Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Intel und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Intel und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor haben 14 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Complementary metal-oxide-semiconductor, Elektronik, Halbleiter, Integrierter Schaltkreis, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, NMOS-Logik, PMOS, Prozessor, Schottky-Diode, Siemens-Verfahren, Silicium, Transistor, TSMC.
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Elektronik
Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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NMOS-Logik
Die NMOS-Logik (von) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
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Prozessor
Die''“ eines Intel 80486DX2 Ein Computer-Prozessor ist ein (meist stark verkleinertes und meist frei) programmierbares Rechenwerk, also eine elektronische Schaltung, die gemäß übergebenen Befehlen Aktionen ausführt, wie andere elektronische Schaltungen und Mechanismen zu steuern.
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Schottky-Diode
Handelsübliche Schottky-Dioden in unterschiedlichen Gehäusen HP 5082-2800 Schottky-Dioden Eine Schottky-Diode, auch Hot-Carrier-Diode genannt, ist in der Elektronik eine auf schnelles Schalten oder einen niedrigeren Spannungsabfall in Durchlassrichtung optimierte Diode.
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Siemens-Verfahren
Resultat des Verfahrens: Polykristallines Solarsilicium Das Siemens-Verfahren ermöglicht die Herstellung von polykristallinem Silicium von hoher Reinheit.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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TSMC
Die Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (TSMC;, kurz) ist vor Intel und Samsung der weltweit umsatzstärkste Halbleiterhersteller und der weltweit größte unabhängige Auftragsfertiger für Halbleiterprodukte (Foundry).
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Intel und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
- Was es gemein hat Intel und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
- Ähnlichkeiten zwischen Intel und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Vergleich zwischen Intel und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Intel verfügt über 188 Beziehungen, während Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor hat 111. Als sie gemeinsam 14 haben, ist der Jaccard Index 4.68% = 14 / (188 + 111).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Intel und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
