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50 Beziehungen: Active Pixel Sensor, Arbeitsspeicher, Bandbreite, Bipolar-CMOS-Technik, Bipolartransistor, Chih-Tang Sah, CMOS-RAM, Datenblatt, Die (Halbleitertechnik), Digitalfotografie, Digitaltechnik, Diode, Elektrische Schaltung, Elektrischer Widerstand, Elektrisches Bauelement, Elektronische Schaltung, Elektrostatik, Englische Sprache, Fairchild Semiconductor, Fan-Out, Feldeffekttransistor, Frank Wanlass, GgNMOS, Halbleiter, Halbleiterprozess, HMOS, Integration (Technik), Integrierter Schaltkreis, Kleinsignalverhalten, Latch-up-Effekt, Leistungselektronik, Logikfamilie, Logikschaltung, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Netzspannung, NMOS-Logik, Operationsverstärker, Patent, Photodetektor, PMOS, Prozessor, Schaltregler, Signal-Rausch-Verhältnis, Simon Sze, Spektroskopie, Substrat (Materialwissenschaft), Technologieknoten, Transistor, Transistor-Transistor-Logik, Verlustleistung.
Active Pixel Sensor
Ein Active Pixel Sensor (APS; deutsch aktiver Pixelsensor) ist ein Halbleiterdetektor zur Lichtmessung, der in CMOS-Technik gefertigt ist und deshalb oft als CMOS-Sensor bezeichnet wird.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Active Pixel Sensor
Arbeitsspeicher
Der Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eines Computers ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Arbeitsspeicher
Bandbreite
Die Bandbreite ist eine Kenngröße in der Signalverarbeitung, die die Breite des Intervalls in einem Frequenzspektrum festlegt, in dem die dominanten Frequenzanteile eines zu übertragenden oder zu speichernden Signals liegen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Bandbreite
Bipolar-CMOS-Technik
Die Bipolar-CMOS-Technik (BiCMOS-Technik) ist eine Fertigungsmethode der Halbleitertechnik, die zwei ursprünglich getrennte Schaltungstechniken, nämlich den Schaltungen aus Bipolartransistoren (BJT) und CMOS-Logikgattern (komplementäre Metall-Oxid-Halbleiter) basierend auf Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs), in einer einzigen integrierten Schaltung vereint.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Bipolar-CMOS-Technik
Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Bipolartransistor
Chih-Tang Sah
Chih-Tang Sah (genannt Tom Sah, * 10. November 1932 in Peking) ist ein chinesisch-US-amerikanischer Physiker und Elektroingenieur.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Chih-Tang Sah
CMOS-RAM
NEC D4364G - 8192 × 8 Bit Static CMOS-RAM Der Begriff CMOS-RAM bezeichnet in der Computertechnik bzw.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und CMOS-RAM
Datenblatt
Datenblatt eines Controllerbausteins für ein Diskettenlaufwerk Ein Datenblatt wird vom Hersteller eines Produkts herausgegeben und erläutert die genauen Eigenschaften, Einsatzmöglichkeiten und technischen Daten dieses Produkts.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Datenblatt
Die (Halbleitertechnik)
Ein Die (für „Würfel“, „Plättchen“, dt. Plural i. A. „Dies“;Laut Google: "Halbleiterdice" - 6 Treffer; "Halbleiterdies" - 339 Treffer; Stand: 03/2018 englischer Plural: dice oder dies und die) ist in der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik die Bezeichnung eines einzelnen, ungehäusten Stücks eines Halbleiter-Wafers.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Die (Halbleitertechnik)
Digitalfotografie
Digitalkamera Als Digitalfotografie oder digitale Fotografie (Pendant zu Analogfotografie) wird die Fotografie mit Hilfe einer digitalen Fotokamera oder einer Kamera mit digitaler Rückwand bezeichnet.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Digitalfotografie
Digitaltechnik
Analoges Signal – digital abgetastet Die Digitaltechnik ist ein Teilgebiet der technischen Informatik und der Elektronik und befasst sich mit digitalen Schaltungen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Digitaltechnik
Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Diode
Elektrische Schaltung
Eine elektrische Schaltung ist der Zusammenschluss von elektrischen bzw.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Elektrische Schaltung
Elektrischer Widerstand
Der elektrische Widerstand ist in der Elektrotechnik ein Maß dafür, welche elektrische Spannung erforderlich ist, um eine bestimmte elektrische Stromstärke durch einen elektrischen Leiter (Bauelement, Stromkreis) fließen zu lassen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Elektrischer Widerstand
Elektrisches Bauelement
Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Elektrisches Bauelement
Elektronische Schaltung
Schaltplan zur Veranschaulichung einer Schaltung, hier eines Lampendimmers Eine elektronische Schaltung ist ein Zusammenschluss von elektrischen und insbesondere elektronischen Bauelementen (beispielsweise Dioden und Transistoren) zu einer (funktionierenden) Anordnung.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Elektronische Schaltung
Elektrostatik
Styropor-Polstermaterial wird vom Fell einer Katze elektrostatisch angezogen Blitze als Folge von elektrostatischer Aufladung Die Elektrostatik ist das Teilgebiet der Physik, das sich mit ruhenden elektrischen Ladungen, Ladungsverteilungen und den elektrischen Feldern geladener Körper befasst.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Elektrostatik
Englische Sprache
Die englische Sprache (Eigenbezeichnung: IPA) ist eine ursprünglich in England beheimatete germanische Sprache, die zum westgermanischen Zweig gehört.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Englische Sprache
Fairchild Semiconductor
Altes Logo Fairchild Semiconductor, beheimatet in San José, Kalifornien, USA, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller, der seit September 2016 zu ON Semiconductor gehört.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Fairchild Semiconductor
Fan-Out
Fan-Out (oder fan out bzw. Fanout, deutsch: Ausgangslastfaktor) ist ein Maß für die Fähigkeit eines Logikgatterausgangs (engl. logic gate), Eingänge anderer Bauelemente aus der gleichen Logikfamilie anzusteuern, d. h.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Fan-Out
Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Feldeffekttransistor
Frank Wanlass
Frank Marion Wanlass (* 17. Mai 1933 in Thatcher, Arizona; † 9. September 2010 in Santa Clara, Kalifornien) war ein US-amerikanischer Elektroingenieur.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Frank Wanlass
GgNMOS
Unter der Bezeichnung ggNMOS, für oder auch, wird in der Mikroelektronik eine übliche Schutzschaltung verstanden, welche die schädlichen Auswirkungen von äußeren elektrostatischen Entladungen (ESD) in integrierten Schaltungen (IC) limitiert.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und GgNMOS
Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Halbleiter
Halbleiterprozess
Ein Halbleiterprozess bezeichnet in der Halbleitertechnik eine Folge von Prozessen zur Fertigung von Halbleiterbauelementen und mikroelektronischen Schaltungen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Halbleiterprozess
HMOS
HMOS bezeichnet eine Halbleitertechnik-Generation und ist ein Akronym für das englische high-performance MOS (engl. für Metall-Oxid-Halbleiter).
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und HMOS
Integration (Technik)
Als Integration (die, von, ‚wiederherstellen‘) bezeichnet man in der Technik den Zusammenschluss von einzelnen Einheiten, Baugruppen und Bauelementen eines Systems in ein komplexeres Objekt.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Integration (Technik)
Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Integrierter Schaltkreis
Kleinsignalverhalten
Das Kleinsignalverhalten beschreibt das Verhalten eines Systems bei Aussteuerung mit kleinen Signalen, wobei das Wort „klein“ nicht als geringer Abstand zum Nullpunkt, sondern zu einem Arbeitspunkt zu verstehen ist.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Kleinsignalverhalten
Latch-up-Effekt
Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Latch-up-Effekt
Leistungselektronik
Die Leistungselektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik, das sich mit der Umformung elektrischer Energie mit schaltenden elektronischen Bauelementen beschäftigt.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Leistungselektronik
Logikfamilie
Logikfamilie bezeichnet in der Digitaltechnik eine Reihe von Bausteinen (normalerweise als Integrierte Schaltungen), die elementare (wie Logikgatter) und meist auch komplexere logische Schaltungen zur Verfügung stellen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikfamilie
Logikschaltung
Eine Logikschaltung ist eine Verschaltung elektronischer Bauteile, die eine digitale Logik auf Basis der booleschen Algebra umsetzt.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Logikschaltung
