Ähnlichkeiten zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Thyristor
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Thyristor haben 16 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Bell Laboratories, Bipolartransistor, Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode, Complementary metal-oxide-semiconductor, Diode, Dotierung, Elektrisches Bauelement, Elektrode, Feldeffekttransistor, Halbleiter, Ladungsträger (Physik), Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, P-n-Übergang, Rekombination (Physik), Schaltverluste, Transistor.
Bell Laboratories
Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Haupteingang Nokia Bell Labs Murray Hill, NJ Die Bell Laboratories (auch Bell Labs, früher Bell Telephone Laboratories, kurz BTL) sind die ehemalige Forschungsabteilung der Telefongesellschaft AT&T, in der im Laufe des 20.
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Bipolartransistor
Ein Bipolartransistor, im Englischen als bipolar junction transistor (BJT) bezeichnet, ist ein Transistor, bei dem im Unterschied zum Unipolartransistor beide Ladungsträgertypen – negativ geladene Elektronen und positiv geladene Defektelektronen – zum Stromtransport durch den Bipolartransistor beitragen.
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Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode
Schaltzeichen der vier IGBT-Typen nach DIN EN 60617-5 Ein Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (kurz IGBT) ist ein Halbleiterbauelement, das in der Leistungselektronik verwendet wird, da es Vorteile des Bipolartransistors (gutes Durchlassverhalten, hohe Sperrspannung, Robustheit) und Vorteile eines Feldeffekttransistors (nahezu leistungslose Ansteuerung) vereinigt.
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Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Diode
Schaltzeichen einer Diode und Abbildungen üblicher Gehäuse mit Markierung der Kathode. Kennzeichnung der positiven (+) und negativen (−) Elektrode bei Beschaltung in Durchlassrichtung Auswirkung einer Diode je nach Richtung (Gleichrichter-)Dioden in verschiedenen Bauformen Eine Diode ist ein elektronisches Bauelement auf Halbleiterbasis, das elektrischen Strom in einer Richtung passieren lässt und in der anderen Richtung sperrt.
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Dotierung
Eine Dotierung oder das Dotieren (von ‚ausstatten‘) bezeichnet in der Halbleitertechnik das Einbringen von Fremdatomen in eine Schicht oder in das Grundmaterial eines integrierten Schaltkreises.
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Elektrisches Bauelement
Als elektrisches Bauelement wird in der Elektrotechnik ein wesentlicher Bestandteil einer elektrischen Schaltung bezeichnet, der physisch nicht weiter unterteilt werden kann, ohne seine Funktion zu verlieren.
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Elektrode
Eine Elektrode (von altgriechisch ηλεκτρόν elektron, „Bernstein“, i. ü. S. „elektrisch“, und ὁδός hodós, „Weg“) ist ein Elektronenleiter, der im Zusammenspiel mit einer Gegenelektrode (Anode – Kathode) mit einem zwischen beiden Elektroden befindlichen Medium in Wechselwirkung steht.
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Feldeffekttransistor
Feldeffekttransistoren (FETs) sind eine Gruppe von Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am elektrischen Strom beteiligt ist – abhängig von der Bauart: Elektronen oder Löcher bzw.
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Halbleiter
Halbleiter sind Festkörper, deren elektrische Leitfähigkeit zwischen der von elektrischen Leitern (>104 S/cm) und der von Nichtleitern (−8 S/cm) liegt.
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Ladungsträger (Physik)
Ladungsträger sind elektrisch geladene Teilchen, die elektrische Ladung als physikalische Größe und fundamentale Eigenschaft von Materie transportieren.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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P-n-Übergang
Ein p-n-Übergang bezeichnet einen Materialübergang in Halbleiterkristallen zwischen Bereichen mit entgegengesetzter Dotierung.
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Rekombination (Physik)
Rekombination ist in der Physik die neutralisierende Vereinigung elektrisch positiver und negativer Ladungsträger (Ionen, Elektronen).
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Schaltverluste
Als Schaltverluste versteht man in der Elektronik, speziell in der Leistungselektronik und der Digitaltechnik, jene elektrischen Leistungen, die bei einem Halbleiterschalter während des Einschaltens und des Ausschaltens an diesem umgesetzt werden und somit als Verluste anfallen.
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Transistor
THT-Gehäuseformen Ein Transistor ist ein elektronisches Halbleiter-Bauelement zum Steuern oder Verstärken meistens niedriger elektrischer Spannungen und Ströme.
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Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Thyristor
- Was es gemein hat Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Thyristor
- Ähnlichkeiten zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Thyristor
Vergleich zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Thyristor
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor verfügt über 111 Beziehungen, während Thyristor hat 70. Als sie gemeinsam 16 haben, ist der Jaccard Index 8.84% = 16 / (111 + 70).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Thyristor. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter: