Fotolithografie (Halbleitertechnik) und Technologieknoten

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Unterschied zwischen Fotolithografie (Halbleitertechnik) und Technologieknoten

Fotolithografie (Halbleitertechnik) vs. Technologieknoten

Die Fotolithografie (auch Photolithographie) ist eine der zentralen Methoden der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik zur Herstellung von integrierten Schaltungen und weiteren Produkten. Der Begriff Technologieknoten bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch herstellbare Strukturgröße.

Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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EUV-Lithografie

EUV-Lithografie (auch kurz EUVL) ist ein Fotolithografie-Verfahren, das elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge von 13,5 nm (91,82 eV) nutzt, sogenannte extrem ultraviolette Strahlung (EUV).

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Excimerlaser

Excimerlaser sind Gaslaser, die elektromagnetische Strahlung im ultravioletten Wellenlängenbereich erzeugen können.

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Halbleitertechnik

Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt.

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Immersionslithografie

Bei der Immersionslithographie durchquert die Ultraviolettstrahlung von oben ein System von Linsen (1.) und einen dünnen Flüssigkeitsfilm (2.; hier Wasser), bevor es den Fotolack auf der Oberseite des Wafers (3.) erreicht. Die Immersionslithografie ist eine Technik im Produktionsprozess der Mikroelektronik zur schärferen Abbildung bei der fotolithografischen Strukturierung.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Leiterbahn

Leiterbahnen (auch Leitbahnen oder selten Leitungsbahnen) sind in der Mikroelektronik elektrisch leitende Verbindungen mit zweidimensionalem Verlauf, d. h.

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Mehrfachstrukturierung

Unter Mehrfachstrukturierung werden in der Halbleitertechnik verschiedene Strukturierungsverfahren für die Herstellung sehr dichter und feiner Strukturen zusammengefasst.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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Numerische Apertur

Mikroskopobjektiv mit eingravierten Werten für die Vergrößerung (10x) und die numerische Apertur (0,25). Die numerische Apertur (Formelzeichen A_\text, NA oder n.A.; abgeleitet von numerisch und Apertur, etwa: Zahlenwert der Öffnungsweite) ist eine Größe der Dimension Zahl bei optischen Systemen wie Teleskopen, Lichtmikroskopen oder Lichtwellenleitern.

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Quecksilberdampflampe

Quecksilberdampf-Hochdrucklampe, Ausführung mit leuchtstoffbeschichtetem äußerem Glaskolben, Leistung 1 kW Eine Quecksilberdampflampe ist eine Gasentladungslampe mit Quecksilberdampffüllung.

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Strukturgröße

Technologiequerschnitt eines Feld­effekt­transistors mit isoliertem Gate (IGFET) (hier: n-Kanal-MOSFET) Die Strukturgröße oder auch Strukturbreite ist eine Größenangabe der Halbleitertechnik, Mikroelektronik und Nanoelektronik.

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