Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Integrierter Schaltkreis und Leistungs-MOSFET
Integrierter Schaltkreis und Leistungs-MOSFET haben 9 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bipolartransistor, Diode, Durchkontaktierung, Epitaxie, Ionenimplantation, Leistungs-MOSFET, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Verstärker (Elektrotechnik).
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Durchkontaktierung
Nahaufnahme einer Durchkontaktierung Eine Durchkontaktierung (ugs. Durchsteiger, kurz DuKo) ist eine vertikale elektrische Verbindung zwischen den Leiterbahnebenen einer Leiterplatte.
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Epitaxie
Epitaxie (von altgriechisch ἐπί epí „auf, über“ und τάξις taxis, „Ordnung, Ausrichtung“) ist eine Form des Kristallwachstums, welche beim Aufwachsen von Kristallen auf kristallinen Substraten auftreten kann.
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Ionenimplantation
Die Ionenimplantation ist ein Verfahren zur Einbringung von Fremdatomen (in Form von Ionen) in ein Grundmaterial, Dotierung genannt.
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Leistungs-MOSFET
SMD-Gehäuse D2PAK. Diese FETs können einen Strom von 30 A schalten. Ein Leistungs-MOSFET (power metal oxide semiconductor field-effect transistor) ist eine spezialisierte Version eines Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET), der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von etwa einem Kubikzentimeter).
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Verstärker (Elektrotechnik)
Ein Verstärker ist eine elektronische Baugruppe mit mindestens einem aktiven Bauelement (meist einem Transistor, einem integrierten Operationsverstärker, vereinzelt auch einer Röhre), welche ein eingehendes Analogsignal so verarbeitet, dass die Ausgangsgröße größer wird als die Eingangsgröße.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Integrierter Schaltkreis und Leistungs-MOSFET
- Was es gemein hat Integrierter Schaltkreis und Leistungs-MOSFET
- Ähnlichkeiten zwischen Integrierter Schaltkreis und Leistungs-MOSFET
Vergleich zwischen Integrierter Schaltkreis und Leistungs-MOSFET
Integrierter Schaltkreis verfügt über 172 Beziehungen, während Leistungs-MOSFET hat 29. Als sie gemeinsam 9 haben, ist der Jaccard Index 4.48% = 9 / (172 + 29).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Integrierter Schaltkreis und Leistungs-MOSFET. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
