Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Thyristor und Transistor
Thyristor und Transistor haben 16 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bell Laboratories, Bipolartransistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, Complementary metal-oxide-semiconductor, Diac, Diode, Dotierung, Elektrischer Strom, Elektrisches Bauelement, Feldeffekttransistor, Halbleiter, Kofferwort, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, Optokoppler, P-n-Übergang, William Bradford Shockley.
Bell Laboratories
Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Haupteingang Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Die Bell Laboratories (auch Bell Labs, früher Bell Telephone Laboratories, kurz BTL) sind die ehemalige Forschungsabteilung der Telefongesellschaft AT&T, in der im Laufe des 20.
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Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Diac
Der Diac ist eine Diode und wird auch Zweirichtungs-Diode genannt.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektrischer Strom
Der elektrische Strom, oft auch nur Strom, ist eine physikalische Erscheinung aus dem Gebiet der Elektrizitätslehre.
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Elektrisches Bauelement
Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Kofferwort
Ein Kofferwort, auch Portmanteau-Wort oder Schachtelwort genannt, ist ein Wort, das aus mindestens zwei morphologisch überlappenden Wörtern entstanden ist, die zu einem inhaltlich neuen Begriff verschmolzen sind.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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Optokoppler
Schematischer Aufbau von Optokopplernoben: ''Face to face'', unten: ''coplanar'' mit galvanischer Isolierung Ein Optokoppler ist ein Bauelement der Optoelektronik und dient zur Übertragung eines Signals zwischen zwei galvanisch getrennten Stromkreisen.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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William Bradford Shockley
William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Thyristor und Transistor
- Was es gemein hat Thyristor und Transistor
- Ähnlichkeiten zwischen Thyristor und Transistor
Vergleich zwischen Thyristor und Transistor
Thyristor verfügt über 70 Beziehungen, während Transistor hat 178. Als sie gemeinsam 16 haben, ist der Jaccard Index 6.45% = 16 / (70 + 178).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Thyristor und Transistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