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Netzspannung
Weltkarte der Netzspannungen und Netzfrequenzen (Stand 2015) 0–20 % Als Netzspannung wird die von den Energieversorgern in den Stromnetzen bereitgestellte elektrische Spannung bezeichnet, die zur Übertragung elektrischer Energie eingesetzt wird.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Netzspannung
NMOS-Logik
Die NMOS-Logik (von) ist eine Halbleitertechnik, welche bei digitalen, integrierten Schaltungen Anwendung findet und zur Realisierung von Logikschaltungen dient.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und NMOS-Logik
Operationsverstärker
Schaltsymbol OperationsverstärkerLinks zwei Eingänge* mit „−“ markiert: invertierend* mit „+“ markiert: nichtinvertierendRechts der AusgangHilfsanschlüsse, z. B. zur Speisung, werden im Allgemeinen nicht gezeigt Schaltsymbol nach DIN EN 60617 Teil 13 Ober­flächen­mon­tage Ein Operationsverstärker (Abk.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Operationsverstärker
Patent
Urkunde zu einem US-Patent Ein Patent ist ein hoheitlich erteiltes gewerbliches Schutzrecht für eine Erfindung.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Patent
Photodetektor
Datei:Photomultiplier 6363 04.jpg|Photomultiplier (Frontansicht) Datei:Photomultiplier 6363 02.jpg|Photomultiplier (Seitenansicht) Datei:Ccd-sensor.jpg|CCD-Sensor Datei:Photodiode-closeup.jpg|Photodiode Datei:fototransb.jpg|Fototransistor Datei:Fotocelda.jpg|Fotowiderstand Als Photodetektor, auch Lichtsensor oder optischer Detektor, optoelektronischer Sensor, werden elektronische Bauelemente bezeichnet, die Licht unter Benutzung des photoelektrischen Effekts in ein elektrisches Signal umwandeln oder einen von der einfallenden Strahlung abhängigen elektrischen Widerstand zeigen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Photodetektor
PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und PMOS
Prozessor
Die''“ eines Intel 80486DX2 Ein Computer-Prozessor ist ein (meist stark verkleinertes und meist frei) programmierbares Rechenwerk, also eine elektronische Schaltung, die gemäß übergebenen Befehlen Aktionen ausführt, wie andere elektronische Schaltungen und Mechanismen zu steuern.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Prozessor
Schaltregler
Schaltregler als Begriff der Elektrotechnik bzw.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Schaltregler
Signal-Rausch-Verhältnis
Das Signal-Rausch-Verhältnis, auch Störabstand a oder (Signal-)Rauschabstand a_R, abgekürzt SRV oder S/R beziehungsweise SNR oder S/N von, ist ein Maß für die technische Qualität eines Nutzsignals (z. B. Sprache oder Video), das in einem Rauschsignal eingebettet ist.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Signal-Rausch-Verhältnis
Simon Sze
Simon Min Sze (* 21. März 1936 in Nanking, China; † 6. November 2023) war ein taiwanischer Elektroingenieur und Autor bzw.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Simon Sze
Spektroskopie
Spiritusflamme und ihr Spektrogramm Spektroskopie bezeichnet eine Gruppe physikalischer Methoden, die eine Strahlung nach einer bestimmten Eigenschaft wie Wellenlänge, Energie, Masse etc.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Spektroskopie
Substrat (Materialwissenschaft)
In der Materialwissenschaft ist das Substrat das zu behandelnde Material.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Substrat (Materialwissenschaft)
Technologieknoten
Der Begriff Technologieknoten bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch herstellbare Strukturgröße.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Technologieknoten
Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Transistor
Transistor-Transistor-Logik
Die Transistor-Transistor-Logik (TTL) ist eine Schaltungstechnik (Logikfamilie) für logische Schaltungen (Gatter), bei der als aktives Bauelement der Schaltung planare npn-Bipolartransistoren verwendet werden.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Transistor-Transistor-Logik
Verlustleistung
Als Verlustleistung bezeichnet man die Differenz zwischen aufgenommener Leistung (Leistungsaufnahme) und in der gewünschten Form abgegebener Leistung (Leistungsabgabe) eines Gerätes oder Prozesses.
Sehen Complementary metal-oxide-semiconductor und Verlustleistung
Auch bekannt als CMOS, CMOS-Technik, Complementary Metal Oxide Semiconductor, HCT-CMOS.