Feldeffekttransistor und Sperrschicht-Feldeffekttransistor

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Feldeffekttransistor und Sperrschicht-Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistor vs. Sperrschicht-Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw. Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.

Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Elektrischer Widerstand

Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.

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Elektronenröhre

Radioröhren: ECC85, EL84 und EABC80 Senderöhre in Betrieb Rimlock-Pentode EF42 Eine Elektronenröhre ist ein aktives elektrisches Bauelement mit Elektroden, die sich in einem evakuierten oder gasgefüllten Kolben aus Glas, Stahl oder Keramik befinden.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Heinrich Welker

Heinrich Johann Welker (* 9. September 1912 in Ingolstadt; † 25. Dezember 1981 in Erlangen) war ein deutscher Physiker, insbesondere auf dem Gebiet der Halbleitertechnik.

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Herbert Mataré

Herbert F. Mataré (1950) Herbert Franz Mataré (* 22. September 1912 in Aachen; † 2. September 2011) war ein deutscher Physiker.

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Julius Edgar Lilienfeld

Julius Edgar Lilienfeld (Passbild seines US-amerikanischen Ausweises, also aus der Zeit ab 1934) Julius Edgar Lilienfeld (* 18. April 1882 in Lemberg; † 28. August 1963 in Charlotte Amalie, Virgin Islands) war ein US-amerikanischer Physiker österreichisch-ungarischer Herkunft.

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Liste von Halbleitergehäusen

Halbleiter-Chips von Dioden, Transistoren, Thyristoren, Triacs, ICs sowie auch Laserdioden und Phototransistoren und -dioden benötigen zur Abdichtung gegenüber Umwelteinflüssen, zur weiteren Verarbeitung, zum elektrischen Anschluss und zur Wärmeableitung ein Gehäuse.

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Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Prinzipskizze eines n-Kanal-MESFETs Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MeSFET) ist ein zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) gehörendes elektronisches Halbleiterbauelement.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

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Raumladungszone

Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.

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Schaltzeichen

Schaltzeichen in den USA. Links für elektrische Schaltkreise. Rechts für logische Verschaltung. Ein Schaltzeichen ist ein in einem Schaltplan der Elektrotechnik verwendetes, standardisiertes, graphisches Symbol für Bauelemente, Bauteile, Geräteteile, Geräte und Leitungen innerhalb einer elektrischen Schaltung.

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Walter Houser Brattain

Walter H. Brattain (1956) Walter Houser Brattain (* 10. Februar 1902 in Amoy, Kaiserreich China; † 13. Oktober 1987 in Seattle, Washington) war ein US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger.

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William Bradford Shockley

William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.

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