Ähnlichkeiten zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter
Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter haben 6 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bandlücke, Elektronenvolt, Galliumarsenid, Halbleiter, Heteroübergang, Leuchtdiode.
Bandlücke
Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.
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Elektronenvolt
Das Elektronenvolt, amtlich Elektronvolt, ist eine Einheit der Energie, die in der Atom-, Kern- und Teilchenphysik häufig benutzt wird.
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Galliumarsenid
Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Heteroübergang
Bandabstand zwischen Valenzbandenergie Ev und Leitungsbandenergie Ec, ''ohne Kontakt''. Heteroübergang dieser Materialien ''mit Kontakt''. Diffusionsspannung \psi_D (siehe p-n-Übergang). Der Energieunterschied zum Vakuumenergieniveau entspricht der Ionisationsenergie. Als Heteroübergang (auch Heterostruktur, engl. Heterojunction) wird die Grenzschicht zweier unterschiedlicher Halbleitermaterialien bezeichnet.
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Leuchtdiode
Eine Leuchtdiode (kurz LED von, ‚lichtemittierende Diode‘, auch Lumineszenz-Diode) ist ein Halbleiter-Bauelement, das Licht ausstrahlt, wenn elektrischer Strom in Durchlassrichtung fließt.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter
- Was es gemein hat Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter
- Ähnlichkeiten zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter
Vergleich zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter
Aluminiumgalliumarsenid verfügt über 17 Beziehungen, während Halbleiter hat 248. Als sie gemeinsam 6 haben, ist der Jaccard Index 2.26% = 6 / (17 + 248).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Aluminiumgalliumarsenid und Halbleiter. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter: