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Feldeffekttransistor

Index Feldeffekttransistor

Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.

189 Beziehungen: Active Pixel Sensor, AKG C451, Aluminium, Analogmultimeter, Antenne, Arbeitsspeicher, Audion, Audioverstärker, Automatische Verstärkungsregelung, Überführungszahl, Überlagerungsempfänger, Batterieröhre, Bernard Lechner, Biosensor, Bipolarer Leistungstransistor, Bipolartransistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, BISFET, Bulk, Calciumfluorid, Charge-Trapping-Speicher, Charles A. Lee (Elektroingenieur), Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor, Colpitts-Schaltung, Complementary metal-oxide-semiconductor, Coulomb-Blockade, Current Mode Logic, CVAX, DePFET-Detektor, Detektorempfänger, Diaminomaleonitril, DIBL-Effekt, Differenzverstärker, Differenzverstärker-Oszillator, Diffusionstransistor, Digitaltransistor, Dinickelsilicid, Diode-Transistor-Logik, Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphinoxid, DNA-Sequenzierung, Drain, Dual Stress Liner, Dynamic Random Access Memory, Early-Effekt, Edward B. Eichelberger, Einkreiser, Einzelelektronentransistor, Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor, Elektrischer Kontakt, ..., Elektronengekoppelter Oszillator, Elektronik-Pass, Elektronischer Schalter, Elektrostatische Entladung, Elektrotechnik, Enzymfeldeffekttransistor, Erdung, Ersatzschaltungen des Bipolartransistors, Ferroelectric Random Access Memory, Ferroelektrikum, Festkörper, Fet (Begriffsklärung), Flash-Speicher, Floating-Gate-Transistor, Funktionspolymere, Galliumarsenid, Galliumnitrid, Gassensor, Gate, Gegentakt-Oszillator, Gegentaktendstufe, Gerhard Abstreiter, Gerhard Klimeck, Geschichte der Naturwissenschaften, Geschwindigkeitssättigung, Gitterbasisschaltung, Gittervorspannung, Gridistor, GTO-Thyristor, Hafnium, Halbleiter, Hans Lippmann, HDRC, Heike Riel, Heinrich Welker, Hekatron, High-electron-mobility transistor, Ian Munro Ross, Igor Georgijewitsch Neiswestny, Indigo, Indiumantimonid, Integrated Electronics Piezo-Electric, Integrierte Injektionslogik, Integrierter Schaltkreis, Intel 4004, Isolierschicht-Feldeffekttransistor, Jochen Mannhart, Julius Edgar Lilienfeld, Kaskode, Klirrfaktor, Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor, Kohlenstoffnanoröhre, Konstantstromquelle, Labordiamant, Ladungsverstärker, Lasertrimmen, Latch-up-Effekt, Lieven Vandersypen, Linearität (Physik), Liste der Schaltzeichen (Elektrik/Elektronik), Liste deutscher Erfinder und Entdecker, Liste elektrischer Bauelemente, Liste von Abkürzungen (Computer), Liste von Erfindern, Liste von Persönlichkeiten der Humboldt-Universität zu Berlin, Logikfamilie, Logikgatter, Magnetoresistive Random Access Memory, Maskenprogrammierung, Meißner-Schaltung, Memtransistor, Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Metallische Gate-Elektrode, MicroVAX 78032, Mikroelektronik, Mikrofonsignal, Millereffekt, MIS-Kondensator, Mischer (Elektronik), Negative Rückkopplung, Neumann U 47, Neumann U 87, NIGFET, Oberflächenphotospannung, Open circuit, Open-Collector-Ausgang, Operationsverstärker, Organischer Feldeffekttransistor, Oskar Heil, P-18, P-n-Übergang, Polysiliziumverarmung, Potentiometer, Programmable unijunction transistor, Rashba-Effekt, Röhrenverstärker, Röntgenlithografie, RDSON, Reed-Relais, Richard Henry Friend, Robert H. Dennard, Sample-and-Hold-Schaltung, Scandiumnitrid, Schalter (Elektrotechnik), Schaltverluste, Schwellenspannung, Silicen, Silicium-Nanodraht, Siliciumdioxid, Sleep-Modus, Source, Spacer (Halbleitertechnik), Spannungs-Kompensation, Sperrschicht-Feldeffekttransistor, Spin-Transistor, Steilheit, Steuerelektrode, Stromregeldiode, Technologieknoten, Thyristor, Tonaderspeisung, Totem-Pole-Ausgang, Transistor, Transistorgrundschaltungen, Transitfrequenz, Transkonduktanzverstärker, Transmission-Gate, Unipolar, Variabler Kondensator, Vermittlungsstelle, Verzerrer, Voltage Controlled Amplifier, Walter Eric Spear, Willkürliche Einheit, Wladislaw Borissowitsch Timofejew, 1/f-Rauschen, 3D XPoint. Erweitern Sie Index (139 mehr) »

Active Pixel Sensor

Ein Active Pixel Sensor (APS; deutsch aktiver Pixelsensor) ist ein Halbleiterdetektor zur Lichtmessung, der in CMOS-Technik gefertigt ist und deshalb oft als CMOS-Sensor bezeichnet wird.

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AKG C451

AKG C451B Das AKG C451 ist ein Kondensatormikrofon des österreichischen Herstellers AKG Acoustics, das ab 1969 in unterschiedlichen Versionen hergestellt wurde.

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Aluminium

Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.

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Analogmultimeter

Ein einfaches Analogmultimeter Ein Analogmultimeter, auch Analog-Vielfach-Messgerät, ist ein Multimeter mit einem Zeigermessgerät.

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Antenne

Große drehbare Kurzwellenantenne am Sender Moosbrunn (bei Wien) Antenne des Mittelwellen­senders des AFN (Ditzingen-Hirschlanden) Grimeton (Schweden) Eine Antenne ist eine technische Anordnung zur Abstrahlung und zum Empfang elektromagnetischer Wellen, oft zur drahtlosen Kommunikation.

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Arbeitsspeicher

Der Arbeitsspeicher oder Hauptspeicher eines Computers ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält.

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Audion

Das Audion ist ein Rundfunk-Geradeausempfänger und oft ein Einkreiser.

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Audioverstärker

Tuner, CD-Spieler und Plattenspieler, sowie eine Klangregelung für Bass und Höhen. Diesen Gerätetyp gibt es seit etwa den 1960er Jahren mit weitgehend gleichem Funktionsumfang und Bedienung. Mehrkanalton bei Fernsehen und Video haben. Ein Audioverstärker oder Tonverstärker ist ein breitbandiger und möglichst verzerrungsarmer Verstärker für Wechselspannungen im hörbaren Niederfrequenz-Bereich von 20 Hz bis 20.000 Hz oder höher.

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Automatische Verstärkungsregelung

Eine automatische Verstärkungsregelung (kurz AGC, von) dient in elektronischen Geräten dazu, den Ausgangspegel eines Verstärkers konstant zu halten, auch wenn sich die Amplitude des eingehenden Signals stark ändert.

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Überführungszahl

Als Überführungszahl oder Hittorfsche Überführungszahl t_i oder auch n_iUdo R. Kunze, Georg Schwedt: Grundlagen der qualitativen und quantitativen Analyse. Thieme Verlag, Stuttgart 1996, ISBN 3-13-585804-9, S. 268.

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Überlagerungsempfänger

Ein Überlagerungsempfänger (auch Superheterodynempfänger, kurz Superhet oder Super) ist eine elektronische Schaltung zum Empfang und zur Verarbeitung von hochfrequenten elektromagnetischen Funksignalen.

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Batterieröhre

Eine Batterieröhre ist eine Elektronenröhre, die speziell für tragbare Geräte wie batteriebetriebene Röhrenempfänger, Sprechfunkgeräte wie das Handie-Talkie SCR-536 oder Hörgeräte entwickelt wurde.

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Bernard Lechner

Bernard J. Lechner (2011) Bernard J. Lechner (* 1932 in New York City, USA; † 11. April 2014) war ein US-amerikanischer Elektroingenieur und Erfinder.

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Biosensor

Biosensoren sind Messfühler, die mit biologischen Komponenten ausgestattet sind.

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Bipolarer Leistungstransistor

Ein Leistungsbipolartransistor (engl. bipolar power transistor auch power bipolar junction transistor, Power BJT) ist eine spezialisierte Version eines Bipolartransistors, der für das Leiten und Sperren von großen elektrischen Strömen und Spannungen optimiert ist (bis mehrere hundert Ampere und bis ca. 1000 Volt, bei einem Bauteilvolumen von ca. einem Kubikzentimeter).

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Bipolartransistor

Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.

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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode

Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.

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BISFET

BISFET ist die Abkürzung für.

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Bulk

Bulk steht für.

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Calciumfluorid

Calciumfluorid (auch Kalziumfluorid, eigentlich Calciumdifluorid) ist das Calciumsalz der Fluorwasserstoffsäure.

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Charge-Trapping-Speicher

Charge-Trapping-Speicher, ist eine Halbleiterspeichertechnik, die primär bei EEPROMs und in hochkapazitiven, nichtflüchtigen Flashspeichern, die als NAND-Flash oder NOR-Flash organisiert sind, eingesetzt wird.

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Charles A. Lee (Elektroingenieur)

Charles Alexander Lee (* 28. August 1922 in New York City; † 11. Juni 2001 in Ithaca) war ein US-amerikanischer Elektroingenieur und gilt als Entwickler der heute als Mesatransistoren bekannten Bauform von Bipolartransistoren.

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Chemisch sensitiver Feldeffekttransistor

Ein chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (kurz ChemFET) ist eine spezielle Form eines Feldeffekttransistors, der als Sensor für Chemikalien und chemische Eigenschaften von Substanzen eingesetzt wird.

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Colpitts-Schaltung

Die Colpitts-Schaltung, auch Colpitts-Oszillator genannt, ist eine Oszillatorschaltung zur Erzeugung einer periodischen Wechselspannung (Sinusschwingung).

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Complementary metal-oxide-semiconductor

Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.

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Coulomb-Blockade

Coulomb-Blockade ist das Verschwinden der elektrischen Leitfähigkeit eines Strompfades über ein Nanoobjekt, weil dieses wegen seiner kleinen elektrischen Kapazität zur Umgebung keine elektrische Ladung abgeben oder aufnehmen kann.

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Current Mode Logic

Eine Ausgangsstufe in CML Bei dem englischen Begriff Current Mode Logic (kurz: CML, deutsch Stromschaltlogik), auch (kurz: SCL, deutsch in etwa Source-gekoppelte Logik), handelt es sich in der Digitaltechnik um einen Schnittstellen-Standard für kabelbasierende Hochgeschwindigkeits-Datenübertragungen mit Bitraten zwischen 312,5 MBit/s bis 12,5 GBit/s.

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CVAX

CVAX CPU (rechts) und CFPA (FPU) auf linken Seite aus einer MicroVAX 3400. Links oben der Taktchip Die eines DEC CVAX SoC (DC222G) CVAX ist ein Chipsatz, der von der Digital Equipment Corporation (DEC) von 1984 bis 1987 entwickelt, sowie in Folge hergestellt wurde und die Virtual Address eXtension (VAX) implementiert hat.

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DePFET-Detektor

Ein DePFET-Detektor ist ein elektronisches Halbleiterbauelement und stellt einen speziellen Typ von Feldeffekttransistor dar, mit dem Licht und Teilchenstrahlung nachgewiesen werden kann.

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Detektorempfänger

Detektorempfänger (von; auch Detektorradio, Diodenempfänger) waren in den Anfangstagen des Rundfunks die einfachsten Geräte zum Empfang von Hörfunksendungen, die zum Beispiel über Kurz-, Mittel- oder Langwelle amplitudenmoduliert ausgestrahlt wurden.

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Diaminomaleonitril

Diaminomaleonitril (DAMN) ist ein tetrameres, d. h.

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DIBL-Effekt

Mit abnehmender Kanallänge reduziert sich das Potential der Barriere φB, die von einem Elektron am Source auf dem Weg zum Drain überwunden werden muss. Der DIBL-Effekt (von, dt. Drain(spannungs)-bedingte Potentialbarriereabsenkung) ist ein Kurzkanaleffekt in MOSFETs, der sich in seiner ursprünglichen Form auf eine Reduzierung der Schwellenspannung eines normal-sperrenden Transistors bei höherer Drainvorspannung (.

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Differenzverstärker

Der Differenzverstärker ist ein elektronischer Verstärker mit zwei Eingängen, bei dem die Differenz der beiden Eingangssignale verstärkt wird.

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Differenzverstärker-Oszillator

Ein Differenzverstärker-Oszillator ist eine Oszillatorschaltung zur Erzeugung einer Sinusschwingung mit dem Merkmal, dass der Oszillator mit einem Schwingkreis ohne Anzapfung arbeitet und wenige passive Bauteile benötigt.

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Diffusionstransistor

Als Diffusionstransistor bezeichnet man jeden Transistor, bei dem die elektrisch aktiven Bereiche durch Diffusion von Fremdatomen (Dotierung) in ein Halbleiter-Substrat (z. B. Silizium-Wafer) hergestellt werden.

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Digitaltransistor

Schaltsymbol, NPN Als Digitaltransistor wird in der Elektronik ein diskreter Bipolartransistor mit eingebauten Widerständen, üblich ein Basisvorwiderstand und häufig mit zusätzlichen Basis-Emitter-Widerstand, bezeichnet.

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Dinickelsilicid

Dinickelsilicid ist eine anorganische chemische Verbindung des Nickels aus der Gruppe der Silicide.

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Diode-Transistor-Logik

In der Elektronik ist DTL die Abkürzung für die Logikfamilie Diode Transistor Logic.

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Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphinoxid

--> Diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphinoxid ist eine chemische Verbindung aus der Gruppe der Organophosphorverbindungen.

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DNA-Sequenzierung

DNA-Sequenzierung ist die Bestimmung der Nukleotid-Abfolge in einem DNA-Molekül.

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Drain

Drain bezeichnet.

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Dual Stress Liner

Der englische Begriff dual stress liner (DSL) bezeichnet in der Halbleitertechnik ein Verfahren zur Herstellung von verspanntem Silizium (engl. strained silicon) für p- und n-Kanal-MOSFETs in Silicon-on-Insulator-Technologien (SOI).

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Dynamic Random Access Memory

VRAM. Dynamic Random Access Memory (DRAM) oder der halb eingedeutschte Begriff dynamisches RAM bezeichnet eine Technologie für einen elektronischen Speicherbaustein mit wahlfreiem Zugriff (Random-Access Memory, RAM), der hauptsächlich in Computern eingesetzt wird, jedoch auch in anderen elektronischen Geräten wie zum Beispiel Druckern zur Anwendung kommt.

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Early-Effekt

Early-Spannung im Ausgangskennlinienfeld eines Bipolartransistors bei Basisweiten-Modulation (''Early-Effekt'') Schema eines npn-Bipolartransistors pnp-Transistor''U''CE (oben) CE (unten) Der Early-Effekt, auch Basisweiten-Modulation, benannt nach seinem Entdecker James M. Early, beschreibt in der Halbleitertechnik die Änderung der effektiven Basisweite W eines Bipolartransistors durch die Kollektor-Emitter-Spannung UCE.

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Edward B. Eichelberger

Edward B. Eichelberger (* um 1934) ist ein US-amerikanischer Informatiker.

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Einkreiser

Als Einkreiser wird eine einfache Bauart eines Funk- und Rundfunk-Empfängers bezeichnet, der Einkreis-Geradeausempfänger.

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Einzelelektronentransistor

Energiezustände eines SET in Sperr- und Durchlassschaltung Als Einzelelektronentransistoren, auch Ein-Elektron-Transistoren, (SET für oder) bezeichnet man elektronische Bauelemente, die zu einem bestimmten Zeitpunkt nur von jeweils einem Elektron passiert werden können.

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Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory

Serielles EEPROM PLCC-Chipgehäuse Ein EEPROM (engl. Abk. für electrically erasable programmable read-only memory, wörtlich: elektrisch löschbarer programmierbarer Nur-Lese-Speicher, auch E2PROM) ist ein nichtflüchtiger, elektronischer Speicherbaustein, dessen gespeicherte Information elektrisch gelöscht werden kann.

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Electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor

Der electrolyte-oxide-semiconductor field-effect transistor (engl., kurz EOSFET, dt. „Elektrolyt-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor“) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET).

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Elektrischer Kontakt

Ein elektrischer Kontakt dient in der Elektrotechnik dazu, zwischen elektrischen Bauelementen, zwischen oder innerhalb von Stromkreisen oder innerhalb von Bauteilen wie Schützen, Relais oder Tastern / Schaltern eine elektrische Verbindung herzustellen.

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Elektronengekoppelter Oszillator

ECO-Schaltung mit FET Der elektronengekoppelte Oszillator (engl. Electron-Coupled Oscillator, abgekürzt ECO) ist eine elektronische Schaltung zur Erzeugung von Wechselspannung.

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Elektronik-Pass

Der Elektronik-Pass wurde im Herbst 1969 vom Heinz-Piest-Institut für Handwerkstechnik an der Universität Hannover (HPI) als bundeseinheitliches Fortbildungssystem für das Handwerk eingeführt.

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Elektronischer Schalter

Elektronischer Schalter, Maxim Integrated MAX313 Ein elektronischer Schalter, auch Analogschalter oder Halbleiterschalter, ist Bestandteil einer elektronischen Schaltung, die die Funktion eines elektromechanischen Schalters realisiert.

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Elektrostatische Entladung

Elektrostatische Entladung in Form eines Blitzes Symbol für eine ESD-Schutzkomponente Symbol Gefahrenzeichen für ESD-gefährdete Bauteile Symbol eines ESD-Erdungs­punkts für alle Komponenten Elektrostatische Entladungen (kurz ESD) sind durch große Potentialdifferenzen entstehende Spannungsdurchschläge.

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Elektrotechnik

Elektrotechnik ist eine Ingenieurwissenschaft, die sich mit der Forschung und der Entwicklung sowie der Produktion, dem Zusammenbau und der Instandhaltung von Elektrogeräten und elektrischen Anlagen befasst, die zumindest anteilig auf elektrischer Energie beruhen.

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Enzymfeldeffekttransistor

Ein Enzymfeldeffekttransistor (ENFET), auch enzymatisch aktiver Feldeffekttransistor genannt, ist ein spezieller chemisch sensitiver Feldeffekttransistor (ChemFET).

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Erdung

Als Erdung bezeichnet man die Ableitung elektrischer Ströme in die Erde.

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Ersatzschaltungen des Bipolartransistors

Um das Verhalten eines Bipolartransistors oder Feldeffekttransistors auch in komplexen Schaltungen berechnen zu können, benötigt man ein vereinfachtes, abstraktes Modell.

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Ferroelectric Random Access Memory

FeRAM von Ramtron Als Ferroelectric Random Access Memory (FRAM oder FeRAM) bezeichnet man einen nichtflüchtigen elektronischen Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften, das heißt dem Ferromagnetismus analoge elektrische Eigenschaften.

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Ferroelektrikum

Ferroelektrizität (oder auch Polarisationskatastrophe) beschreibt das Phänomen, dass Stoffe mit einem elektrischen Dipolmoment durch das Anlegen eines äußeren elektrischen Feldes die Richtung der spontanen Polarisation ändern.

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Festkörper

Teilchenmodell eines kristallinen Festkörpers Quasiperiodischer Kristall, wie sie der Nobelpreisträger für Chemie (2011) Dan Shechtman untersuchte. Festkörper (auch Feststoff) bezeichnet in den Naturwissenschaften Materie im festen Aggregatzustand.

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Fet (Begriffsklärung)

Fet steht für.

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Flash-Speicher

Flash-Speicher sind digitale Speicherbausteine für eine nichtflüchtige Speicherung ohne Erhaltungs-Energieverbrauch.

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Floating-Gate-Transistor

Ein Floating-Gate-Transistor ist ein spezieller Transistor, der in nichtflüchtigen Speichern zur permanenten Informationsspeicherung eingesetzt wird.

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Funktionspolymere

Funktionspolymere oder intelligente Polymere (englisch: stimuli-responsive polymers oder smart polymers) sind komplexe Makromoleküle, deren physikalischen und chemischen Eigenschaften sich durch kleine Änderungen einer oder mehrerer Umwelteigenschaften in großem Maße aber reversibel verändern.

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Galliumarsenid

Die binäre Verbindung Galliumarsenid (GaAs) ist ein Halbleiterwerkstoff, der sowohl halbleitend (mit Elementen aus den Gruppen II, IV oder VI des Periodensystems dotiert) als auch semiisolierend (undotiert) sein kann.

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Galliumnitrid

Galliumnitrid (GaN) ist ein aus Gallium und Stickstoff bestehender III-V-Halbleiter mit großem Bandabstand (wide bandgap), der in der Optoelektronik insbesondere für blaue und grüne Leuchtdioden (LED) und als Legierungsbestandteil bei High-electron-mobility-Transistoren (HEMT), einer Bauform eines Sperrschicht-Feldeffekttransistors (JFET), Verwendung findet.

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Gassensor

Gassensor-Einsatz zur Detektion von Methan und anderen brennbaren Gasen Ein Gassensor ist ein Chemosensor für die Detektion gasförmiger Substanzen.

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Gate

Gate steht für.

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Gegentakt-Oszillator

Ein Gegentakt-Oszillator ist eine elektronische Schaltung zur Schwingungserzeugung.

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Gegentaktendstufe

Zwei Röhren für eine Senderendstufe in Gegentakt-Schaltung Eine Gegentaktendstufe ist eine elektronische Schaltung und wird im Bereich von Endstufen eingesetzt.

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Gerhard Abstreiter

Gerhard Abstreiter (geboren am 27. November 1946 in Allershausen) ist ein deutscher Halbleiterphysiker und emeritierter Hochschullehrer der Technischen Universität München (TUM).

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Gerhard Klimeck

Gerhard Klimeck Gerhard Klimeck (* 15. März 1966 in Essen) ist ein deutsch-amerikanischer Wissenschaftler, Hochschullehrer, Fachbuchautor auf dem Gebiet der molekularen Nanotechnologie und Elektrotechnik.

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Geschichte der Naturwissenschaften

Flammarions Holzstich (1888): Der Mensch erblickt das neue Weltbild jenseits der Himmelssphären Die Geschichte der Naturwissenschaften umfasst die Entwicklung der empirischen und systematischen Erforschung der Natur von der Frühgeschichte bis zur Gegenwart.

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Geschwindigkeitssättigung

Die Geschwindigkeitssättigung bezeichnet einen der Kurzkanaleffekte bei Feldeffekttransistoren (FETs).

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Gitterbasisschaltung

Die Gitterbasisschaltung (engl.: grounded grid) ist eine oft bei Hochfrequenz-Anwendungen angewandte Grundschaltung einer Elektronenröhre.

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Gittervorspannung

Als Gittervorspannung bezeichnet man die geringe – gegenüber der Kathode – negative Gleichspannung des Steuergitters einer mit einer Röhre aufgebauten Verstärkerstufe.

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Gridistor

Der Gridistor ist eine Variante des Sperrschichtfeldeffekttransistors mit vielen Kanälen, die durch gitterförmig angeordnete Gate-Elektroden entstehen.

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GTO-Thyristor

Der GTO-Thyristor ist ein Thyristor, der wie ein normaler Thyristor mit einem positiven Stromimpuls am Steuereingang – dem Gate – eingeschaltet werden kann.

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Hafnium

Hafnium (veraltet: Celtium) ist ein chemisches Element mit dem Symbol Hf und der Ordnungszahl 72.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Hans Lippmann

Hans Lippmann 2007 Hans Herbert Otto Lippmann (* 24. Mai 1928 in Chemnitz; † 17. November 2007 ebenda) war ein deutscher Physiker.

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HDRC

HDRC ist eine neue Technologie im Bereich von CMOS-Bildsensoren.

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Heike Riel

Heike E. Riel (* 6. Februar 1971 in Nürnberg) ist eine deutsche Physikerin.

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Heinrich Welker

Heinrich Johann Welker (* 9. September 1912 in Ingolstadt; † 25. Dezember 1981 in Erlangen) war ein deutscher Physiker, insbesondere auf dem Gebiet der Halbleitertechnik.

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Hekatron

Die Hekatron Vertriebs GmbH (Hekatron Brandschutz) ist ein deutsches Unternehmen, das im Markt des anlagentechnischen Brandschutzes tätig ist und am Standort Sulzburg alle ihre Produkte durch die Schwestergesellschaft Hekatron Technik GmbH produzieren lässt.

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High-electron-mobility transistor

Querschnitt eines InGaAs-pseudomorphen HEMT Der high-electron-mobility transistor (HEMT, dt. „Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit“) ist eine spezielle Bauform des Feldeffekttransistors für sehr hohe Frequenzen und ist von der Konstruktion her eine spezielle Bauform eines MESFET.

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Ian Munro Ross

Ian Munro Ross FREng (* 15. August 1927 in Southport; † 10. März 2013) war ein britischer Elektroingenieur.

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Igor Georgijewitsch Neiswestny

Igor Georgijewitsch Neiswestny (* 26. November 1931 in Odessa) ist ein ukrainisch-russischer Physiker und Hochschullehrer.

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Indigo

Indigo (von; nach dem Herkunftsgebiet Ostindien) ist eine tiefblaue, kristalline organisch-chemische Verbindung.

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Indiumantimonid

Indiumantimonid (InSb) ist eine chemische Verbindung aus Indium (In) und Antimon (Sb).

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Integrated Electronics Piezo-Electric

Die Abkürzung IEPE steht für Integrated Electronics Piezo Electric.

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Integrierte Injektionslogik

Die integrierte Injektionslogik, abgekürzt IIL, I2L, oder I2L (von den Entwicklern auch als merged transistor logic, MTL, bezeichnet) ist in der Elektronik eine Schaltungstechnik für logische Gatter, bei der als aktives Bauelement pro Schaltstufe zwei Bipolartransistoren eingesetzt werden.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Intel 4004

Der Intel 4004 ist ein 4-Bit-Mikroprozessor des Mikrochipherstellers Intel, der am 9.

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Isolierschicht-Feldeffekttransistor

Beispiel eines IGFET, hier n-Kanal-MOSFET, mit einer Isolationsschicht aus Siliziumdioxid (gelb) Isolierschicht-Feldeffekttransistor, auch „Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate“ (IGFET) ist die Bezeichnung für eine der beiden Obergruppen von Feldeffekttransistoren.

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Jochen Mannhart

Jochen Mannhart (* 24. April 1960 in Metzingen) ist ein deutscher Physiker.

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Julius Edgar Lilienfeld

Julius Edgar Lilienfeld (Passbild seines US-amerikanischen Ausweises, also aus der Zeit ab 1934) Julius Edgar Lilienfeld (* 18. April 1882 in Lemberg; † 28. August 1963 in Charlotte Amalie, Virgin Islands) war ein US-amerikanischer Physiker österreichisch-ungarischer Herkunft.

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Kaskode

Die Kaskodenschaltung (nicht zu verwechseln mit der Kaskadenschaltung) ist eine elektrische Verstärkerschaltung mit mindestens zwei Elektronenröhren oder Transistoren, die in Serie geschaltet sind.

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Klirrfaktor

Der Klirrfaktor, auch Oberschwingungs- oder Verzerrungsgehalt, ist ein Maß für Verzerrungen eines ursprünglich sinusförmigen Wechselsignals, welche durch nichtlineares Verhalten einer Baugruppe (Verstärker, Analog-Digital-Umsetzer, Digital-Analog-Umsetzer) oder eines Gerätes (Lautsprecher, Mikrofon, Tonbandgerät) verursacht werden.

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Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor

Struktur des CNTFET, Objekt der Forschung Kohlenstoff-Nanoröhren-Feldeffekttransistor (CNTFET) ist ein Transistor, der in der Halbleiterstruktur Kohlenstoffnanoröhren (CNT) verwendet.

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Kohlenstoffnanoröhre

Schematische Darstellung der räumlichen Struktur einer Kohlenstoffnanoröhre Kohlenstoffnanoröhren, auch CNT genannt, sind aus Kohlenstoff bestehende Röhren (molekulare Nanoröhren) mit Durchmessern im Nanometerbereich.

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Konstantstromquelle

Die Konstantstromquelle ist eine elektrische Schaltung, um eine ideale Stromquelle nachzubilden.

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Labordiamant

Labordiamanten in verschiedenen Farben, hergestellt durch das HPHT-Verfahren Labordiamanten (LGD, auch im Labor gezüchtete, im Labor geschaffene, menschengemachte, künstliche, lab-grown, oder Kulturdiamanten genannt) sind Diamanten, die in einem kontrollierten technologischen Prozess hergestellt werden (im Gegensatz zu natürlich entstandenen Diamanten, welche in einem geologischen Prozess geschaffen und bergmännisch gefördert werden).

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Ladungsverstärker

Ein Ladungsverstärker ist in der elektrischen Messtechnik eine gebräuchliche Bezeichnung für einen Ladungs-Spannungs-Wandler, der meist geringe Ladungen in eine dazu proportionale Spannung umwandelt.

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Lasertrimmen

Als Lasertrimmen oder Laserabgleich bezeichnet man ein Verfahren zum Abgleich (Trimmen) von Bauteilen durch laserstrahlinduzierte Materialveränderungen.

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Latch-up-Effekt

Der Fachbegriff Latch-up-Effekt (von englisch „einrasten“, auch single event latchup, SEL) bezeichnet in der Elektronik den Übergang eines Halbleiterbauelements, wie beispielsweise in einer CMOS-Stufe, in einen niederohmigen Zustand, der zu einem elektrischen Kurzschluss führen kann.

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Lieven Vandersypen

Lieven Mark Koen Vandersypen (* 19. September 1972 in Löwen) ist ein belgischer Ingenieur und Pionier bei der Realisierung von Quantenrechnern.

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Linearität (Physik)

Von Linearität in Physik, Chemie und Technik wird gesprochen, wenn ein Zusammenhang zwischen zwei physikalischen Größen durch eine lineare Funktion dargestellt werden kann.

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Liste der Schaltzeichen (Elektrik/Elektronik)

Diese Liste zeigt Schaltzeichen für Elektrik und Elektronik.

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Liste deutscher Erfinder und Entdecker

Die Liste deutscher Erfinder und Entdecker ist eine Liste von Erfindern und Entdeckern aus Deutschland in alphabetischer Reihenfolge des Familiennamens.

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Liste elektrischer Bauelemente

Dieser Artikel listet elektrische bzw. elektronische Bauelemente auf (auch Bauteile genannt), die man für Schaltungen in der Elektrotechnik bzw.

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Liste von Abkürzungen (Computer)

Dies ist eine Liste technischer Abkürzungen, die im IT-Bereich verwendet werden.

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Liste von Erfindern

Dies ist eine Liste von Erfindern, die eine gewisse Bedeutung erlangt haben.

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Liste von Persönlichkeiten der Humboldt-Universität zu Berlin

Auf dieser Liste finden sich ehemalige und gegenwärtige bekannte Angehörige der Humboldt-Universität zu Berlin (HU Berlin), darunter 29 Nobelpreisträger.

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Logikfamilie

Logikfamilie bezeichnet in der Digitaltechnik eine Reihe von Bausteinen (normalerweise als Integrierte Schaltungen), die elementare (wie Logikgatter) und meist auch komplexere logische Schaltungen zur Verfügung stellen.

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Logikgatter

Ein Logikgatter, auch nur Gatter, (engl. (logic) gate) ist eine Anordnung (heutzutage praktisch immer eine elektronische Schaltung) zur Realisierung einer booleschen Funktion, die binäre Eingangssignale zu einem binären Ausgangssignal verarbeitet.

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Magnetoresistive Random Access Memory

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnik, die seit den 1990er Jahren entwickelt wird.

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Maskenprogrammierung

Die Maskenprogrammierung bezeichnet das Erzeugen des vom Anwender gewünschten Dateninhalts eines Festwertspeichers (ROM) mittels einer oder mehrerer Masken durch den Halbleiterhersteller.

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Meißner-Schaltung

Meißner-Oszillator, Patentschrift Ein Meißner-Oszillator, oder auch Armstrong-Oszillator, ist ein rückgekoppelter Verstärker mit einem frequenzbestimmenden Schwingkreis, welcher zur Gruppe der Sinus-Oszillatoren zählt.

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Memtransistor

Ein Memtransistor (der Name ist ein Kofferwort für Memory Transfer Resistor) ist ein elektronisches Bauelement, welches einen Feldeffekttransistor mit mehreren Memristoren in einem einzigen elektrischem Bauelement verbindet.

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Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Prinzipskizze eines n-Kanal-MESFETs Der Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MeSFET) ist ein zur Gruppe der Sperrschicht-Feldeffekttransistoren (JFET) gehörendes elektronisches Halbleiterbauelement.

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Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur

MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einem vertikalen MIS-Kondensator Die Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur (engl. metal insulator semiconductor, kurz MIS) bildet die Grundlage für eine Vielzahl von Bauelementen in der Mikroelektronik, z. B.

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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Metallische Gate-Elektrode

Eine metallische Gate-Elektrode bezeichnet im Bereich der Halbleitertechnik eine aus Metall bestehende Gate-Elektrode (Steuerelektrode) eines Isolierschicht-Feldeffekttransistors (IGFET, z. B. MOSFET).

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MicroVAX 78032

CPU 78032 (oben), FPU 78132 (unten). Der MicroVAX 78032, auch als DC333 bezeichnet, ist ein 32-Bit-Mikroprozessor, welcher von der Digital Equipment Corporation (DEC) in den ab 1985 vorgestellten Minirechnern MicroVAX II eingesetzt wurde.

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Mikroelektronik

Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik.

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Mikrofonsignal

Als Mikrofonsignal bezeichnet man ein mit einem Mikrofon gewonnenes Audiosignal mit elektrischen Spannungen im Millivolt-Bereich.

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Millereffekt

Als Millereffekt wird die effektive Vergrößerung der parasitären Kapazität zwischen Ausgang und invertierendem Eingang eines Spannungsverstärkers bezeichnet.

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MIS-Kondensator

MIS-Struktur (Metall/SiO2/p-Si) in einem vertikalen MIS-Kondensator Der MIS-Kondensator ist in der Elektrotechnik ein spezieller Kondensator, welcher in Form der namensgebenden Metall-Isolator-Halbleiter-Struktur aufgebaut ist.

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Mischer (Elektronik)

Mischer werden in der Kommunikationstechnik zur Frequenzumsetzung von elektrischen Signalen verwendet.

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Negative Rückkopplung

Veränderung der Größe der Pupille wirkt als negative Rückkopplung regulierend auf den Lichteinfall ins Auge. Je mehr Licht einwirkt, desto kleiner, je weniger Licht einwirkt, desto größer wird die Pupille. Simples Beispiel für eine negative Rückkopplung in der Technik. Die Entleerung eine WC-Spülkastens bewirkt über einen an einem Hebel befestigten "Schwimmer", dass der Wasserzulauf geöffnet wird. Wenn der Spülkasten bis oben gefüllt ist, wird der Wasserzulauf wieder geschlossen. Die negative Rückkopplung, auch Gegenkopplung genannt, bezeichnet das charakteristische Merkmal eines Regelkreises: Die gefilterte Rückführung der Ausgangsgröße UA eines Systems mit verstärkender Eigenschaft auf dessen Eingang, um dort dem Eingangssignal UE entgegenzuwirken.

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Neumann U 47

Röhren-Kondensatormikrofon Neumann U 47 Günter Bollmann mit U 47 Das Neumann U 47 ist ein Großmembran-Kondensatormikrofon der Georg Neumann GmbH.

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Neumann U 87

hochkant.

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NIGFET

Schema eines NIGFET, hier n-Kanal-JFET NIGFET (dt. »Feldeffekttransistor mit nicht isolierter Steuerelektrode«) die Bezeichnung für eine Gruppe von Feldeffekttransistoren, bei denen der Stromfluss durch eine angelegte Steuerspannung quer zur Flussrichtung gesteuert wird.

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Oberflächenphotospannung

Die Oberflächenphotospannung (SPV) ist eine Messgröße zur Bestimmung der Diffusionslänge von Minoritätsladungsträgern in Halbleitern.

