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Siliciumdioxid und Thermische Oxidation von Silizium

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Siliciumdioxid und Thermische Oxidation von Silizium

Siliciumdioxid vs. Thermische Oxidation von Silizium

Siliciumdioxid (häufig auch Siliziumdioxid) ist ein Oxid des Siliciums mit der Summenformel SiO2. Die thermische Oxidation von Silizium ist ein Verfahren zur Änderung der Oberflächeneigenschaften, bei dem an der Oberfläche eines Siliziumsubstrats (beispielsweise einem Silizium-Wafer) oder einer Teilstruktur aus Silizium eine dünne Schicht aus amorphem Siliziumdioxid erzeugt wird.

Ähnlichkeiten zwischen Siliciumdioxid und Thermische Oxidation von Silizium

Siliciumdioxid und Thermische Oxidation von Silizium haben 16 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Amorphes Material, Chemische Gasphasenabscheidung, Durchschlagfestigkeit, Fotolithografie (Halbleitertechnik), Glas, Grad Celsius, Halbleitertechnik, High-k-Dielektrikum, Integrierter Schaltkreis, Kinetik (Chemie), Knallgas, Meter, Quarz, Quarzglas, Silicium, Tetraethylorthosilicat.

Amorphes Material

Als amorphes Material („Gestalt, Form“ mit vorgesetztem Alpha privativum a-, Sinn also etwa „ohne Gestalt“) bezeichnet man in der Physik und der Chemie einen Stoff, bei dem die Atome keine geordneten Strukturen, sondern ein unregelmäßiges Muster bilden und lediglich über Nahordnung, nicht aber Fernordnung verfügen.

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Chemische Gasphasenabscheidung

Unter dem Begriff chemische Gasphasenabscheidung (CVD), selten auch chemische Dampfphasenabscheidung, versteht man eine Gruppe von Beschichtungsverfahren bzw.

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Durchschlagfestigkeit

Die Durchschlagfestigkeit (auch Durchschlag- / Durchbruchfeldstärke, (di)elektrische Festigkeit) eines (dielektrischen) Isolierstoffes mit definierter Dicke ist diejenige elektrische Feldstärke, welche in ihm höchstens herrschen darf, ohne dass es zu einem Spannungsdurchschlag (Lichtbogen oder Funkenschlag) kommt.

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Fotolithografie (Halbleitertechnik)

Die Fotolithografie (auch Photolithographie) ist eine der zentralen Methoden der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik zur Herstellung von integrierten Schaltungen und weiteren Produkten.

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Glas

Venezianische und deutsche Gläser sowie eine orientalische Vase aus Milch- und Opalglas, mit eingebrannter Vergoldung und Malerei aus dem 16. bis 18. Jahrhundert (Foto von Ludwig Belitski, 1855) Glas (von germanisch glasa „das Glänzende, Schimmernde“, auch für „Bernstein“) ist ein Sammelbegriff für eine Gruppe amorpher Feststoffe, die beim Erhitzen im Bereich der Glasübergangstemperatur in den flüssigen Zustand übergehen, während nicht glasartige amorphe Substanzen dabei kristallisieren.

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Grad Celsius

Das Grad Celsius ist eine Maßeinheit der Temperatur, die nach Anders Celsius benannt wurde.

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Halbleitertechnik

Integrierter Schaltkreis (IC). Das Chip-Gehäuse wurde geöffnet und ermöglicht den Blick auf den eigentlichen Halbleiter. Die erkennbaren Strukturen im Zentrum sind die realisierte elektronische Schaltung. Im Außenbereich sind die goldenen Anschlussleitungen zu erkennen, die die elektrische Verdrahtung zwischen IC und Gehäusekontakten bilden. Die Halbleitertechnik (HLT) ist ein technischer Fachbereich, der sich mit Entwurf und Fertigung von Produkten auf der Basis von Halbleitermaterialien, vor allem mit denen für mikroelektronische Baugruppen, beispielsweise integrierte Schaltungen, beschäftigt.

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High-k-Dielektrikum

Als High-k-Dielektrikum wird in der Halbleitertechnik ein Material bezeichnet, das eine höhere Dielektrizitätszahl _\mathrm aufweist als herkömmliches Siliciumdioxid (εr.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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Kinetik (Chemie)

Ludwig Ferdinand Wilhelmy; er veröffentlichte 1850 die erste quantitative Untersuchung der chemischen Kinetik (Zerfall von Rohrzucker). Die Kinetik ist ein Teilbereich der physikalischen Chemie, der in Makrokinetik und molekulare Kinetik unterteilt wird.

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Knallgas

GHS-Piktogramm zur Kennzeichnung explosionsgefährlicher Stoffe. Da die Spaltung von Wasser recht einfach als Heimversuch durchgeführt werden kann, ist Vorsicht beim Entzünden geboten. Knallgas, im englischen Sprachraum auch Oxyhydrogen oder HHO genannt, ist ein explosives Mischgas aus Wasserstoff (H2) und Sauerstoff (O2).

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Meter

Der Meter ist die Basiseinheit der Länge im Internationalen Einheitensystem (SI) und in anderen metrischen Einheitensystemen.

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Quarz

Quarz, auch Tiefquarz oder α-Quarz genannt, ist ein Mineral mit der chemischen Zusammensetzung SiO2 und trigonaler Symmetrie.

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Quarzglas

Quarzglas, auch als Kieselglas bezeichnet, ist ein Glas, das im Gegensatz zu den gebräuchlichen Gläsern keine Beimengungen von Natriumcarbonat oder Calciumoxid enthält, d. h.

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Silicium

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14.

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Tetraethylorthosilicat

Tetraethylorthosilicat, auch Tetraethoxysilan, Kieselsäuretetraethylester oder Ethylsilicat, kurz TEOS genannt, ist ein Ethylester der Orthokieselsäure.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Siliciumdioxid und Thermische Oxidation von Silizium

Siliciumdioxid verfügt über 111 Beziehungen, während Thermische Oxidation von Silizium hat 103. Als sie gemeinsam 16 haben, ist der Jaccard Index 7.48% = 16 / (111 + 103).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Siliciumdioxid und Thermische Oxidation von Silizium. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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