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7 Beziehungen: Bipolartransistor, Diffusionstransistor, Legierungstransistor, Raumladungszone, Schaltfrequenz, Spitzentransistor, Transistor.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
Sehen Spacistor und Bipolartransistor
Diffusionstransistor
Als Diffusionstransistor bezeichnet man jeden Transistor, bei dem die elektrisch aktiven Bereiche durch Diffusion von Fremdatomen (Dotierung) in ein Halbleiter-Substrat (z. B. Silizium-Wafer) hergestellt werden.
Sehen Spacistor und Diffusionstransistor
Legierungstransistor
Der Begriff Legierungstransistor bezeichnet eine Herstellungsform eines Flächentransistors, einer speziellen Form des Bipolartransistors.
Sehen Spacistor und Legierungstransistor
Raumladungszone
Eine Raumladungszone (RLZ), auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt, ist im Übergang zwischen unterschiedlich dotierten Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss und Mangel an Ladungsträgern gegenüberstehen, so dass diese Zone im Gleichgewichtsfall nach außen ladungsneutral erscheint.
Sehen Spacistor und Raumladungszone
Schaltfrequenz
Die Schaltfrequenz (mit der SI-Einheit: Hz) gibt die Anzahl von Ein- und Ausschaltvorgängen eines elektronischen Bauelementes oder einer Schaltung pro Zeitintervall an.
Sehen Spacistor und Schaltfrequenz
Spitzentransistor
Nixdorf-Museum Der Spitzentransistor galt als erster praktisch realisierter Bipolartransistor und wird als Wegbereiter der modernen Halbleitertechnik angesehen.
Sehen Spacistor und Spitzentransistor
Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
Sehen Spacistor und Transistor