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Open circuit

Open Circuit (englisch für „Offene Schaltung“) bezeichnet in der Elektrotechnik Ausgänge von elektrischen Schaltungen, die einen hochohmigen („offenen“) Zustand einnehmen können.

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Open-Collector-Ausgang

Grundprinzip eines Open-Collectors Online.

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Operationsverstärker

Schaltsymbol OperationsverstärkerLinks zwei Eingänge* mit „−“ markiert: invertierend* mit „+“ markiert: nichtinvertierendRechts der AusgangHilfsanschlüsse, z. B. zur Speisung, werden im Allgemeinen nicht gezeigt Schaltsymbol nach DIN EN 60617 Teil 13 Ober­flächen­mon­tage Ein Operationsverstärker (Abk. OP, OPV, OPA, OpAmp, seltener OpV, OV, OA) ist ein gleichspannungsgekoppelter Verstärker mit einem sehr hohen Verstärkungsfaktor.

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Organischer Feldeffekttransistor

Der organische Feldeffekttransistor (OFET) ist ein Feldeffekttransistor (FET), der mindestens als Halbleiter ein organisches Material nutzt.

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Oskar Heil

Oskar Ernst Heil (* 20. März 1908 in Langwieden; † 15. Mai 1994 in San Mateo) war ein deutscher Physiker und Entwickler von Lautsprechern.

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P-18

P-18 Innenansicht Die P-18 (deutsch P-18 Terek) ist ein in der Sowjetunion entwickeltes 2D-Radargerät.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

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Polysiliziumverarmung

Die Polysiliziumverarmung ist ein physikalisches Phänomen, das in der Halbleitertechnik bei Feldeffekttransistoren, welche aus dem Gate-Material Polysilizium bestehen (vgl. Silizium-Gate-Technik), auftreten kann.

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Potentiometer

Ein Potentiometer (kurz Poti, nach neuer deutscher Rechtschreibung auch Potenziometer) ist ein elektrisches Widerstandsbauelement, dessen Widerstandswerte mechanisch (durch Drehen oder Verschieben) oder elektronisch veränderbar sind.

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Programmable unijunction transistor

Abb. 1: Schaltzeichen, Schichtaufbau und Strom-Spannungs-Kurve eines programmierbaren Unijunctiontransistors. Ein programmable unijunction transistor (PUT,, dt. programmierbarer Unijunctiontransistor) ist ein Halbleiter-Bauelement und im Aufbau ähnlich einem Thyristor.

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Rashba-Effekt

Als Rashba-Effekt (benannt nach Emmanuil Iossifowitsch Raschba) bezeichnet man eine bestimmte Kopplung des Elektronenspins an die orbitale Bewegung des Elektrons.

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Röhrenverstärker

Ein Röhrenverstärker ist ein elektronischer Verstärker, bei dem Elektronenröhren zur Verstärkung niederfrequenter elektrischer Signale verwendet werden.

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Röntgenlithografie

Die Röntgenlithografie (XRL) ist ein Strukturierungsverfahren aus der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik.

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RDSON

RDSON ist eine unter Elektronikern „umgangssprachliche“ Bezeichnung für den Einschaltwiderstand oder auch einen minimalen Durchgangswiderstand eines Feldeffekttransistors.

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Reed-Relais

Ein Reed-Relais (historisch auch Herkon-Relais) ist ein Relais, welches mit einem Reedschalter (auch Reedkontakt genannt) arbeitet.

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Richard Henry Friend

Richard Friend. Richard Henry Friend (* 18. Januar 1953 in London) ist ein britischer Physiker.

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Robert H. Dennard

Robert H. Dennard, vor 2010 Robert Heath Dennard (* 5. September 1932 in Terrell, Texas, USA) ist ein US-amerikanischer Elektroingenieur und Erfinder.

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Sample-and-Hold-Schaltung

Eine Sample-and-Hold-Schaltung (kurz: S&H), im Deutschen auch als Abtast-Halte-Glied bzw.

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Scandiumnitrid

Scandiumnitrid (ScN) ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Nitride mit dem Metall Scandium und stellt einen III-V-Verbindungshalbleiter mit indirekter Bandlücke dar.

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Schalter (Elektrotechnik)

Verschiedene Typen von Schaltern Schalter sind eine Baugruppe, die mittels zweier elektrisch leitender Materialien oder eines Halbleiterbauelements eine elektrisch leitende Verbindung herstellen oder trennen (Schaltkontakt).

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Schaltverluste

Als Schaltverluste versteht man in der Elektronik, speziell in der Leistungselektronik und der Digitaltechnik, jene elektrischen Leistungen, die bei einem Halbleiterschalter während des Einschaltens und des Ausschaltens an diesem umgesetzt werden und somit als Verluste anfallen.

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Schwellenspannung

Die Schwellenspannung U_\text, auch Fluss-, Schleusen-, Durchlass-, Vorwärts- oder Kniespannung sowie selten Knickspannung genannt, ist in der Elektronik.

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Silicen

Typische wellenförmige Struktur einer Silicen-Schicht. Silicen ist die Bezeichnung für eine zweidimensionale, allotrope Modifikation des Siliciums mit einer hexagonalen Wabenstruktur ähnlich der des Graphens.

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Silicium-Nanodraht

Als Silicium-Nanodraht werden massive Silicium-Strukturen mit einem Durchmesser im Nanobereich bezeichnet, die für Anwendungen in der Mikroelektronik und der Akkutechnik geeignet sind.

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Siliciumdioxid

Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2.

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Sleep-Modus

Als Sleep-Modus (englisch sleep: „Schlaf“) bezeichnet man einen stromsparenden Bereitschaftszustand (Ruhezustand) bei einem Mikroprozessor, in den dieser durch einen speziellen Maschinenbefehl (zum Beispiel mit Mnemonik SLEEP oder HALT) versetzt wird.

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Source

Source (englisch/französisch für „Quelle“) steht für.

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Spacer (Halbleitertechnik)

Spacer-Bildung an einer beliebigen vorhandenen Struktur durch konforme Abscheidung und anschließender anisotroper Ätzung einer Schicht. Querschnitt durch einen IC auf einem Silicon-on-Sapphire-Substrat. Dabei ist seitlich am Gate-Schichtstapel ein einfacher Spacer dargestellt Als Spacer (engl. für ‚Abstandshalter, Platzhalter, Abstandsstück‘), auch sidewall spacer genannt, werden in der Halbleitertechnik dünne Schichten an einer Seitenwand bzw.

