Ähnlichkeiten zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Leuchtdiode
Aluminiumgalliumarsenid und Leuchtdiode haben 11 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Aluminium, Arsen, Bandlücke, Elektronenvolt, Gallium, Galliumarsenid, Gitterparameter, Halbleiter, Heteroübergang, Kelvin, Metallorganische Gasphasenepitaxie.
Aluminium
Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.
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Arsen
Arsen ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol As und der Ordnungszahl 33.
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Bandlücke
Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.
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Elektronenvolt
Das Elektronenvolt, amtlich Elektronvolt, ist eine Einheit der Energie, die in der Atom-, Kern- und Teilchenphysik häufig benutzt wird.
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Gallium
Gallium ist ein selten vorkommendes chemisches Element mit dem Elementsymbol Ga und der Ordnungszahl 31.
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Gitterparameter
Ein Gitterparameter oder eine Gitterkonstante, manchmal auch Zellparameter genannt, ist entweder eine Längenangabe oder ein Winkel, der zur Beschreibung eines Gitters, insbesondere der kleinsten Einheit des Gitters, der Elementarzelle, benötigt wird.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Heteroübergang
Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ''ohne Kontakt''. Heteroübergang dieser Materialien ''mit Kontakt''. Diffusionsspannung \psi_D (siehe p-n-Übergang). Der Energieunterschied zum Vakuumenergieniveau entspricht der Ionisationsenergie. Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet.
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Kelvin
Das Kelvin (Einheitenzeichen: K) ist die SI-Basiseinheit der thermodynamischen Temperatur und zugleich gesetzliche Temperatureinheit in der EU, der Schweiz und fast allen anderen Ländern.
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Metallorganische Gasphasenepitaxie
Die metallorganische Gasphasenepitaxie (engl. metal organic chemical vapor phase epitaxy, MOVPE, auch organo-metallic vapor phase epitaxy, OMVPE) ist ein Epitaxieverfahren zur Herstellung von kristallinen Schichten.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Aluminiumgalliumarsenid und Leuchtdiode
- Was es gemein hat Aluminiumgalliumarsenid und Leuchtdiode
- Ähnlichkeiten zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Leuchtdiode
Vergleich zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Leuchtdiode
Aluminiumgalliumarsenid verfügt über 17 Beziehungen, während Leuchtdiode hat 193. Als sie gemeinsam 11 haben, ist der Jaccard Index 5.24% = 11 / (17 + 193).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Leuchtdiode. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter: