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23 Beziehungen: BARITT-Diode, Biosensor, Elektrische Leitfähigkeit, Feldeffekttransistor, Halbleiter, Halbleiterwerk, IBM Research – Zurich, International Technology Roadmap for Semiconductors, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Kohlenstoffnanoröhre, Leckstrom, Logikgatter, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Mikroelektronik, Nicht-Gatter, NOR-Gatter, Schaltfrequenz, Silicium, Static random-access memory, Technische Universität Delft, Transistor, Transitfrequenz, Verstärkung (Physik).
BARITT-Diode
Die BARITT-Diode (englisch: barrier injection transit-time) ist ein Hochfrequenz-Halbleiter-Bauelement der Mikroelektronik, das als Diode zu den elektronischen Bauelementen gehört.
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Biosensor
Biosensoren sind Messfühler, die mit biologischen Komponenten ausgestattet sind.
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Elektrische Leitfähigkeit
Die elektrische Leitfähigkeit, auch als Konduktivität oder EC-Wert (vom englischen electrical conductivity) bezeichnet, ist eine Stoffeigenschaft und physikalische Größe, die angibt wie gut elektrischer Strom geleitet wird.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Halbleiterwerk
Bau eines Reinraumes eines Halbleiterwerkes Ein Halbleiterwerk (kurz für semiconductor fabrication plant), auch Halbleiter- oder Chipfabrik genannt, ist eine Fabrik, in der integrierte Schaltkreise (IC) für die Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie produziert werden.
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IBM Research – Zurich
IBM Research – Zurich (vormals IBM Zurich Research Laboratory) mit Sitz in Rüschlikon bei Zürich ist das europäische Forschungszentrum von IBM und wird getragen von der IBM Research GmbH.
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International Technology Roadmap for Semiconductors
Die International Technology Roadmap for Semiconductors (ITRS) war eine Prognose (Roadmap) über die zukünftige Entwicklung der Halbleitertechnik, die als roter Faden für Chip- und Gerätehersteller galt.
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Isolierschicht-Feldeffekttransistor
Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.
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Kohlenstoffnanoröhre
Schematische Darstellung der räumlichen Struktur einer Kohlenstoffnanoröhre Kohlenstoffnanoröhren, auch CNT genannt, sind aus Kohlenstoff bestehende Röhren (molekulare Nanoröhren) mit Durchmessern im Nanometerbereich.
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Leckstrom
Als Leckstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Elektronik einen elektrischen Strom, der in Halbleiterbauelementen über einen Pfad fließt, der nicht zur Leitung von Strom vorgesehen ist.
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Logikgatter
Ein Logikgatter, auch nur Gatter, (engl. (logic) gate) ist eine Anordnung (heutzutage praktisch immer eine elektronische Schaltung) zur Realisierung einer booleschen Funktion, die binäre Eingangssignale zu einem binären Ausgangssignal verarbeitet.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Mikroelektronik
Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik.
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Nicht-Gatter
Ein Nicht-Gatter (englisch: NOT gate), auch als Komplement-Gatter oder Invertierer bezeichnet, ist ein Gatter mit einem Eingang und einem Ausgang.
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NOR-Gatter
Ein NOR-Gatter (von englisch: not or – nicht oder, oder von englisch nor – (weder … noch …)), auch Peirce-Funktion nach Charles S. Peirce genannt, ist ein Logikgatter mit zwei oder mehr Eingängen A, B, … und einem Ausgang Y, zwischen denen die logische Verknüpfung NICHT ODER besteht.
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Schaltfrequenz
Die Schaltfrequenz (mit der SI-Einheit: Hz) gibt die Anzahl von Ein- und Ausschaltvorgängen eines elektronischen Bauelementes oder einer Schaltung pro Zeitintervall an.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Static random-access memory
Hynix Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein.
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Technische Universität Delft
Universitätsbibliothek Delft Aula der TU Delft Kernreaktor an der TU Delft Die 1842 als Königliches Polytechnikum Delft gegründete Technische Universität Delft (von 1905 bis 1986 Technische Hogeschool van Delft) in Delft ist die älteste Technische Universität der Niederlande.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Transitfrequenz
Die Transitfrequenz bezeichnet diejenige Frequenz eines verstärkenden Systems, bei der keine Verstärkung mehr stattfindet, das heißt 0 dB beträgt, und bildet damit die theoretische Obergrenze für einen sinnvollen Einsatz.
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Verstärkung (Physik)
Verstärkung (engl. gain) ist die Vergrößerung einer variablen physikalischen Ausgangsgröße gegenüber einer Eingangsgröße nach einem eindeutigen, möglichst proportionalen Zusammenhang.
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Leitet hier um:
CNTFET, Kohlenstoff-Nanoröhren-Transistor.
