Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Datenspeicher und Dynamic Random Access Memory
Datenspeicher und Dynamic Random Access Memory haben 14 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Arbeitsspeicher, Computer, Dynamic Random Access Memory, Ferroelectric Random Access Memory, Halbleiterspeicher, Integrierter Schaltkreis, Magnetoresistive Random Access Memory, Phase-change Random Access Memory, Random-Access Memory, Schnittstelle, Speicherbaustein, Speichermodul, Static random-access memory, Zugriffszeit.
Arbeitsspeicher
Der Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eines Computers ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält.
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Computer
Ein Computer (englisch; deutsche Aussprache) oder Rechner ist ein Gerät, das mittels programmierbarer Rechenvorschriften Daten verarbeitet.
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Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
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Ferroelectric Random Access Memory
FeRAM von Ramtron Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften.
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Halbleiterspeicher
Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Magnetoresistive Random Access Memory
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird.
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Phase-change Random Access Memory
Phase-change Random Access Memory (PCRAM, PRAM oder kurz PCM; in einer speziellen Ausführung auch Ovonics Unified Memory, OUM oder chalcogenide RAM, C-RAM) ist ein neuartiger nicht flüchtiger Speicher in der Elektronik (Stand 2009).
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Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
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Schnittstelle
Schnittstellen: Sinnesorgane und Hände sind Schnittstellen zwischen Gehirn und Außenwelt. Geräte für Eingabe und/oder Ausgabe sind Schnittstellen zwischen Außenwelt und Computer. Eine Netzwerk-Schnittstelle kann viele Schichten haben, siehe OSI-Modell. Netzwerkanschluss (Bildmitte), DisplayPort-Monitoranschluss (rechts oben), USB 2.0 (rechts unten). Eine Schnittstelle (englisch Interface, oder) ist ein Teil eines Systems, das der Kommunikation dient.
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Speicherbaustein
Ein Speicherbaustein ist ein diskreter integrierter Schaltkreis (IC), das heißt ein IC in einem Gehäuse, bestehend aus einer Vielzahl von Speicherzellen.
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Speichermodul
Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind.
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Static random-access memory
Hynix Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein.
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Zugriffszeit
Die Zugriffszeit ist neben der Datenübertragungsrate ein wichtiges Leistungsmaß von Speicherlaufwerken wie Festplatten oder optischen Laufwerken und anderen Speichermedien wie dem Arbeitsspeicher.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Datenspeicher und Dynamic Random Access Memory
- Was es gemein hat Datenspeicher und Dynamic Random Access Memory
- Ähnlichkeiten zwischen Datenspeicher und Dynamic Random Access Memory
Vergleich zwischen Datenspeicher und Dynamic Random Access Memory
Datenspeicher verfügt über 156 Beziehungen, während Dynamic Random Access Memory hat 91. Als sie gemeinsam 14 haben, ist der Jaccard Index 5.67% = 14 / (156 + 91).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Datenspeicher und Dynamic Random Access Memory. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
