Ähnlichkeiten zwischen Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter
Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter haben 15 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bor, Dünnschichttechnik, Diamant, Elektrische Ladung, Elektron, Festkörper, II-VI-Verbindungshalbleiter, III-V-Verbindungshalbleiter, Kohlenstoff, Kohlenstoffnanoröhre, Silicium, Siliciumcarbid, Siliciumdioxid, Solarzelle, Wafer.
Bor
Bor ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol B und der Ordnungszahl 5.
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Dünnschichttechnik
Die Dünnschichttechnik, selten auch Dünnschichttechnologie genannt, beschäftigt sich mit der Herstellung und Bearbeitung von dünnen Schichten unterschiedlicher Materialien, wie metallische, dielektrische und halbleitende Werkstoffe.
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Diamant
Diamant ist die kubische Modifikation des Kohlenstoffs und als natürlich vorkommender Feststoff ein Mineral aus der Mineralklasse der Elemente.
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Elektrische Ladung
Die elektrische Ladung oder Elektrizitätsmenge ist eine physikalische Größe, die mit der Materie verbunden ist, wie beispielsweise auch die Masse.
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Elektron
Das Elektron (IPA:,; von „Bernstein“) ist ein negativ geladenes stabiles Elementarteilchen.
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Festkörper
Teilchenmodell eines kristallinen Festkörpers Quasiperiodischer Kristall, wie sie der Nobelpreisträger für Chemie (2011) Dan Shechtman untersuchte. Festkörper (auch Feststoff) bezeichnet in den Naturwissenschaften Materie im festen Aggregatzustand.
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II-VI-Verbindungshalbleiter
Als II-VI-Verbindungshalbleiter oder kurz II-VI-Halbleiter bezeichnet man Verbindungshalbleiter, die aus Elementen der 2. Hauptgruppe (Erdalkalimetalle) bzw.
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III-V-Verbindungshalbleiter
Hauptgruppe III/V aus dem Periodensystem Bei einem III-V-Verbindungshalbleiter handelt es sich um eine Verbindung von Materialien der chemischen Hauptgruppe III (Erdmetalle/Borgruppe) und V (Stickstoff-Phosphor-Gruppe), deren Kombination die elektrische Leitfähigkeit von Halbleitern besitzt.
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Kohlenstoff
Kohlenstoff (von urgerm. kul-a-, kul-ō(n)-,Kohle‘) oder Carbon (von lat. carbō,Holzkohle‘, latinisiert Carboneum oder Carbonium) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol C und der Ordnungszahl 6.
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Kohlenstoffnanoröhre
Schematische Darstellung der räumlichen Struktur einer Kohlenstoffnanoröhre Kohlenstoffnanoröhren, auch CNT genannt, sind aus Kohlenstoff bestehende Röhren (molekulare Nanoröhren) mit Durchmessern im Nanometerbereich.
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Silicium
Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.
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Siliciumcarbid
Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.
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Siliciumdioxid
Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.
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Solarzelle
Polykristalline Silicium-Solarzellen in einem Solarmodul Eine Solarzelle (fachsprachlich auch photovoltaische Zelle genannt) ist ein elektrisches Bauelement, das Strahlungsenergie, in der Regel Sonnenlicht, direkt in elektrische Energie umwandelt.
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Wafer
Wafer von 2 Zoll bis 8 Zoll Als Wafer (für „dünner Keks“ oder „dünne Brotscheibe“) werden in der Mikroelektronik, Photovoltaik und Mikrosystemtechnik kreisrunde oder quadratische, etwa ein Millimeter dicke Scheiben bezeichnet.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter
- Was es gemein hat Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter
- Ähnlichkeiten zwischen Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter
Vergleich zwischen Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter
Chemische Gasphasenabscheidung verfügt über 66 Beziehungen, während Halbleiter hat 248. Als sie gemeinsam 15 haben, ist der Jaccard Index 4.78% = 15 / (66 + 248).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Chemische Gasphasenabscheidung und Halbleiter. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter: