Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Radar

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Unterschied zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Radar

Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor vs. Radar

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h. Radar ist die Abkürzung für radio detection and ranging (frei übersetzt „funkgestützte Ortung und Abstandsmessung“) oder radio direction and ranging (frei übersetzt „funkgestützte Richtungs- und Abstandsmessung“), zwischenzeitlich radio aircraft detection and ranging (frei übersetzt „funkbasierte Flugzeugortung und -abstandsmessung“) und ist die Bezeichnung für verschiedene Erkennungs- und Ortungsverfahren und -geräte auf der Basis elektromagnetischer Wellen im Radiofrequenzbereich (Funkwellen).

Ähnlichkeiten zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Radar

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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor

Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.

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Vergleich zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und Radar

Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor verfügt über 111 Beziehungen, während Radar hat 139. Als sie gemeinsam 1 haben, ist der Jaccard Index 0.40% = 1 / (111 + 139).

Referenzen

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