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NVRAM und Static random-access memory

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen NVRAM und Static random-access memory

NVRAM vs. Static random-access memory

NVRAM (Abk. für) ist in der Elektronik ein nichtflüchtiger Datenspeicher, der auf RAM basiert und dessen Dateninhalt ohne externe Energieversorgung erhalten bleibt. Hynix Static random-access memory (deutsch: statisches RAM, Abkürzung: SRAM) bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein.

Ähnlichkeiten zwischen NVRAM und Static random-access memory

NVRAM und Static random-access memory haben 7 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Ampere, CMOS-RAM, Complementary metal-oxide-semiconductor, Dynamic Random Access Memory, Elektronik, Lithiumbatterie, Random-Access Memory.

Ampere

Das Ampere mit Einheitenzeichen A, benannt nach dem französischen Mathematiker und Physiker André-Marie Ampère, ist die SI-Basiseinheit der elektrischen Stromstärke und zugleich SI-Einheit der abgeleiteten Größe magnetische Durchflutung.

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CMOS-RAM

NEC D4364G - 8192 × 8 Bit Static CMOS-RAM Der Begriff CMOS-RAM bezeichnet in der Computertechnik bzw.

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Complementary metal-oxide-semiconductor

Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.

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Dynamic Random Access Memory

VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.

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Elektronik

Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.

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Lithiumbatterie

Eine Lithiumbatterie ist eine Primärzelle, bei der Lithium als aktives Material in der negativen Elektrode verwendet wird.

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Random-Access Memory

Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen NVRAM und Static random-access memory

NVRAM verfügt über 28 Beziehungen, während Static random-access memory hat 38. Als sie gemeinsam 7 haben, ist der Jaccard Index 10.61% = 7 / (28 + 38).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen NVRAM und Static random-access memory. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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