Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Thyristor
Complementary metal-oxide-semiconductor und Thyristor haben 8 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Diode, Elektrisches Bauelement, Feldeffekttransistor, Halbleiter, Latch-up-Effekt, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Transistor.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Elektrisches Bauelement
Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Latch-up-Effekt
Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Complementary metal-oxide-semiconductor und Thyristor
- Was es gemein hat Complementary metal-oxide-semiconductor und Thyristor
- Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Thyristor
Vergleich zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Thyristor
Complementary metal-oxide-semiconductor verfügt über 50 Beziehungen, während Thyristor hat 70. Als sie gemeinsam 8 haben, ist der Jaccard Index 6.67% = 8 / (50 + 70).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Thyristor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
