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Silicium und Transistor

Shortcuts: Differenzen, Gemeinsamkeiten, Jaccard Ähnlichkeit Koeffizient, Referenzen.

Unterschied zwischen Silicium und Transistor

Silicium vs. Transistor

Silicium, oder auch Silizium, ist ein chemisches Element mit dem Symbol Si und der Ordnungszahl 14. THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.

Ähnlichkeiten zwischen Silicium und Transistor

Silicium und Transistor haben 20 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Aluminium, Dünnschichttransistor, Dotierung, Elektronik, Germanium, Halbleiter, Indium, Integrierter Schaltkreis, John Bardeen, Mikroelektronik, Mikroprozessor, P-n-Übergang, Polykristall, Siemens-Verfahren, Siliciumcarbid, Texas Instruments, Valenzband, Vereinigte Staaten, Walter Houser Brattain, William Bradford Shockley.

Aluminium

Aluminium ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Al und der Ordnungszahl 13.

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Dünnschichttransistor

Schema eines Dünnschichttransistors in der Aufbauvariante „staggered bottom-gate“ (gestapelt mit untenliegendem Gate) Ein Dünnschichttransistor (kurz TFT) ist ein spezieller Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate (IGFET, auch MISFET), mit dem großflächige elektronische Schaltungen hergestellt werden können.

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Dotierung

Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.

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Elektronik

Elektronikbaugruppe eines Frequenzumrichters integrierten Schaltkreis (oben), Widerständen (rechts unten), zwei Leuchtdioden (Mitte links) und einem Kondensator (hellbrauner Quader Mitte rechts) Die Elektronik ist ein Teilgebiet der Elektrotechnik.

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Germanium

Germanium (von ‚Deutschland‘, nach dem Land, in dem es zuerst gefunden wurde) ist ein chemisches Element mit dem Elementsymbol Ge und der Ordnungszahl 32.

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Halbleiter

Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.

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Indium

Indium ist ein chemisches Element mit dem Symbol In und der Ordnungszahl 49.

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Integrierter Schaltkreis

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.

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John Bardeen

John Bardeen, 1956 Nachbau des ersten Transistors von Shockley, Bardeen und Brattain Eine Gedenktafel an Bardeen und die Theorie der Supraleitfähigkeit auf dem Campus der University of Illinois at Urbana-Champaign John Bardeen (* 23. Mai 1908 in Madison, Wisconsin; † 30. Januar 1991 in Boston) war ein US-amerikanischer Physiker und zweifacher Nobelpreisträger der Physik.

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Mikroelektronik

Die Mikroelektronik ist ein Teilgebiet der Elektronik, genauer der Halbleiterelektronik, und der Mikrotechnik.

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Mikroprozessor

Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein Mikroprozessor (von) ist ein als integrierter Schaltkreis (IC) ausgeführter Prozessor, der aufgrund der starken Verkleinerung und Integration seiner Bestandteile auf einem dünnen Halbleiterplättchen (Die) in viel kleinerem Maßstab als frühere Röhrentechnik-Prozessoren gefertigt werden kann.

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P-n-Übergang

Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.

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Polykristall

Ein Polykristall (auch Multikristall oder seltener Vielkristall) ist ein kristalliner Festkörper, der aus vielen kleinen Einzelkristallen (Kristalliten) besteht, die durch Korngrenzen voneinander getrennt sind.

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Siemens-Verfahren

Resultat des Verfahrens: Polykristallines Solarsilicium Das Siemens-Verfahren ermöglicht die Herstellung von polykristallinem Silicium von hoher Reinheit.

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Siliciumcarbid

Siliciumcarbid (Trivialname: Karborund; andere Schreibweisen: Siliziumcarbid und Siliziumkarbid) ist eine zur Gruppe der Carbide gehörende chemische Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.

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Texas Instruments

Die Texas Instruments Incorporated, häufig auch als TI bezeichnet, ist eines der größten US-amerikanischen Technologieunternehmen mit Sitz in Dallas, Texas.

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Valenzband

Der Begriff Valenzband gehört zum Bändermodell, mit dem die elektrische Leitfähigkeit, speziell die der Halbleiter, erklärt wird.

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Vereinigte Staaten

Die Vereinigten Staaten von Amerika (abgekürzt USA), auch Vereinigte Staaten (englisch United States; abgekürzt US) oder umgangssprachlich einfach Amerika (englisch America) genannt, sind eine demokratische, föderal aufgebaute Republik in Nordamerika und mit einigen Inseln auch in Ozeanien.

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Walter Houser Brattain

Walter H. Brattain (1956) Walter Houser Brattain (* 10. Februar 1902 in Amoy, Kaiserreich China; † 13. Oktober 1987 in Seattle, Washington) war ein US-amerikanischer Physiker und Nobelpreisträger.

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William Bradford Shockley

William B. Shockley, 1975 William Bradford Shockley (* 13. Februar 1910 in London; † 12. August 1989 in Stanford) war ein US-amerikanischer Physiker.

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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen

Vergleich zwischen Silicium und Transistor

Silicium verfügt über 260 Beziehungen, während Transistor hat 178. Als sie gemeinsam 20 haben, ist der Jaccard Index 4.57% = 20 / (260 + 178).

Referenzen

Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Silicium und Transistor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:

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