Schneller Zugriff als Browser!Ähnlichkeiten zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und NMOS-Logik
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und NMOS-Logik haben 5 Dinge gemeinsam (in Unionpedia): Complementary metal-oxide-semiconductor, Defektelektron, Integrierter Schaltkreis, Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor, PMOS.
Complementary metal-oxide-semiconductor
Complementary metal-oxide-semiconductor (engl.; „komplementärer / sich ergänzender Metall-Oxid-Halbleiter“), Abk.
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Defektelektron
Als Defektelektron, Elektronenfehlstelle, Elektronenloch oder Loch wird der (gedachte) positive bewegliche Ladungsträger in Halbleitern bezeichnet.
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Integrierter Schaltkreis
Funktionseinheiten wie Rechenwerk und Cache des Prozessors zu erkennen. Aktuelle Prozessor-Chips umfassen bei ähnlichen Abmessungen mittlerweile etwa 4000 Mal so viele Transistoren. Ein integrierter Schaltkreis, auch integrierte Schaltung (kurz IC; die Buchstaben werden einzeln gesprochen: bzw. veraltet IS) ist eine auf einem dünnen, meist einige Millimeter großen Plättchen aus Halbleiter-Material aufgebrachte elektronische Schaltung.
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Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
Ein Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (englisch metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET, auch MOS-FET, selten MOST) ist eine Bauform eines Transistors, d. h.
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PMOS
Nicht-Gatter in PMOS-Technik Die Abkürzung PMOS (bzw. PMOSFET und p-Kanal-MOSFET) steht für englisch „p-type metal-oxide semiconductor“ (deutsch: p-Kanal-Metall-Oxid-Halbleiter) und bezeichnet in der Mikroelektronik einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (MOSFET), bei dem positiv geladene Ladungsträger (Löcher, Defektelektronen) die Leitung des elektrischen Stroms im Kanal übernehmen.
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und PMOS · NMOS-Logik und PMOS ·
Die obige Liste beantwortet die folgenden Fragen
- In scheinbar Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und NMOS-Logik
- Was es gemein hat Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und NMOS-Logik
- Ähnlichkeiten zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und NMOS-Logik
Vergleich zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und NMOS-Logik
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor verfügt über 111 Beziehungen, während NMOS-Logik hat 13. Als sie gemeinsam 5 haben, ist der Jaccard Index 4.03% = 5 / (111 + 13).
Referenzen
Dieser Artikel zeigt die Beziehung zwischen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor und NMOS-Logik. Um jeden Artikel, aus dem die Daten extrahiert ist abrufbar unter:
