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11 Beziehungen: BEDO-DRAM, Byte, Datenübertragungsrate, Dynamic Random Access Memory, Front Side Bus, Halbleiterspeicher, Hauptplatine, Random-Access Memory, Speicherzykluszeit, Synchronous Dynamic Random Access Memory, Zugriffszeit.
BEDO-DRAM
Die Abkürzung BEDO-DRAM, kurz für, bezeichnet einen elektronischen Speicherbaustein.
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Byte
Das Byte (wohl gebildet zu „Bit“) – Duden, Bibliographisches Institut, 2016 ist eine Maßeinheit der Digitaltechnik und der Informatik, das meist für eine Folge aus 8 Bit steht.
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Datenübertragungsrate
Die Datenübertragungsrate (auch Datentransferrate, Datenrate) ist in der Informationstechnik die Übertragungsgeschwindigkeit, mit der eine bestimmte Datenmenge innerhalb eines Zeitintervalls über einen Übertragungskanal übertragen wird.
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Dynamic Random Access Memory
VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.
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Front Side Bus
Schema eines Chipsatzes (FSB grün) Der Front Side Bus (FSB) ist in der Computertechnik eine Schnittstelle zwischen dem Hauptprozessor (CPU) und der Northbridge.
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Halbleiterspeicher
Ein Halbleiterspeicher ist ein Datenspeicher, der aus einem Halbleiter besteht.
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Hauptplatine
digitalem Signalprozessor Hauptplatine aus dem Jahr 2004 (ASRock K7VT4A Pro) Die Hauptplatine (auch Motherboard oder system board, im Apple-Umfeld Logicboard) ist die zentrale Platine eines Computers.
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Random-Access Memory
Random-Access Memory (der oder das;, zu Deutsch: „Speicher mit wahlfreiem/direktem Zugriff“.
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Speicherzykluszeit
Die Speicherzykluszeit ist die Zeitspanne vom Beginn eines Zugriffs auf einen Arbeitsspeicher bis zu jenem Zeitpunkt, zu dem der nächste Zugriff beginnen kann.
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Synchronous Dynamic Random Access Memory
PC-133-SDRAM-Modul SDRAM-Speichermodule auf einer Hauptplatine Synchronous Dynamic Random Access Memory (engl., kurz SDRAM, dt. „synchrones DRAM“) ist eine Halbleiterspeicher-Variante, die beispielsweise als Arbeitsspeicher in Computern eingesetzt wird.
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Zugriffszeit
Die Zugriffszeit ist neben der Datenübertragungsrate ein wichtiges Leistungsmaß von Speicherlaufwerken wie Festplatten oder optischen Laufwerken und anderen Speichermedien wie dem Arbeitsspeicher.
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Leitet hier um:
EDO-RAM, Edo ram, Edo-ram, Edoram, Extended Data Output RAM, Fast Page Mode DRAM.
