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19 Beziehungen: Chalkogenide, Datenspeicher, Dynamic Random Access Memory, Halbleiterspeicher, Hauptkomponentenanalyse, Magnetoresistive Random Access Memory, Matthias Wuttig, MLC-Speicherzelle, Nichtflüchtiger Speicher, Numonyx, NVRAM, OUM, PCM, Phase-Change-Technik, Pram, Random-Access Memory, Stanford Ovshinsky, Tellur, Vermittelndes Breitbandnetz.
Chalkogenide
Eisensulfid ist ein typisches Chalkogenid und von Bedeutung z. B. für die chemische Evolution Das Mineral Zinnober (Cinnabarit), chemisch: Quecksilbersulfid, gehört zu den Chalkogeniden. Es wird als Pigment verwendet Chalkogenide sind chemische Verbindungen aus einem oder mehreren Chalkogen-Elementen (Sauerstoff, Schwefel, Selen und Tellur) als formale Anionen mit Metallen oder stärker elektropositiven Elementen (Arsen, Germanium, Phosphor, Antimon, Blei, Bor, Aluminium, Gallium, Indium, Titan, Natrium) als formale Kationen.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Chalkogenide
Datenspeicher
Einige Massenspeichermedien (Streichholz als Maßstab) Ein Datenspeicher dient in der Datenverarbeitung zur Speicherung von Daten.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Datenspeicher
Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Dynamic Random Access Memory
Halbleiterspeicher
Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Halbleiterspeicher
Hauptkomponentenanalyse
zweidimensionalen Normalverteilung mit Mittelwert (1,3) und Standardabweichung circa 3 in (0.866, 0.5)-Richtung und 1 in die dazu orthogonale Richtung. Die Vektoren sind die Eigenvektoren der Kovarianzmatrix und haben als Länge die Wurzel des zugehörigen Eigenwertes. Sie sind so verschoben, dass sie am Mittelwert ansetzen.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Hauptkomponentenanalyse
Magnetoresistive Random Access Memory
Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Magnetoresistive Random Access Memory
Matthias Wuttig
Matthias Wuttig (* 20. April 1960 in Mettmann) ist ein deutscher Physiker.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Matthias Wuttig
MLC-Speicherzelle
Die verschiedenen Speicherzellen im Vergleich MLC-Speicherzellen (MLC kurz für) sind Speicherzellen, in denen mehr als ein Bit pro Zelle gespeichert wird.
Sehen Phase-change Random Access Memory und MLC-Speicherzelle
Nichtflüchtiger Speicher
Als nichtflüchtige Speicher (Mehrzahl; Einzahl: „nichtflüchtiger Speicher“; dies lehnübersetzt aus dem amerikanisch-englischen ‚nonvolatile …‘ oder ‚non-volatile memory‘, kurz NVM) – zudem genauer nichtflüchtige Datenspeicher und (wieder allgemeiner) auch „persistente Speicher“, übersetzt also als Dauerspeicher oder auch Festspeicher – werden in der elektronischen Datenverarbeitung verschiedene Datenspeicher bezeichnet, deren gespeicherte Informationen auf Dauer erhalten bleiben – also auch während der Rechner nicht in Betrieb ist oder nicht mit Strom versorgt wird.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Nichtflüchtiger Speicher
Numonyx
Numonyx war ein Halbleiterhersteller – spezialisiert auf Flash-Speicher – der durch ein Joint Venture zwischen den Unternehmen Intel, STMicroelectronics und Francisco Partners entstanden ist.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Numonyx
NVRAM
NVRAM (Abk. für) ist in der Elektronik ein nichtflüchtiger Datenspeicher, der auf RAM basiert und dessen Dateninhalt ohne externe Energieversorgung erhalten bleibt.
Sehen Phase-change Random Access Memory und NVRAM
OUM
OUM ist eine Abkürzung für.
Sehen Phase-change Random Access Memory und OUM
PCM
PCM steht als Abkürzung für.
Sehen Phase-change Random Access Memory und PCM
Phase-Change-Technik
Mit der Phasenwechsel- oder Phase-Change-Technik (in Anlehnung an den englischsprachigen Begriff) ist es möglich, wiederbeschreibbare optische Datenträger auf Basis von Phasenwechselmaterialien herzustellen.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Phase-Change-Technik
Pram
Pram steht für.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Pram
Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Random-Access Memory
Stanford Ovshinsky
Stanford Ovshinsky (2005) Stanford Robert Ovshinsky (* 24. November 1922 in Akron; † 17. Oktober 2012 in Bloomfield Hills) war ein US-amerikanischer Erfinder mit über 200 US-Patenten (2000) unter anderem aus den Bereichen Solarzellen, Batterien und Speichermedien.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Stanford Ovshinsky
Tellur
Tellur (lat. tellus „Erde“) ist ein seltenes chemisches Element mit dem Elementsymbol Te und der Ordnungszahl 52.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Tellur
Vermittelndes Breitbandnetz
Das Vorläufer Breitbandnetz oder Vermittelnde Breitbandnetz (VBN) bezeichnete in Deutschland ein Glasfaseroverlaynetz mit Teilnehmerselbstwahl für die Telekommunikation.
Sehen Phase-change Random Access Memory und Vermittelndes Breitbandnetz
Auch bekannt als Ovonic Unified Memory, Ovonics Unified Memory, PCRAM, Parameter Random-Access Memory, Parameter-RAM, Phase Change Random Access Memory, Phase-Change-Random-Access-Memory, Phasenwechsel-RAM, Phasenübergangsspeicher.