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Spannungs-Kompensation

Das Verfahren der Spannungs-Kompensation ist ein Verfahren der elektrischen Messtechnik zur stromlosen Messung einer elektrischen Spannung.

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Sperrschicht-Feldeffekttransistor

Der Sperrschicht-Feldeffekttransistor (SFET, engl. junction-fet, JFET bzw. non-insulated-gate-fet, NIGFET) ist der am einfachsten aufgebaute Unipolartransistor aus der Gruppe der Feldeffekttransistoren; man unterscheidet zwischen n-Kanal- und p-Kanal-JFETs.

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Spin-Transistor

Der Spin-Transistor, abgekürzt Spin-FET, stellt eine Gruppe von speziellen Feldeffekttransistoren (FET) dar, welche die quantenmechanische Eigenschaft des Spin von Elektronen im Rahmen des Rashba-Effektes nutzen.

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Steilheit

Der Begriff Steilheit wird in der Technik häufig für den Anstieg einer Kennlinie verwendet.

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Steuerelektrode

Steuerelektrode bezeichnet.

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Stromregeldiode

Schaltzeichen (links) und Innenschaltung (rechts) einer Stromregeldiode. Anode und Kathode sind mit „a“ und „c“ gekennzeichnet. Eine Stromregeldiode oder Strombegrenzerdiode ist ein elektronisches Bauelement, das in einer Richtung ab einer bestimmten Spannung einen konstanten Strom führt und diesen Wert stabilisiert.

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Technologieknoten

Der Begriff Technologieknoten bezeichnet in der Halbleitertechnik einen Meilenstein für die Definition einer Herstellungsprozessgeneration und bezieht sich im Wesentlichen auf die kleinste fotolithografisch herstellbare Strukturgröße.

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Thyristor

Thyristor Thyristor ist die Bezeichnung für ein Bauteil in der Elektrotechnik.

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Tonaderspeisung

Die Tonaderspeisung (engl. T-power) dient in der Tontechnik zur Spannungsversorgung von Kondensatormikrofonen.

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Totem-Pole-Ausgang

R3, V3, V4 und V5 bilden den Totem-Pole.Die restlichen Bauteile dienen zur Ansteuerung Ein Totem-Pole-Ausgang bzw.

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Transistor

THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

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Transistorgrundschaltungen

Die Grundschaltungen einer Verstärkerstufe sind nach der Elektrode benannt, welche auf einem fest definierten elektrischen Potential liegt.

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Transitfrequenz

Die Transitfrequenz bezeichnet diejenige Frequenz eines verstärkenden Systems, bei der keine Verstärkung mehr stattfindet, das heißt 0 dB beträgt, und bildet damit die theoretische Obergrenze für einen sinnvollen Einsatz.

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Transkonduktanzverstärker

Ein Transkonduktanzverstärker (VC-OPV oder VC-OP), auch als Operational-Transconductance-Amplifier (OTA) bezeichnet, ist ein spezieller Operationsverstärker, der die Differenzspannung an den beiden Eingängen in einen proportionalen Ausgangsstrom umwandelt.

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Transmission-Gate

Als Transmission-Gates, Transmissionsgatter oder Übertragungsgatter, bezeichnet man in der Elektronik, speziell in der Mikroelektronik, eine meist integrierte elektronische Schaltung, die, ähnlich wie ein Relais, durch ein Steuersignal kontinuierliche Ströme mit nahezu beliebigem Spannungspotential in beide Richtungen leiten oder sperren kann.

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Unipolar

unipolar, auch monopolar, steht für.

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Variabler Kondensator

Beispiele mechanisch variabler Abstimm- und Trimmkondensatoren (nicht maßstäblich dargestellt) Variable Kondensatoren (Varkos) sind elektrische Kondensatoren, deren Kapazität in definierten Grenzen stufenlos und reproduzierbar einstellbar ist.

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Vermittlungsstelle

Struktur des Telefonnetzes (Festnetz) Tafel „Selbstanschlußamt“, Verkehrsmuseum Nürnberg Eine Vermittlungsstelle ist ein Knoten innerhalb eines Nachrichtennetzes, der die wahlweise Herstellung von Nachrichtenverbindungen ermöglicht.

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Verzerrer

Ein Verzerrer ist ein Gerät oder eine Software zur Deformation eines Audiosignals mit einem Begrenzer oder anderen Formen der Kennliniendeformation, wobei letztlich harmonische Obertöne erzeugt werden.

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Voltage Controlled Amplifier

Ein Voltage-controlled Amplifier (VCA, engl. für Spannungsgesteuerter Verstärker) ist ein elektronischer Verstärker, dessen Verstärkungsfaktor durch eine Steuerspannung gesteuert werden kann.

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Walter Eric Spear

Walter Eric Spear (* 20. Januar 1921 in Frankfurt am Main; † 21. Februar 2008 in Dundee) war ein britischer Festkörperphysiker, der ein Pionier bei amorphen Halbleitern war.

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Willkürliche Einheit

Unter einer willkürlichen Einheit versteht man eine relative Einheit.

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Wladislaw Borissowitsch Timofejew

Wladislaw Borissowitsch Timofejew (* 22. September 1936 in Moskau, Sowjetunion; † 19. August 2023) war ein russischer Festkörperphysiker und Hochschullehrer.

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1/f-Rauschen

Zeitliche Darstellung eines beispielhaften 1/f-Rauschsignals Hörbeispiel von 1/f-Rauschen Das 1/f-Rauschen, auch als rosa Rauschen bezeichnet, ist ein Rauschen, dessen Amplitude mit steigender Frequenz abnimmt.

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3D XPoint

Räumliche Gitterstruktur von 3D XPoint Intel ''Optane'' M.2-Speicher 3D XPoint ist eine von Intel und Micron Technology entwickelte, im Juli 2015 vorgestellte und im Juli 2022 abgekündigte Bauart nichtflüchtiger Datenspeicher.

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Leitet hier um:

Feldeffekt-Transistor, Feldeffekttransistoren, Gate-Elektrode, Unipolartransistor.

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