Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor haben 14 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Diode, Elektrischer Widerstand, Elektrisches Bauelement, Feldeffekttransistor, Halbleiter, Integrierter Schaltkreis, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, NMOS-Logik, Patent, PMOS, Prozessor, Technologieknoten, Transistor.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Elektrischer Widerstand
Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.
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Elektrisches Bauelement
Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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NMOS-Logik
Die NMOS-Logik (von) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient.
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Patent
Urkunde zu einem US-Patent Ein Patent ist ein hoheitlich erteiltes gewerbliches Schutzrecht für eine Erfindung.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
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Prozessor
Die''“ eines Intel 80486DX2 Ein Computer-Prozessor ist ein (meist stark verkleinertes und meist frei) programmierbares Rechenwerk, also eine elektronische Schaltung, die gemäß übergebenen Befehlen Aktionen ausführt, wie andere elektronische Schaltungen und Mechanismen zu steuern.
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Technologieknoten
Der Begriff Technologieknoten bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch herstellbare Strukturgröße.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
- Was es gemein hat Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
- Ähnlichkeiten zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Vergleich zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Complementary metal-oxide-semiconductor verfügt über 50 Beziehungen, während Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor hat 111. Als sie gemeinsam 14 haben, ist der Jaccard Index 8.70% = 14 / (50 + 111).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
