Prozess, Dielektrikum, Fotolithografie (Halbleitertechnik), Galvanotechnik, Halbleitertechnik, Integrierter Schaltkreis, Keimschicht (Galvanotechnik), Korrosion, Kupfer, Leiterbahn, Low-k-Dielektrikum, Permittivität, Plasmaätzen, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumnitrid, Tantalnitrid, Tauschierung, Technologieknoten, Titannitrid.

Aluminium

Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.

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Chemisch-mechanisches Polieren

Chemisch-mechanisches Polieren, auch chemisch-mechanisches Planarisieren (CMP, engl: chemical mechanical polishing, auch chemical mechanical planarization) ist ein Polierverfahren in der Waferbearbeitung um dünne Schichten gleichmäßig abzutragen.

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Damascene-Prozess

Der Damascene-Prozess ist, wie seine Weiterentwicklung, der Dual-Damascene-Prozess, ein Fertigungsprozess aus der Halbleitertechnik.

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Dielektrikum

Als Dielektrikum (Mehrzahl: Dielektrika) wird eine elektrisch schwach- oder nichtleitende Substanz bezeichnet, in der die vorhandenen Ladungsträger nicht frei beweglich sind.

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Fotolithografie (Halbleitertechnik)

Die Fotolithografie (auch Photolithographie) ist eine der zentralen Methoden der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik zur Herstellung von integrierten Schaltungen und weiteren Produkten.

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Galvanotechnik

Galvanische Verkupferung eines Metalls (Me) im Kupfersulfatbad Galvanotechnik oder Galvanik bezeichnet die elektrochemische Abscheidung metallischer Niederschläge, also von Überzügen auf Substrate (Werkstücke) in einem elektrolytischen Bad.

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Halbleitertechnik

Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Keimschicht (Galvanotechnik)

Die Keimschicht ist in der Galvanotechnik eine dünne Schicht, die bei der elektrochemischen Abscheidung als Kristallisationskeim und Haftungsgrundlage auf einem Substrat dient.

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Korrosion

Rostende Eisenbahnschienen Korrosion (von ‚zersetzen‘, ‚zerfressen‘, ‚zernagen‘) ist aus technischer Sicht die Reaktion eines Werkstoffs mit seiner Umgebung, die eine messbare Veränderung des Werkstoffs bewirkt.

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Kupfer

Kupfer (lateinisch Cuprum) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Cu und der Ordnungszahl 29.

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Leiterbahn

Leiterbahnen (auch Leitbahnen oder selten Leitungsbahnen) sind in der Mikroelektronik elektrisch leitende Verbindungen mit zweidimensionalem Verlauf, d. h.

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Low-k-Dielektrikum

Als Low-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnologie ein Material bezeichnet, das eine niedrigere Dielektrizitätszahl als SiO2 aufweist, d. h.

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Permittivität

Die Permittivität ''ε'' (von lat. permittere: erlauben, überlassen, zulassen), auch dielektrische Leitfähigkeit, Dielektrizität oder dielektrische Funktion genannt (Dielektrizitätskonstante soll nicht verwendet werdenIEC 60050, siehe Eintrag 121-12-12.), gibt in der Elektrodynamik sowie der Elektrostatik die Polarisationsfähigkeit eines Materials durch elektrische Felder an.

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Plasmaätzen

Plasmaätzen ist ein materialabtragendes, plasmaunterstütztes Trockenätz-Verfahren, das besonders in der Halbleiter-, Mikrosystem- und Displaytechnik großtechnisch eingesetzt wird.

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Silicium

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

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Siliciumcarbid

Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.

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Siliciumnitrid

Kugeln aus Siliziumnitrid Siliciumnitrid (auch: Siliziumnitrid) ist eine chemische Verbindung, die als Bestandteil eines technischen Werkstoffs genutzt wird.

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Tantalnitrid

Tantalnitride sind keramische Verbindungen aus Tantal und Stickstoff.

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Tauschierung

Goldtauschierte, stählerne Haarspange aus Toledo, Spanien Eine Tauschierung ist eine Verzierung aus Buntmetall- oder Edelmetall-Intarsien (Einlagen) in metallenen Oberflächen.

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Technologieknoten

Der Begriff Technologieknoten bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch herstellbare Strukturgröße.

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Titannitrid

Titannitrid ist eine chemische Verbindung der beiden Elemente Titan und Stickstoff mit der Verhältnisformel TiN.

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