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Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter

Aluminiumgalliumarsenid vs. Halbleiter

Aluminiumgalliumarsenid (AlxGa1−xAs) ist ein Halbleiter mit nahezu dem gleichen Gitterparameter wie GaAs, aber einer größeren Bandlücke. Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

Ähnlichkeiten zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter

Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter haben 6 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bandlücke, Elektronenvolt, Galliumarsenid, Halbleiter, Heteroübergang, Leuchtdiode.

Bandlücke

Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.

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Elektronenvolt

Das Elektronenvolt, amtlich Elektronvolt, ist eine Einheit der Energie, die in der Atom-, Kern- und Teilchenphysik häufig benutzt wird.

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Galliumarsenid

Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Heteroübergang

Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ''ohne Kontakt''. Heteroübergang dieser Materialien ''mit Kontakt''. Diffusionsspannung \psi_D (siehe p-n-Übergang). Der Energieunterschied zum Vakuumenergieniveau entspricht der Ionisationsenergie. Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet.

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Leuchtdiode

Eine Leuchtdiode (kurz LED von, ‚lichtemittierende Diode‘, auch Lumineszenz-Diode) ist ein Halbleiter-Bauelement, das Licht ausstrahlt, wenn elektrischer Strom in Durchlassrichtung fließt.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter

Aluminiumgalliumarsenid verfügt über 17 Beziehungen, während Halbleiter hat 248. Als sie gemeinsam 6 haben, ist der Jaccard Index 2.26% = 6 / (17 + 248).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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