Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Feldeffekttransistor und Raumladungszone
Feldeffekttransistor und Raumladungszone haben 9 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Defektelektron, Dotierung, Elektrisches Feld, Elektron, Halbleiter, Ladungsträger (Physik), P-n-Übergang, Sperrschicht-Feldeffekttransistor.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Defektelektron
Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektrisches Feld
Eine nirgends angeschlossene Leuchtstofflampe in der Nähe einer Hochspannungsleitung leuchtet aufgrund des sich ständig ändernden elektrischen Feldes Das elektrische Feld ist ein physikalisches Feld, das durch die Coulombkraft auf elektrische Ladungen wirkt.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Ladungsträger (Physik)
Ladungsträger sind elektrisch geladene Teilchen, die elektrische Ladung als physikalische Größe und fundamentale Eigenschaft von Materie transportieren.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Sperrschicht-Feldeffekttransistor
Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Feldeffekttransistor und Raumladungszone
- Was es gemein hat Feldeffekttransistor und Raumladungszone
- Ähnlichkeiten zwischen Feldeffekttransistor und Raumladungszone
Vergleich zwischen Feldeffekttransistor und Raumladungszone
Feldeffekttransistor verfügt über 60 Beziehungen, während Raumladungszone hat 30. Als sie gemeinsam 9 haben, ist der Jaccard Index 10.00% = 9 / (60 + 30).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Feldeffekttransistor und Raumladungszone. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
