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Planartransistor

Index Planartransistor

Ein Planartransistor ist ein nach seiner Herstellungstechnik benannter Transistortyp.

19 Beziehungen: Bipolartransistor, Diffusion, Diffusionstransistor, Dotierung, Fairchild Semiconductor, Integrierter Schaltkreis, Ionenimplantation, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Jean Hoerni, Martin M. Atalla, Mesatransistor, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Planartechnik, Silicium, Siliciumdioxid, Substrat (Materialwissenschaft), Transistor, Wafer.

Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Diffusion

Modellhafte Darstellung der Durchmischung zweier Stoffe durch Diffusion Diffusion (lateinisch diffusio, von „ausgießen“, „verstreuen“, „ausbreiten“) ist der ohne äußere Einwirkung eintretende Ausgleich von Konzentrationsunterschieden in Stoffgemischen als natürlich ablaufender physikalischer Prozess aufgrund der Eigenbewegung der beteiligten Teilchen.

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Diffusionstransistor

Als Diffusionstransistor bezeichnet man jeden Transistor, bei dem die elektrisch aktiven Bereiche durch Diffusion von Fremdatomen (Dotierung) in ein Halbleiter-Substrat (z. B. Silizium-Wafer) hergestellt werden.

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Fairchild Semiconductor

Altes Logo Fairchild Semiconductor, beheimatet in San José, Kalifornien, USA, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der seit September 2016 zu ON Semiconductor gehört.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Ionenimplantation

Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt.

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Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

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Jean Hoerni

Jean Amédée Hoerni (* 26. September 1924 in Genf; † 12. Januar 1997) war ein Physiker und Mathematiker.

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Martin M. Atalla

Martin M. Atalla (auch John oder Mohammed M. Atalla; * 4. August 1924 in Port Said, Ägypten; † 30. Dezember 2009 in Atherton, Kalifornien) war ein Ingenieur und Unternehmer im Bereich der Halbleitertechnik und Computer-Datensicherheit.

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Mesatransistor

Deutschen Museum Bonn Unter einem Mesatransistor versteht man eine Gruppe von Bipolartransistoren, bei denen nach der Herstellung der Basis- und Emittergebiete die Umgebung bis zum Kollektor chemisch geätzt werden und so die charakteristische Form eines Tafelbergs (.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

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Planartechnik

Die Planartechnik (auch Planarprozess) ist ein in der Halbleiterfertigung eingesetzter Prozess zur Herstellung von Transistoren (Planartransistoren) und integrierten Schaltungen.

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Silicium

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

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Siliciumdioxid

Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.

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Substrat (Materialwissenschaft)

In der Materialwissenschaft ist das Substrat das zu behandelnde Material.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

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Wafer

Wafer von 2 Zoll bis 8 Zoll Als Wafer (für „dünner Keks“ oder „dünne Brotscheibe“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, etwa ein Millimeter dicke Scheiben bezeichnet.

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AusgehendeEingehende
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