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Datenspeicher und Random-Access Memory

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Datenspeicher und Random-Access Memory

Datenspeicher vs. Random-Access Memory

Einige Massenspeichermedien (Streichholz als Maßstab) Ein Datenspeicher dient in der Datenverarbeitung zur Speicherung von Daten. Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.

Ähnlichkeiten zwischen Datenspeicher und Random-Access Memory

Datenspeicher und Random-Access Memory haben 20 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Arbeitsspeicher, Cache, Computer, Dynamic Random Access Memory, Ferroelectric Random Access Memory, Festwertspeicher, Flash-Speicher, Halbleiterspeicher, Integrierter Schaltkreis, Kernspeicher, Lochkarte, Magnetblasenspeicher, Magnetoresistive Random Access Memory, Phase-change Random Access Memory, Register (Prozessor), Speicherbaustein, Speichermodul, Static random-access memory, Verzögerungsleitung, Wahlfreier Zugriff.

Arbeitsspeicher

Der Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eines Computers ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält.

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Cache

Cache (auch) bezeichnet in der Informationstechnik einen schnellen Pufferspeicher, der (wiederholte) Zugriffe auf vergleichsweise langsame Datenspeicher oder aufwendige Neuberechnungen zu vermeiden hilft.

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Computer

Ein Computer (englisch; deutsche Aussprache) oder Rechner ist ein Gerät, das mittels programmierbarer Rechenvorschriften Daten verarbeitet.

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Dynamic Random Access Memory

VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.

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Ferroelectric Random Access Memory

FeRAM von Ramtron Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften.

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Festwertspeicher

Ein Festwertspeicher oder Nur-Lese-Speicher (ROM) ist ein Datenspeicher, auf dem im normalen Betrieb nur lesend zugegriffen werden kann, nicht schreibend, und der nicht flüchtig ist.

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Flash-Speicher

Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch.

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Halbleiterspeicher

Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Kernspeicher

Großaufnahme von Ringkernen mit Schreib-/Leseleitungen Der Kernspeicher, Magnetkernspeicher oder auch Ferritkernspeicher (oder) ist eine frühe Form nichtflüchtigen Speichers mit wahlfreiem Zugriff von Rechnern.

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Lochkarte

Eine Lochkarte (LK) ist ein aus stabilem dünnen Karton gefertigter Datenträger, der früher vor allem in der Datenverarbeitung zur Speicherung von Daten und Programmen verwendet wurde.

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Magnetblasenspeicher

Magnetblasenspeicher ist eine Art von Computer-Datenspeicher, bei dem ein dünner Film eines magnetisierbaren Materials zum Einsatz kommt, in dem sich kleine magnetische Bereiche, die sogenannten Blasen befinden.

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Magnetoresistive Random Access Memory

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird.

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Phase-change Random Access Memory

Phase-change Random Access Memory (PCRAM, PRAM oder kurz PCM; in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory, OUM oder chalcogenide RAM, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009).

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Register (Prozessor)

Register in Prozessoren sind Speicherbereiche für Daten, auf die Prozessoren besonders schnell zugreifen können.

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Speicherbaustein

Ein Speicherbaustein ist ein diskreter integrierter Schaltkreis (IC), das heißt ein IC in einem Gehäuse, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen.

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Speichermodul

Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind.

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Static random-access memory

Hynix Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein.

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Verzögerungsleitung

Verzögerungsleitungen (korrekt: Laufzeitleitung) dienen der Zeitverschiebung oder temporären Speicherung (Laufzeitspeicher) eines seriellen Signales (analog oder digital) mittels der Signallaufzeit in einer elektrischen Leitung bestimmter Länge oder auch in einer akustischen Übertragungsstrecke.

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Wahlfreier Zugriff

Folgezugriff und wahlfreier Zugriff Unter wahlfreiem Zugriff (auch „direkter Zugriff“, „Direktzugriff“) wird in der Informatik die Möglichkeit verstanden, in konstanter (oder unter-linearer) Zeit einen lesenden und/oder schreibenden Speicherzugriff auf ein beliebiges Element eines Datenspeichers oder einer Datenstruktur durchführen zu können.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Datenspeicher und Random-Access Memory

Datenspeicher verfügt über 156 Beziehungen, während Random-Access Memory hat 56. Als sie gemeinsam 20 haben, ist der Jaccard Index 9.43% = 20 / (156 + 56).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Datenspeicher und Random-Access Memory. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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