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Mikroelektronik und Silicium

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Mikroelektronik und Silicium

Mikroelektronik vs. Silicium

Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik. Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

Ähnlichkeiten zwischen Mikroelektronik und Silicium

Mikroelektronik und Silicium haben 24 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bandlücke, Czochralski-Verfahren, Dotierung, Einkristall, Elektronik, Fairchild Semiconductor, Flachbildschirm, Germanium, Halbleiter, Ingot, Integrierter Schaltkreis, Jack Kilby, John Bardeen, Metalle, Mikroprozessor, Robert Noyce, Siliciumdioxid, Silicon Valley, Simon Sze, Texas Instruments, Transistor, Walter Houser Brattain, William Bradford Shockley, Zonenschmelzverfahren.

Bandlücke

Als Bandlücke, auch Bandabstand bzw.

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Czochralski-Verfahren

Das Czochralski-Verfahren ist ein Verfahren der Werkstofftechnik zur Herstellung von einkristallinen Werkstoffen (Kristallzüchtung).

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Einkristall

Monokristallines Silicium (Ingot) für die Wafer-Herstellung Ein Einkristall oder Monokristall ist ein makroskopischer Kristall, dessen Bausteine (Atome, Ionen oder Moleküle) ein durchgehendes einheitliches, homogenes Kristallgitter bilden.

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Elektronik

Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.

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Fairchild Semiconductor

Altes Logo Fairchild Semiconductor, beheimatet in San José, Kalifornien, USA, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der seit September 2016 zu ON Semiconductor gehört.

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Flachbildschirm

TFT) für Computer Ein Flachbildschirm ist ein Bildschirm, der eine geringe Tiefe aufweist.

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Germanium

Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Ingot

Säule aus monokristallinem Silicium Als Ingot (für ‚Barren‘) wird ein Block aus einem Halbleitermaterial wie Silicium bezeichnet.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Jack Kilby

Jack Kilby in den frühen 1960er Jahren Jack St.

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John Bardeen

John Bardeen, 1956 Nachbau des ersten Transistors von Shockley, Bardeen und Brattain Eine Gedenktafel an Bardeen und die Theorie der Supraleitfähigkeit auf dem Campus der University of Illinois at Urbana-Champaign John Bardeen (* 23. Mai 1908 in Madison, Wisconsin; † 30. Januar 1991 in Boston) war ein US-amerikanischer Physiker und zweifacher Nobelpreisträger der Physik.

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Metalle

Metalle (von „Bergwerk, Erz, Metall“) bilden diejenigen chemischen Elemente, die sich im Periodensystem der Elemente links und unterhalb einer Trennungslinie von Bor bis Astat befinden.

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Mikroprozessor

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein Mikroprozessor (von) ist ein als integrierter Schaltkreis (IC) ausgeführter Prozessor, der aufgrund der starken Verkleinerung und Integration seiner Bestandteile auf einem dünnen Halbleiterplättchen (Die) in viel kleinerem Maßstab als frühere Röhrentechnik-Prozessoren gefertigt werden kann.

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Robert Noyce

Robert Noyce (1959) Robert Norton Noyce (* 12. Dezember 1927 in Burlington, Iowa; † 3. Juni 1990 in Austin, Texas), genannt „Der Bürgermeister des Silicon Valley“, war 1957 Mitgründer von Fairchild Semiconductor und 1968 von Intel.

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Siliciumdioxid

Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.

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Silicon Valley

Das Silicon Valley (englisch für ‚Silicium-Tal‘) ist geografisch der südliche Teil der San Francisco Bay Area, der Metropolregion um die Städte San Francisco und San José, und wirtschaftlich einer der bedeutendsten Standorte der IT- und Hightech-Industrie weltweit.

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Simon Sze

Simon Min Sze (* 21. März 1936 in Nanking, China; † 6. November 2023) war ein taiwanischer Elektroingenieur und Autor bzw.

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Texas Instruments

Die Texas Instruments Incorporated, häufig auch als TI bezeichnet, ist eines der größten US-amerikanischen Technologieunternehmen mit Sitz in Dallas, Texas.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

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Walter Houser Brattain

Walter H. Brattain (1956) Walter Houser Brattain (* 10. Februar 1902 in Amoy, Kaiserreich China; † 13. Oktober 1987 in Seattle, Washington) war ein US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger.

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William Bradford Shockley

William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.

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Zonenschmelzverfahren

Gerade angewachsener Siliciumkristall Wachsender Siliciumkristall Im Zonenschmelzverfahren hergestellter Tantal-Einkristall (zylindrisch, Bildmitte) mit einer Reinheit von 99,999 % (5N). Das Zonenschmelzverfahren (auch: „Zonenziehen“) ist ein Verfahren zur Herstellung von hochreinen einkristallinen Werkstoffen.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Mikroelektronik und Silicium

Mikroelektronik verfügt über 260 Beziehungen, während Silicium hat 260. Als sie gemeinsam 24 haben, ist der Jaccard Index 4.62% = 24 / (260 + 260).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Mikroelektronik und Silicium. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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